近年來，開關(guān)產(chǎn)品紛紛進入PC、服務(wù)器、筆記本電腦和底座應(yīng)用等領(lǐng)域，令許多芯片供應(yīng)商推出各式總線開關(guān)產(chǎn)品?？偩€開關(guān)能夠在板卡或器件插拔期間方便地隔離總線電容，通過隔離對數(shù)據(jù) (高速緩存和內(nèi)存) 進行多路復用/分解操作或進行電壓變換。典型的總線開關(guān)設(shè)計為一個單獨的NMOS器件，其缺點是：隨著源電壓接近Vcc，柵極的源-漏區(qū)被夾斷，會限制電流的驅(qū)動能力和輸出電壓。
近幾年來，開關(guān)功能已成為視頻、圖形及音頻傳輸或處理領(lǐng)域的重要組成部分。為此，除了簡單的RON和RFLAT特性外，對于開關(guān)的串擾、THD(總諧波失真)、衰減以及帶寬等特性的要求顯著提高。這使得業(yè)界轉(zhuǎn)用模擬開關(guān)的系列產(chǎn)品。
隨著手機和其他超便攜產(chǎn)品進入主流產(chǎn)品行列，要求加入更多功能，如圖像、電子郵件、短信以及互聯(lián)網(wǎng)接入，這需要對多重數(shù)據(jù)通路進行控制。而高集成度基帶處理器、多處理器結(jié)構(gòu)、定制ASIC和功率管理芯片組也已集成在產(chǎn)品中，迫使電源電壓降低，因而需要模擬開關(guān)在整個電源電壓范圍內(nèi)工作，同時要求開關(guān)的關(guān)鍵特性，如RON (平坦度)、串擾、帶寬和THD等衰減最少。現(xiàn)在的開關(guān)發(fā)展趨勢是低RON值 (小于1W)，并在不同電壓下保持適合的低I/O電容、低衰減和良好平坦度。
面對超便攜應(yīng)用，工程師在設(shè)計選擇模擬開關(guān)時必須了解多項關(guān)鍵參數(shù)，如RON、串擾、THD、帶寬、電荷注入和插入損耗。

圖1  傳輸門電路的復合RON

圖2  帶寬測試原理圖

圖3  串擾和關(guān)斷隔離測試原理圖

圖4  開關(guān)應(yīng)用和THD

圖5  THD測試原理圖

圖6  電荷注入的測試原理圖

圖7 使用SP3T FSA3357模擬開關(guān)的典型USB應(yīng)用

導通電阻和平坦度
模擬開關(guān)由一個傳輸門電路 (PMOS與NMOS并聯(lián)) 構(gòu)成，為了得到等效 (匹配) 的RON，PMOS大小需近似為NMOS的兩倍。這也意味著電容失配的存在，從而影響電荷注入特性。傳輸門電路的復合RON特性曲線如圖1所示。
直覺上可能會認為RON愈低的器件愈好，但必須考慮特定應(yīng)用的信號擺幅、適用電源、源/灌電流要求、成本和封裝目標等因素。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中的導通電阻是在給定負載電流和特定VCC和VIN條件下的數(shù)值。在晶體管級，RON是器件長度 (L)、器件寬度 (W)、電子和空穴遷移率(mn, mp)、氧化層電容 (COX)、閾值電壓 (VT) 和信號電壓 (VGS) 的函數(shù)。最佳狀況是使MOS器件與導通電阻相匹配，即是使RON位于信號電壓的中點。
RON P=L/(mp * Cox *W (VGS - VT ))
RON n=L/(mn * Cox *W (VGS - VT))
假設(shè)mp、mn、VT和Cox不變，因為在低電壓環(huán)境下VGS降低，所以，為了維持或減小RON就必須加大溝道寬度，從而引起器件周長和電容的增大。在設(shè)計晶體管時必須創(chuàng)新，有效地增加柵極面積，以減小通道電阻，但同時使周長的增加降至最小。通過將RON降低至1W以下，就可以不必通過放大器而直接驅(qū)動揚聲器 (從32W變?yōu)?W)。這也意味著目前產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中一般顯示100mA以上的電流吸收能力，可以滿足揚聲器的功率轉(zhuǎn)換性能要求。
導通電阻平坦度 (RFLAT) 是指VIN從0V到VCC(或從V-到V+) 變化時RON的變化，或是RON在波峰和波谷之間的差值，如圖1所示。如果RFLAT太大，意味著 PMOS/NMOS不匹配，復合RON曲線會引起音頻信號隨輸入信號變化的可變衰減和失真。因此，在選擇模擬開關(guān)時工藝技術(shù)和特征尺寸非常重要。

帶寬
帶寬指標需要與串擾和關(guān)斷隔離統(tǒng)一考慮。幾百兆赫茲的帶寬 (3dB) 非常普遍，但是由于串擾和關(guān)斷隔離以20 dB/decade的幅度衰減，因此在高頻時它們將成為主要的影響因素。一般來說，帶寬在1MHz的測試頻率下測定，并是負載電容的函數(shù)。帶寬的測試原理圖如圖2所示。

