9月27日，2020世界新能源汽車(chē)大會(huì)云峰會(huì)之一——“第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用”在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù)，從芯片、模塊、封裝、材料、工藝、測(cè)試及其在電機(jī)控制器的應(yīng)用等方面進(jìn)行了討論，聚焦前沿技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

本次峰會(huì)由國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心副總經(jīng)理鄒廣才主持。線上會(huì)議中，清華大學(xué)微電子所長(zhǎng)聘教授王燕首先對(duì)器件模型的類(lèi)型進(jìn)行了介紹，并針對(duì)SiC功率MOSFET器件模型的研究現(xiàn)狀、存在問(wèn)題等進(jìn)行分析，同時(shí)對(duì)器件的不同建模方法中I–V特性表征的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行對(duì)比。另外，對(duì)于其帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)基于DataSheet緊湊模型建立方法所做的相關(guān)研究工作進(jìn)行了詳細(xì)介紹。

安徽大學(xué)特聘教授曹文平進(jìn)行了題為“面向未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅IPM2.0技術(shù)”的演講，介紹了其帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)在SiC智能功率模塊技術(shù)（IPM2.0）方面的最新研究進(jìn)展與成果，對(duì)其未來(lái)產(chǎn)業(yè)化落地充滿期待。

中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員徐菊進(jìn)行了題為“SiC電力電子模塊熱管理辦法及封裝材料發(fā)展趨勢(shì)”的演講，從熱管理角度分析了影響電力電子模塊可靠性的關(guān)鍵因素，對(duì)電力電子器件及模塊的散熱管理方法及封裝趨勢(shì)等進(jìn)行介紹，并分享了電工所在熱管理相關(guān)材料性能與工藝等方面的最新研究進(jìn)展與成果。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所副研究員許恒宇圍繞“SiC芯片篩選評(píng)估技術(shù)”主題進(jìn)行演講，針對(duì)SiC芯片在材料、器件和工藝、功率模塊等方面該如何進(jìn)行篩選評(píng)估展開(kāi)介紹，并分享了其研究團(tuán)隊(duì)在SiC芯片篩選研究方面的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，提出了關(guān)于SiC芯片可靠性和器件篩選新的研究方向。

來(lái)源：騰訊新聞

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