STM32MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲器和256KB SRAM，在某些應用設(shè)計中會出現(xiàn)內(nèi)置RAM不足的情況，需要對STM32單片機進行外擴RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量的單片機，除了價格貴還需要涉及其他被動器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216，

IS62WV51216 SRAM芯片是一個8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和輸出使能引腳，可以簡單實現(xiàn)存儲器擴展。

我司推出一款I(lǐng)S62WV51216的兼容替換物料VTI508NL16，VTI508NL16 SRAM芯片的容量達到了512K×16bit，即為8Mb，相當大的容量，可作為強大微處理器的主緩存使用，可以PIN TO PIN兼容替換IS62WV51216，VTI508NL16產(chǎn)品使用CMOS高性能技術(shù)制造， 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數(shù)據(jù)保留功能，器件采44TSOP2引腳封裝， VTI508NL16 SRAM芯片的供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V，屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。

當然，其作為SRAM最大的特點就是在主機斷電后，仍能通過由電池供電，繼續(xù)保存已經(jīng)存儲在芯片中的數(shù)據(jù)，并且其數(shù)據(jù)保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低，而所需的電流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的優(yōu)點在于不需要刷新電路就能保存內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，而且更為快速、低功耗。讀寫延時在45/55ns左右，可謂是響應極其迅速的一款產(chǎn)品，適合用在需高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備當中。
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