亞德
諾半導(dǎo)體技術(shù)公司（Analog Devices, Inc. 紐約證券交易所代碼：ADI）自從1965年創(chuàng)建以來(lái)到2005年經(jīng)歷了悠久歷史變遷，取得了輝煌業(yè)績(jī)，樹立起成立40周年的里程碑?；仡?/div>
2013-10-30 15:57:55
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊?b class="flag-6" style="color: red">帶隙（價(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
，2022年由于存貨、庫(kù)存保持高位，項(xiàng)目重復(fù)建設(shè)，產(chǎn)能出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。2023年下半年隨著庫(kù)存消耗，產(chǎn)能將出現(xiàn)提升，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6%達(dá)到3,400億塊。本土功率半導(dǎo)體廠商迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)以深圳市薩科微半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來(lái)源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來(lái)源：來(lái)源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時(shí)，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對(duì)以上兩個(gè)問(wèn)題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對(duì)S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢?，所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
`` 近期，華強(qiáng)芯城與中國(guó)本土半導(dǎo)體原廠「東莞賽微微電子有限公司（CellWise）」達(dá)成戰(zhàn)略合作，華強(qiáng)芯城獲得CellWise賽微代理授權(quán)，代理CellWise賽微研發(fā)的電源&
2019-07-15 17:09:50
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說(shuō)明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過(guò)67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車感測(cè)/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
，其中第一梯隊(duì)有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強(qiáng)型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產(chǎn)業(yè)第一梯隊(duì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無(wú)處不在、IP無(wú)處不在和無(wú)縫移動(dòng)連接的總趨勢(shì)下，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測(cè)中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨(dú)立式電量計(jì)IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中昂科發(fā)布軟件更新支持Analog Devices亞德諾半導(dǎo)體的8通道電源系統(tǒng)管理器LTC2977IUP已經(jīng)被昂科
2023-03-21 15:04:45
circuit technique ）（百度百科）電子集成技術(shù)按工藝方法分為以硅平面工藝為基礎(chǔ)的單片集成電路、以薄膜技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜集成電路和以絲網(wǎng)印刷技術(shù)為基礎(chǔ)的厚膜集成電路。 半導(dǎo)體工藝是集成電路工藝
2009-09-16 11:51:34
蘇州晶淼有限公司專業(yè)制作半導(dǎo)體設(shè)備、LED清洗腐蝕設(shè)備、硅片清洗、酸洗設(shè)備等王經(jīng)理***/13771786452
2016-07-20 11:58:26
樓主大二，學(xué)校要求完成科創(chuàng)項(xiàng)目。專業(yè)是電子信息工程，不知各位可否給出具體的建議和思路。應(yīng)該是和單片機(jī)有關(guān)的。應(yīng)用到生活的具體情境之中。。。
2015-11-09 22:48:20
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
本帖最后由 nogenius 于 2012-4-22 09:25 編輯
RT，求能輸出極微小電流但輸出電壓能達(dá)到150v以上的恒流源設(shè)計(jì)電路，主要用作寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試儀的一部分{:soso_e196:}
2012-04-22 08:43:00
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
特域CWUL-10冷水機(jī)是專門為15W英諾、理波紫外激光器而量身定做的嗎
2017-12-01 15:38:31
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
`海飛樂(lè)技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號(hào)公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
“薩科微，立志成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者“近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體SLKOR（www.slkormicro.com）在驅(qū)動(dòng)IC的研發(fā)上取得了喜人的進(jìn)展，不斷鞏固在功率器件方面的市場(chǎng)地位，在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的”國(guó)產(chǎn)替代
2022-05-17 09:45:42
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2022-05-31 14:00:20
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō)，中國(guó)還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是有全世界最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，有超過(guò)1萬(wàn)億人民幣的規(guī)模，全球占比34%，領(lǐng)先美國(guó)（27%），更大幅領(lǐng)先歐洲和日韓，金航標(biāo)電子是在的中國(guó)的連接器市場(chǎng)也
2024-03-18 11:39:25
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)完成對(duì)Arkados公司的并購(gòu)，并完成半導(dǎo)體資產(chǎn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)的移轉(zhuǎn)，此項(xiàng)并購(gòu)案將進(jìn)一步提升意法半導(dǎo)體在電力線通信(PLC)的技術(shù)實(shí)力
2011-07-07 08:32:32
810 9月20日，重慶日?qǐng)?bào)記者從重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱重慶萬(wàn)國(guó)）獲悉，全國(guó)首個(gè)12英寸功率半導(dǎo)體項(xiàng)目已經(jīng)完成封裝測(cè)試，預(yù)計(jì)10月份正式在渝投產(chǎn)。
2018-09-21 14:47:003369 重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司昨日宣布全國(guó)首個(gè)12英寸功率半導(dǎo)體項(xiàng)目已經(jīng)完成封裝測(cè)試，預(yù)計(jì)10月份正式在渝投產(chǎn)。
2018-10-06 16:04:005839 據(jù)麗水經(jīng)開區(qū)官微消息，8月2日，富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目傳感器子項(xiàng)目在水街基金產(chǎn)業(yè)園正式完成簽約。 （圖源：麗水經(jīng)開區(qū)） 據(jù)悉，富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目總投資120億元，主要建設(shè)12英寸拋光片生產(chǎn)線、傳感器
2023-08-08 18:29:07451 
芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開工。當(dāng)時(shí)芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣，分兩個(gè)階段建設(shè)，竣工投產(chǎn)后，將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等的電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供igbt特有的授權(quán)委托加工服務(wù)。
2023-10-16 10:13:52390 江西乾富半導(dǎo)體有限公司的半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目已經(jīng)完成了大部分的建設(shè)和裝修工作，目前正準(zhǔn)備進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)備的安裝。預(yù)計(jì)在春節(jié)過(guò)后，該項(xiàng)目將逐步進(jìn)入生產(chǎn)階段。
2024-01-15 14:17:35294 
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