串擾和關(guān)斷隔離
在視頻應(yīng)用中使用模擬開關(guān)時，須知道在1MHz下隔離度為70dB的開關(guān)在100MHz下隔離度僅有30dB。同樣地，在1MHz下串擾為-90dB的開關(guān)在100MHz下串擾僅為 -50dB。串擾和關(guān)斷隔離是量度“噪聲”在特定頻率下從開關(guān)通道串擾至未用(或關(guān)斷)通道的指標。串擾是指一個模擬輸入通道與另一個通道之間的交叉耦合，有鄰近通道和非鄰近通道兩種耦合形式。關(guān)斷隔離是失效通道從輸入到輸出的耦合。這些參數(shù)均以dB定義為：
20 Log10 (VOUT / VIN )
一般采用增益 (VOUT / VIN )來表示，但某些產(chǎn)品數(shù)據(jù)表可能將它表示為相對于VIN的衰減。串擾和關(guān)斷隔離以20 dB/decade的幅度衰減。測試原理如圖3所示。

插入損耗
插入損耗是由輸入信號到輸出信號的衰減，是負載和系統(tǒng)環(huán)境的函數(shù)。因此，它是由環(huán)境定義的參數(shù)，負載和線路板設(shè)計的變化都會對系統(tǒng)性能產(chǎn)生影響。
插入損耗 (dB)=20 Log10 (1 + 芌FLAT / RLOAD)
考慮到最壞情況，在式中使用芌FLAT而不是簡單的RON。因為插入損耗也是線路板和系統(tǒng)環(huán)境的函數(shù)，所以在插入開關(guān)之前測量插入損耗是很重要的。例如，在1MHz下測量出開關(guān)的插入損耗，然后發(fā)現(xiàn)開關(guān)在高頻下出現(xiàn)較大衰減，并以為這是開關(guān)的特性，但實際上可能線路板設(shè)計才是導致衰減加劇的主要原因。插入損耗的測試設(shè)置也在圖3中示出。

THD
THD也是一種插入損耗，但它是以諧波形式來定義模擬信號的失真，并用百分數(shù)而不是dB表示。此外，RFLAT和結(jié)電容是造成THD的主因。圖4和下兩式說明開關(guān)如何將失真表示為THD的函數(shù)。
VOUT=a1 Vp sin(wt) + a2 Vp sin(2wt) + 繕.+ an Vp sin(nwt)
其中 VIN = Vp sinwt
 
換句話說，THD是諧波系數(shù)的平方和與基波系數(shù)之比的平方根。這些系數(shù)也是流過模擬開關(guān)的信號電流的函數(shù)，即為RFLAT / RON的函數(shù)。由于RFLAT≌0.1×RON， 因此THD的一次近似為：
THD≌(0.1 x RON / RLOAD)×100%
但是，當使用低RON值的開關(guān)時，電容成為主要因素。如果在視頻領(lǐng)域使用這些開關(guān)，就需要計算阻抗 (電抗)值。THD的測試原理如圖5所示。

電荷注入
電荷注入是開關(guān)過程中模擬開關(guān)的寄生電容失配及其對輸出信號完整性影響的函數(shù)。在開關(guān)導通時，由于失配的存在，PMOS和NMOS的柵-漏電容將不同水平的正負電荷耦合進入漏極。由于開關(guān)導通，輸出端有效移動的電荷通過開關(guān)導通電阻有效釋放。當開關(guān)關(guān)斷時，耦合電荷通過柵-漏電容添加在輸出端，由于開關(guān)處于高阻態(tài)，所以輸出負載必須存儲電荷直到開關(guān)再次導通。低頻情況下，因為在下次開關(guān)轉(zhuǎn)換之前注入電荷發(fā)生泄漏，輸出端可能會出現(xiàn)正負脈沖干擾，可通過在NMOS源-漏之間跨接一個分立電容的方法來減小電容失配，但這只能補償特定的頻率和輸入電源電壓下的情況。實際上，注入電荷是開關(guān)閉合和關(guān)斷次數(shù)以及CLOAD的函數(shù)。為了減小注入電荷的影響，CLOAD會增加，但這樣會減小帶寬。電荷注入會隨源極電壓而變化，對于個別器件，產(chǎn)品資料表通常指定Vs=0，因為在其它電壓下，漏-源電容會隨溝道改變而變化。電荷注入的測試原理圖如圖6所示。

結(jié)語
面對今天的超便攜市場，工程師在設(shè)計未來產(chǎn)品時必須考慮許多相對的變數(shù)，以確保產(chǎn)品擁有良好的信號完整性、優(yōu)良的立體聲效果、最佳的功率轉(zhuǎn)換、小型封裝及良好的隔離。
隨著趨勢延續(xù)，使用模擬開關(guān)創(chuàng)造創(chuàng)新產(chǎn)品解決方案的機會不斷涌現(xiàn)。如何在減少器件數(shù)量的同時，在相同或更小的線路板面積上增加位寬或功能是很有吸引力的。而了解和掌握模擬開關(guān)的所有參數(shù)將有助于設(shè)計師做出英明的工程決策。
圖7所示為典型的USB應(yīng)用，模擬開關(guān)在其中起著重要的作用。