格芯宣布已完成22FDX技術(shù)開發(fā) 將用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器
據(jù)外媒報(bào)道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
eMRAM這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)，寫入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤，甚至統(tǒng)一兩者。同時(shí)很關(guān)鍵的是，它對(duì)制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價(jià)格自然不會(huì)太離譜。
事實(shí)上，除了GlobalFoundries外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究eMRAM。
GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工藝技術(shù)生產(chǎn)的測(cè)試芯片，在ECC關(guān)閉模式下，在-40°C到125°C的工作溫度下，具有10萬(wàn)個(gè)周期的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保持能力。
此外，GlobalFoundries的eMRAM測(cè)試產(chǎn)品還可以通過標(biāo)準(zhǔn)可靠性測(cè)試，包括LTOL（168小時(shí)）、HTOL（500小時(shí)）和5x焊料回流，故障率《1ppm，而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。
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