ROHM獨(dú)有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應(yīng)用穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)的功耗，因而已經(jīng)作為IGBT的替代品受到高度好評。 *截至2019年3月15日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)

此次，在以往的產(chǎn)品陣容基礎(chǔ)上，新增了新開發(fā)的“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。產(chǎn)品特點(diǎn)如下：

?反向恢復(fù)時(shí)間（trr）極快。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗降低約58%。

?采用不產(chǎn)生誤開啟（Self Turn-on）現(xiàn)象的設(shè)計(jì)，消除損耗增加的一個(gè)原因。

?優(yōu)化體二極管的特性，改善軟恢復(fù)指數(shù)，降低引發(fā)誤動(dòng)作的噪聲。

這些特點(diǎn)不僅可降低應(yīng)用的損耗，還使電路的優(yōu)化更容易，設(shè)計(jì)的靈活性更高。

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）極快，與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功率損耗降低約58%

包括空調(diào)和冰箱在內(nèi)，白色家電多使用變頻電路進(jìn)行電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以往開關(guān)元件多使用IGBT。然而，作為近年來節(jié)能需求的一部分，降低穩(wěn)定運(yùn)行期間的功耗已經(jīng)為重要課題。ROHM于2012年首次將PrestoMOS投入市場，這是以極快的反向恢復(fù)特性為特點(diǎn)的功率MOSFET，因其在解決“降低穩(wěn)定運(yùn)行期間的功耗”課題方面的優(yōu)異表現(xiàn)，而獲得了高度好評。

采用“不產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象”設(shè)計(jì)，消除損耗增加的一個(gè)原因

通過優(yōu)化MOSFET結(jié)構(gòu)上存在的寄生電容，將開關(guān)時(shí)的柵極電壓升高量降低了20%。另外，將MOSFET導(dǎo)通的閾值（Vth）提高約1.5倍，是不易產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象的設(shè)計(jì)。優(yōu)化了柵極電阻值（損耗的原因之一），可降低損耗。

改善恢復(fù)特性，降低引起誤動(dòng)作的噪聲

通常，SJ-MOSFET體二極管的恢復(fù)特性為硬恢復(fù)。通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，R60xxJNx系列的軟恢復(fù)指數(shù)改善了30％，不僅保持了極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr），還成功減少了噪聲干擾。這使得設(shè)計(jì)時(shí)的柵極電阻等帶來的噪聲更容易優(yōu)化。

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