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霍爾效應集成電路如何提供非介入式電流感測技術(shù)

電子設計 ? 來源:eeweb ? 作者:Allegro Microsystems ? 2021-05-05 08:46 ? 次閱讀
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本文討論了霍爾效應集成電路如何提供非介入式電流感測技術(shù)以及對高電流水平的安全,隔離的檢測,而不會耗散與電阻式電流感測方法相關(guān)的大量浪費的功率(以及由此產(chǎn)生的熱量)。此外,霍爾效應電流感測可提供載流導體的電隔離。因此,為電路,操作員等提供了安全的環(huán)境。

霍爾效應傳感器IC的激增電流檢測應用仍在繼續(xù);變得更加多樣化;此外,隨著其他設計師努力保護系統(tǒng),制造更可靠的“防彈”設備以及解決任何安全問題,該產(chǎn)品也不斷擴展和壯大。

背景與介紹

霍爾效應的發(fā)現(xiàn)可以追溯到1879年。然而,埃德溫·霍爾(Edwin H. Hall)發(fā)現(xiàn)的任何有意義的應用都在等待1960年代后期首次出現(xiàn)的半導體集成。隨后,進一步的發(fā)展(特別是1990年代的發(fā)展)得到了進一步發(fā)展,功能集成更加全面,并且擴展了一系列針對特定用途的霍爾傳感器IC類型。然而,磁傳感器電子技術(shù)的不懈進步繼續(xù)激增了對用于感測/檢測運動,方向,位置以及測量/監(jiān)視電流的低成本,可靠和“非接觸式”霍爾效應電路的需求。

霍爾效應傳感器IC(特別是比例線性)是用于“開環(huán)”電流感測設計的一流設備。但是,可能實現(xiàn)的操作范圍,精度和精度,頻率響應等存在一些限制。由于許多潛在用戶都不了解和/或忽略了使用霍爾效應IC的電流檢測技術(shù)的優(yōu)點或缺點,因此本文致力于全面討論“非侵入式”電流檢測的基本技術(shù)?,F(xiàn)已提供帶有硅霍爾效應器件(HED)的產(chǎn)品。

如果不使用開槽的環(huán)形線圈來集中(并聚焦)感應通量場,大多數(shù)霍爾效應電流感測要求都不會產(chǎn)生足夠的磁場。低至適中的電流(<≈15安培)需要在開槽的環(huán)形線圈(鐵芯)上纏繞足夠的匝數(shù),以感應出可用的磁通強度并產(chǎn)生合適的信號電壓。較高的電流水平(> 15至20安培)會感應出磁場強度,從而使載流導體直接穿過環(huán)形線圈的中心(在這些較高電流下無需轉(zhuǎn)彎)。

使用線性霍爾效應傳感器IC的設計需要廣泛(或連續(xù))的電流范圍要求。但是,數(shù)字HED可以提供過電流保護和/或故障檢測設計。電流感應技術(shù),設備參數(shù),溫度穩(wěn)定性以及霍爾效應電流感應的其他相關(guān)問題的本質(zhì)的示例和詳細信息在本論文中涵蓋了用于感應交流和直流電流的HED。

編輯:hfy

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