Double Density 是 IDTs FCT-T 系列的 16、18 和 20 位總線接口組件。該系列在功能上與其他 16 位系列兼容，但為用戶提供節(jié)能、更高的速度和出色的低噪聲操作保證，并可選擇輸出驅(qū)動(dòng)特性。這些組件有 64 mA 驅(qū)動(dòng)版本，用于存在線路端接的背板驅(qū)動(dòng)，平衡驅(qū)動(dòng) 24 mA 版本，帶有內(nèi)部串聯(lián)線路端接以實(shí)現(xiàn)安靜操作，以及 3.3 V 版本，用于需要較低電源電壓的應(yīng)用。

在設(shè)置去耦電容器的目標(biāo)時(shí)，電容器固有的串聯(lián)電阻和電感通常會(huì)降低性能。片式電容器的使用降低了由于電容器引線和通孔布置引起的電感，使片式電容器成為最佳選擇，其中封裝樣式應(yīng)允許電容器以非常短的引線長(zhǎng)度貼近電路板安裝。對(duì)于通孔電容器，應(yīng)盡可能靠近板表面修剪多余的引線。

PC 板電源和接地通道

IDT 雙密度器件封裝在具有多個(gè)電源和接地引腳的 48 或 56 引腳 SSOP、TSSOP 或 TVSOP 中，如圖 1 所示。與具有角 Vcc 和接地引腳的舊邏輯系列不同，雙密度器件封裝有 8 個(gè)接地引腳和 4 個(gè) Vcc 引腳，它們?cè)诜庋b的兩側(cè)等距分布。通過為電流提供多條短的平行路徑，引線電感降低，從而減少了同時(shí)噪聲的影響。這也通過分散電流路徑來降低電路板金屬化中電感的影響。

選擇電容器封裝

去耦電容器的有效性通常會(huì)因電容器固有的串聯(lián)電阻和電感而降低。片式電容器的使用降低了由于電容器引線和通孔布置引起的電感，使片式電容器成為可以使用封裝樣式的最佳選擇。如果無法使用片式電容器，則封裝應(yīng)允許電容器以非常短的引線長(zhǎng)度靠近電路板安裝。對(duì)于通孔電容器，應(yīng)盡可能靠近電路板表面修剪多余的引線。

電容器周圍有一個(gè)影響圈，這意味著緊鄰電容器的引腳和組件將被有效地去耦，而那些遠(yuǎn)離電容器的組件將受到的影響較小。這種特性在圖 2 中建模。

電容器相對(duì)于元件

的放置 去耦電容器應(yīng)盡可能靠近被去耦的元件放置。無需為器件上的每個(gè) Vcc 提供單獨(dú)的電容器，但去耦電容器應(yīng)牢固連接到兩個(gè)平面，從而為器件上的所有電源和接地引腳提供一條短的導(dǎo)電路徑。相對(duì)于組件而言，最佳放置位置是電路板的背面，以器件為中心，如圖 3 所示。

使用具有不同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的

電容器當(dāng)在同一塊板上使用不同值和不同類型的電容器且彼此靠近時(shí)，兩個(gè)電容器可能開始相互作用。對(duì)于不同的頻率響應(yīng)，兩個(gè)電容器將以不同的時(shí)間響應(yīng)電壓尖峰，結(jié)果是兩個(gè)電容器之間的內(nèi)部電壓出現(xiàn)瞬時(shí)差異。然后，兩個(gè)電容器可以通過在它們之間通過其特征串聯(lián)電感器傳遞電荷而開始振蕩，如圖 4 所示。最終結(jié)果將是發(fā)生的有效去耦減少，并且可能會(huì)在電路板上增加噪聲源。

要正確解耦 IDT 的雙密度部件，請(qǐng)執(zhí)行以下操作：

選擇滿足組件需要的電容器。0.1 μF 陶瓷是一個(gè)很好的起點(diǎn)。在電路板上其他地方具有良好的低頻去耦但遇到高頻噪聲的情況下，0.01 μF 陶瓷可能更好。

為獲得最佳效果，每個(gè) IC 至少使用一個(gè)電容器。在嘈雜的情況下可能需要更多，而在仔細(xì)放置組件和電容器的情況下可能需要更少。

將電容器盡可能靠近組件放置。在板的背面是最好的。兩端的組件也不錯(cuò)。

確保組件上的所有接地引腳與電容器之間連接良好。這應(yīng)該以設(shè)備下方的實(shí)心接地平面的形式出現(xiàn)。Vcc 引腳也是如此

如果可能，將電容器放置在組件和電路板上的電源入口點(diǎn)之間

在危急情況下，可以使用兩個(gè)或多個(gè)不同值的電容器。在這種情況下，選擇較大的電容器以提供低頻穩(wěn)定性，并選擇較小的電容器以提供與較高頻率的串聯(lián)諧振。示例可能是 0.1 μF 或 1 μF 陶瓷以及 0.001 μF 或 0.01 μF

如果使用不同內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電容器，它們不應(yīng)彼此靠近放置。彼此靠近的不同類型的電容器可能會(huì)在它們之間產(chǎn)生共振，從而抵消使用兩個(gè)電容器的任何積極影響。

編輯：hfy