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淺談電路保護(hù)三種常見的防護(hù)器件簡述與比較

GLeX_murata_eet ? 來源:21ic電子技術(shù)論壇 ? 作者: JKSEMI ? 2021-04-28 16:32 ? 次閱讀
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電路保護(hù)主要有兩種形式:過壓保護(hù)和過流保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)碾娐繁Wo(hù)器件是實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路保護(hù)設(shè)計的關(guān)鍵,涉及到電路保護(hù)器件的選型,我們就必須要知道各電路保護(hù)器件的作用。在選擇電路保護(hù)器件的時候我們要知道保護(hù)電路不應(yīng)干擾受保護(hù)電路的正常行為,此外,其還必須防止任何電壓瞬態(tài)造成整個系統(tǒng)的重復(fù)性或非重復(fù)性的不穩(wěn)定行為。

電路保護(hù)最常見的器件有三:GDT、MOV和TVS。

01GDT陶瓷氣體放電管

在正常的工作條件下,一只GDT的并聯(lián)阻抗約為1TΩ ,并聯(lián)電容為1pF以下。當(dāng)施加在GDT兩端的電勢低于氣體電離電壓(即“輝光”電壓)時,GDT的小漏電流(典型值小于1 pA)和小電容幾乎不發(fā)生變化。一旦GDT達(dá)到輝光電壓,其并聯(lián)阻抗將急劇下降,從而電流流過氣體。不斷增加的電流使大量氣體形成等離子體,等離子體又使該器件上的電壓進(jìn)一步降低至15V左右。當(dāng)瞬變源不再繼續(xù)提供等離子電流時,等離子體就自動消失。GDT的凈效果是一種消弧作用,它能在1ms內(nèi)將瞬變事件期間的電壓限制在大約15V以下。GDT的一個主要優(yōu)點(diǎn)是迫使大部分能量消耗在瞬變的源阻抗中,而不是消耗在保護(hù)器件或被保護(hù)的電路中。GDT的觸發(fā)電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極間隔、氣體類型以及氣體壓力共同確定。該器件可以承受高達(dá)20 kA的電流。

GDT有單極和三極兩種形式。三極GDT是一個看似簡單的器件,能在大難臨頭的關(guān)鍵時刻保持一個差分線對的平衡:少許的不對稱可以使瞬變脈沖優(yōu)先耦合到平衡饋線的某一側(cè),因而產(chǎn)生一個巨大的差分信號。即使瞬變事件對稱地發(fā)生在平衡饋線上,兩個保護(hù)器件響應(yīng)特性的微小差別也會使一個破壞性的脈沖振幅出現(xiàn)在系統(tǒng)的輸入端上。三極GDT在一個具有共用氣體容積的管內(nèi)提供一個差分器件和兩個并聯(lián)器件。造成一對電極導(dǎo)通的任何條件都會使所有三個電極之間導(dǎo)通,因?yàn)闅怏w的狀態(tài)(絕緣狀態(tài)、電離狀態(tài)或等離子狀態(tài))決定了放電管的行為。

02MOV壓敏電阻

它是一種是隨電壓而變化的非線性電阻器。燒結(jié)的金屬氧化物形成一種猶如兩個背對背串接的齊納二極管的結(jié)構(gòu)。在正常工作情況下,MOV的典型漏電流為10 mA量級,并聯(lián)電容約為45 pF。電壓升高到超過MOV閾值,就會使其中一個分布式齊納二極管產(chǎn)生雪崩,因而使該器件對被保護(hù)的節(jié)點(diǎn)進(jìn)行箝位。不斷增加的電流最終使器件兩端的電壓上升——這是大多數(shù)批量材料都有的一個限制因素。

作為一種箝位器件,MOV能大量吸引瞬變能量,而氣體放電管則將瞬變能量耗散在瞬變源阻抗以及瞬變源與被保護(hù)節(jié)點(diǎn)之間的電阻中。在容許MOV的漏電和并聯(lián)電容的應(yīng)用場合(如電源、POTS和工業(yè)傳感器),MOV可配合GDT,對閃電引起的瞬變進(jìn)行良好的二次防護(hù),因?yàn)镸OV的觸發(fā)速度要比氣體等離子體避雷器快一個數(shù)量級。反復(fù)出現(xiàn)的過熱應(yīng)力的累積會使MOV過熱,降低其性能。因此,務(wù)必仔細(xì)分析你打算支持的瞬變規(guī)范,確定你要求MOV吸收的總能量和最壞情況下的瞬變重復(fù)率,保守地制定器件的規(guī)格。

03TVS瞬變電壓抑制器

一個TVS的并聯(lián)電容通常只有幾十皮法,但有些新的TVS的并聯(lián)電容增加了不到10 pF。電壓最低的TVS,其漏電流往往為100mA以上,而工作電壓為12V以上的TVS,其漏電流則為5mA以下。

當(dāng)前TVS的發(fā)展趨勢是提高集成度,支持高密度便攜設(shè)備。在芯片尺寸封裝中包含多個器件,使節(jié)點(diǎn)間隙更好地匹配被保護(hù)的IC或接口連接器。集成的TVS與EMI濾波器可在一個封裝內(nèi)完成兩個關(guān)鍵任務(wù),并可簡化通過I/O口布放總線的工作。多個TVS封裝因其小巧而成為高密度組件中最常見的保護(hù)器件。

04GDT/MOV/TVS的比較

壓敏電阻的響應(yīng)時間為ns級,比空氣放電管快,比TVS管稍慢一些,一般情況下用于電子電路的過電壓保護(hù)其響應(yīng)速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千Pf的數(shù)量級范圍,很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護(hù)中,應(yīng)用在交流電路的保護(hù)中時,因?yàn)槠浣Y(jié)電容較大會增加漏電流,在設(shè)計防護(hù)電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大,但比氣體放電管小。具體可分為以下四點(diǎn):

在反應(yīng)時間上,壓敏電阻介于TVS管和氣體放電管之間,TVS管為皮秒級,壓敏電阻略慢,為納秒級;而氣體放電管最慢,通常為幾十個納秒甚至更多。

在通流容量上,壓敏電同樣介于TVS管和氣體放電管之間,TVS管通常只有幾百A;而壓敏電阻按不同規(guī)格,可通過數(shù)KA到數(shù)十KA的單次8/20μS浪涌電流;而對于氣體放電管來說通常10KA級別8/20μS浪涌電流可導(dǎo)通數(shù)百次。

從原理上看,TVS管基于二極管雪崩效應(yīng);壓敏電阻器基于氧化鋅晶粒間的勢壘作用;而氣體放電管則是基于氣體擊穿放電。

在電壓范圍方面,TVS管通常為5.5V到550V;壓敏電阻的范圍較寬,可從10V到9000V;而氣體放電管可從75V到3500V。

這三種器件各有各的絕技,如何選擇,就看你想要防止的損害是什么了,而且在具體的防護(hù)方案設(shè)計時,并沒有規(guī)定說只能選擇一種防護(hù)器件。FAE工程師完全可以根據(jù)實(shí)際的防護(hù)應(yīng)用,將這三大主力電路保護(hù)器件組合使用,相信其疊加的防護(hù)能力一定優(yōu)于單獨(dú)使用的防護(hù)等級。舉個例子:在電源系統(tǒng)的防雷保護(hù)電路中,采用壓敏電阻與陶瓷氣體放電管配合使用的方案很多,特別是在鐵路、通信系統(tