IGBT模塊上下橋怎么區(qū)分

　　igbt模塊為什么做成上下橋在一起？因?yàn)镮GBT在工作時(shí)由于他和整流橋的電流很大發(fā)熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來(lái)為它散熱，降低它的溫度。

　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。

　　IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

　　IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，?a href="cshb120.cn/article/special/" target="_blank">電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

　　IGBT模塊的使用

　　1 ．防止靜電 IGBT 是靜電敏感器件，為了防止器件受靜電危害，應(yīng)注意以下兩點(diǎn)：

　　① IGBT 模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上引線；在無(wú)防靜電措施時(shí)，不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。

　?、?驅(qū)動(dòng)端子需要焊接時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地。

　　2 ．選擇和使用

　?、?請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品的最大額定值（電壓、電流、溫度等）范圍內(nèi)使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是 IGBT 外加超出 Vces 的電壓時(shí)可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞，請(qǐng)務(wù)必在 Vces 的額定值范圍內(nèi)使用！工作使用頻率愈高 , 工作電流愈??；源于可靠性的原因，必須考慮安全系數(shù)。如果使用前需要測(cè)試請(qǐng)務(wù)必使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備，以免測(cè)試損壞。

　?、?驅(qū)動(dòng)電路：要確保在模塊的驅(qū)動(dòng)端子上的驅(qū)動(dòng)電壓和波形達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求； 柵極電阻 Rg 與 IGBT 的開(kāi)通和關(guān)斷特性密切相關(guān)，減小 Rg 值開(kāi)關(guān)損耗減少，下降時(shí)間減少，關(guān)斷脈沖電壓增加；反之，柵極電阻 Rg 值增加時(shí)，會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，影響開(kāi)關(guān)頻率；應(yīng)根據(jù)浪涌電壓和開(kāi)關(guān)損耗間最佳折衷 ( 與頻率有關(guān) ) 選擇合適的 Rg 值，一般選為 5 Ω至 100 Ω之間。

　?、?保護(hù)電路： IGBT 模塊使用在高頻時(shí)布線電感容易產(chǎn)生尖峰電壓，必須注意減少布線電感和元件的配置，應(yīng)注意以下保護(hù)項(xiàng)目：過(guò)電流保護(hù)、過(guò)電壓保護(hù)、柵極過(guò)壓及欠壓保護(hù)、安全工作區(qū)、過(guò)溫保護(hù)。

　?、?吸收電路： 由于 IGBT 開(kāi)關(guān)速度快，容易產(chǎn)生浪涌電壓，必須設(shè)有浪涌鉗位電路。

　?、?并聯(lián)使用： 應(yīng)考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問(wèn)題。

　?、?使用時(shí)請(qǐng)避開(kāi)產(chǎn)生腐蝕氣體和嚴(yán)重塵埃的場(chǎng)所。