18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

韓國半導體硅晶圓廠SKSiltron擬4.5億美元收購美國化學大廠杜邦的碳化硅晶圓事業(yè)

半導體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:MoneyDJ新聞 ? 2019-09-11 14:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

朝鮮日報、中央日報日文版11日報導,韓國唯一的半導體硅晶圓廠SK Siltron于10日舉行的董事會上決議,將收購美國化學大廠杜邦(DuPont)的碳化硅(Silicon Carbide,SiC)晶圓事業(yè),收購額為4.5億美元,在獲得各國當局許可的前提下,目標在今年內(nèi)完成收購手續(xù)。

SK Siltron指出,“此次的收購是呼應(yīng)韓國政府近來推動的材料技術(shù)自立化政策,且也是為了確保全球競爭力”。SK Siltron表示,“在硅晶圓領(lǐng)域要追上日本恐怕很難,因此將在次世代技術(shù)上進行挑戰(zhàn)”。目前能量產(chǎn)SiC晶圓的廠商除了杜邦之外,還有日本昭和電工、Denso、住友等。

報導指出,此次的收購案將是SK繼2017年1月從LG手中收購LG Siltron以來首起大型購并案。SK Siltrons年營收規(guī)模約1.3萬億韓元,而此次的收購額超過其年營收的三分之一水準。

據(jù)報導,韓國所需的硅晶圓高度仰賴日本進口,而市場憂心日本今后若追加對韓國加強出口管制的話,硅晶圓很有可能將成為管控的對象之一。目前在全球半導體硅晶圓市場上,日本信越化學、SUMCO合計掌控55%左右的市占率,SK Siltron、德國Siltronic、中國***環(huán)球晶圓市占率皆在后追趕。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253667
  • 硅晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    276

    瀏覽量

    21868
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    重大突破!12 英寸碳化硅剝離成功,打破國外壟斷!

    9月8日消息,中國科學院半導體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),于近日在碳化硅加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備,成功完成了12英寸
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1039次閱讀

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    精確的測量技術(shù)支持。 引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,憑借其優(yōu)異的物理化學性能,在高功率、高頻電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
    的頭像 發(fā)表于 08-08 11:38 ?496次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    碳化硅特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?662次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>特性及切割要點

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?653次閱讀

    碳化硅VS基IGBT:誰才是功率半導體之王?

    半導體技術(shù)的不斷演進中,功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作
    的頭像 發(fā)表于 04-02 10:59 ?4430次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>VS<b class='flag-5'>硅</b>基IGBT:誰才是功率<b class='flag-5'>半導體</b>之王?

    三安光電與意法半導體重慶8英寸碳化硅項目通線

    三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅合資制造廠(安意法半導體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計總投資約
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1375次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1538次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅與傳統(tǒng)材料的比較

    半導體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。(Si)作為最常用的半導體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?2238次閱讀

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2129次閱讀

    投資16.2美元!印度建首座碳化硅晶圓廠

    。這項雄心勃勃的項目投資額為 1400 印度盧比(16.2 美元),將專注于生產(chǎn)碳化硅 (SiC) 芯片,這是推動節(jié)能技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵組件。 據(jù)《商業(yè)標準報》和《印度時報》等消息來源
    的頭像 發(fā)表于 01-16 17:06 ?571次閱讀
    投資16.2<b class='flag-5'>億</b><b class='flag-5'>美元</b>!印度建首座<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶圓廠</b>

    安森美在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?775次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安森美1.15美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?806次閱讀

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質(zhì)使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?1306次閱讀

    碳化硅襯底,進化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?5058次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進化到12英寸!