在日前召開(kāi)的ECOC 2020上，NOEIC和中信科聯(lián)合發(fā)布其在超高速硅光芯片技術(shù)方向取得的重大進(jìn)展，首次利用硅光微環(huán)調(diào)制器產(chǎn)生了200 Gb／s PAM4光信號(hào)，并成功實(shí)現(xiàn)2km單模光纖傳輸，該成果為下一代800G光模塊和共封裝光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技術(shù)方案。

ECOC（歐洲光纖通訊展覽會(huì)）的PDP文章（post－deadline paper，在截稿日期之后被接收的論文）旨在發(fā)布光通信領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展和紀(jì)錄性成果，代表著業(yè)內(nèi)當(dāng)前最高技術(shù)水平。本屆會(huì)議僅有7篇，而國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）的論文是唯一關(guān)于光芯片類的PDP文章，也是唯一一個(gè)完全依托中國(guó)單位和研究人員完成的工作。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等的快速發(fā)展，下一代數(shù)據(jù)中心光互連亟需將單通道速率從當(dāng)前的100Gb／s升級(jí)到200Gb／s。而本工作中的超高速硅基微環(huán)調(diào)制器由于具有高帶寬、小尺寸、低驅(qū)動(dòng)電壓和低功耗等眾多優(yōu)點(diǎn)，為下一代低成本、低功耗的高速光互連提供了非常有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

此次NOEIC和中國(guó)信科的研發(fā)人員基于帶寬大于67GHz（受限于測(cè)試設(shè)備，外推帶寬為79GHz）的硅基微環(huán)調(diào)制器，結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的奈奎斯特整形和自適應(yīng)均衡算法，成功演示了單通道120Gb／s OOK和200Gb／s PAM4高速光信號(hào)的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了目前國(guó)際上速率最高的硅光調(diào)制器。

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