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SiC MOSFET的雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:powerelectronicsnews ? 作者:powerelectronicsnews ? 2021-04-07 16:32 ? 次閱讀
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隨著大量使用高效的蓄能器(電池和超級(jí)電容器),趨勢(shì)是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向DC / DC轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長(zhǎng)其使用壽命。

電池供電的便攜式設(shè)備數(shù)量的增加在當(dāng)今的生活方式中起著重要作用。這種趨勢(shì)還取決于高能量存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級(jí)電容器。這些蓄能器連接到可再生能源系統(tǒng)(太陽(yáng)能和風(fēng)能),以收集和存儲(chǔ)能源并將其穩(wěn)定地提供給用戶。某些應(yīng)用需要快速充電/反之亦然。我們將要描述的設(shè)備是雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器。雙向性允許電流發(fā)生器的充電和放電。雙向控制器可為基于汽車雙電池的系統(tǒng)提供出色的性能和簡(jiǎn)便性。對(duì)于降壓和升壓模式使用相同的電路模塊,可以大大降低系統(tǒng)的復(fù)雜性和尺寸。

電氣原理圖

圖1顯示了簡(jiǎn)單但功能齊全的電氣圖。對(duì)稱配置允許用戶選擇四種不同的模式進(jìn)行操作。它由四個(gè)單相象限組成,它們用作級(jí)聯(lián)的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它包括四個(gè)開關(guān),一個(gè)電感器和兩個(gè)電容器。根據(jù)電子開關(guān)的功能,電路可以降低或升高輸入電壓。開關(guān)元件由UF3C065080T3S SiC MOSFET組成,顯然可以用任何其他器件代替。

pIYBAGBtbRyAfB5NAADTNP0tA7o145.png

圖1:雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的接線圖

四種操作模式

用戶可以通過(guò)簡(jiǎn)單地配置四個(gè)MOSFET的操作來(lái)決定電路的操作。轉(zhuǎn)換器的工作模式如下:

?電池從“ A”降到“ B”,電池在“ A”中,負(fù)載在“ B”中;

?電池從“ A”升至“ B”,電池在“ A”,負(fù)載在“ B”;

?電池從“ B”降到“ A”,電池在“ B”,負(fù)載在“ A”;

?電池在“ B”中,從“ B”升至“ A”,并在“ A”中加載。

在該電路中,SiC MOSFET可以三種不同的方式工作:

?ON,相對(duì)于地為正電壓;

?OFF,電壓等于0V;

?脈動(dòng),方波和50%PWM。頻率應(yīng)根據(jù)工作條件選擇。

基于這些標(biāo)準(zhǔn),SiC MOSFET的功能遵循圖2所示的表格。

pIYBAGBtbSiAXW76AADIpxSlo1w988.png

圖2:四個(gè)SiC MOSFET的工作模式和作用

第一模式:Buck AB

通過(guò)選擇第一模式,電路可作為降壓器工作,即作為其輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。該電路也稱為“降壓”。為了進(jìn)行操作,必須將電壓發(fā)生器連接在A側(cè),將負(fù)載連接在B側(cè)。負(fù)載的效率取決于所用的MOSFET。它們的配置如下:

?SW1:以10 kHz方波頻率進(jìn)行切換;

?SW2:關(guān)閉,即打開;

?SW3:關(guān)閉,即打開;

?SW4:關(guān)閉,即打開。

圖3中的曲線圖顯示了Buck AB模式下的輸入和輸出電壓。輸入電壓為12 V,輸出端存在約9 V的電壓。因此,該電路可用作降壓器。選擇的開關(guān)頻率為10 kHz。連接到輸出的負(fù)載為22 Ohm,耗散約4W。

pIYBAGBtbTiAbabIAADd3BMeeTA063.png

圖3:該圖顯示了Buck AB模式下的輸入和輸出電壓

第二種模式:Boost AB

電路的第二模式提供了作為升壓器的操作,即作為其輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器的操作。該電路也稱為“升壓”。為了運(yùn)行,電壓發(fā)生器必須連接在A側(cè),負(fù)載在B側(cè)。負(fù)載的效率取決于所用的MOSFET。它們的配置如下:

?SW1:ON,即關(guān)閉(門供電);

?SW2:關(guān)閉,即打開;

?SW3:關(guān)閉,即打開;

?SW4:以10 kHz方波頻率進(jìn)行切換。

圖4中的曲線圖顯示了Boost AB模式下的輸入和輸出電壓。輸入電壓為12 V,輸出端存在約35 V的電壓。因此,該電路可用作升壓器。選擇的開關(guān)頻率為10 kHz。連接到輸出的負(fù)載為22歐姆,耗散約55W。

o4YBAGBtbUaAP_UQAAEnSeohu7E629.png

圖4:該圖顯示了Boost AB模式下的輸入和輸出電壓

第三種模式:Buck BA

在第三模式中,電路再次作為降壓器工作,即作為其輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。為了進(jìn)行操作,必須將電壓發(fā)生器連接在B側(cè),將負(fù)載連接在A側(cè)。負(fù)載的效率取決于所用的MOSFET。它們的配置如下:

?SW1:關(guān)閉,即打開;

?SW2:關(guān)閉,即打開;

?SW3:以100 kHz的方波頻率進(jìn)行切換;

?SW4:關(guān)閉,即打開。

圖5中的曲線圖顯示了Buck BA模式下的輸入和輸出電壓。輸入電壓為24 V,而輸出電壓約為6.6V。因此,該電路可用作降壓器。選擇的開關(guān)頻率為100 kHz。連接到輸出的負(fù)載為10歐姆,耗散約4.4W。

o4YBAGBtbVSAXYivAACuKt9bW_w984.png

圖5:該圖顯示了Buck BA模式下的輸入和輸出電壓

第四種方式:Boost BA

電路的第四模式提供了升壓操作,即,其輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。該電路也稱為“升壓”。為了運(yùn)行,電壓發(fā)生器必須在B側(cè)連接,負(fù)載在A側(cè)。負(fù)載的效率取決于所用的MOSFET。它們的配置如下:

?SW1:關(guān)閉

?SW2:以100 kHz的方波頻率進(jìn)行切換;

?SW3:ON,即關(guān)閉(門供電);

?SW4:關(guān)閉。

圖6中的曲線圖顯示了Boost BA模式下的輸入和輸出電壓。該示例的輸入電壓為18 V,輸出端存在約22 V的電壓。因此,該電路可用作升壓器。選擇的開關(guān)頻率為100 kHz。連接到輸出的負(fù)載為22 Ohm,耗散約22W。

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圖6:該圖顯示了Boost BA模式下的輸入和輸出電壓

結(jié)論

電路的效率取決于許多因素,首先是所使用的MOSFET的Rds(on),以使電流更容易通過(guò)(請(qǐng)參見圖7)。配備有四個(gè)電源開關(guān)的此類電路需要進(jìn)行嚴(yán)格的安全檢查。如果SW1和SW2(或SW3和SW4)同時(shí)處于ON狀態(tài),則可能會(huì)造成短路,從而損壞組件。

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圖7:Boost AB模式下電感器上脈動(dòng)電壓和電流的曲線圖

編輯:hfy

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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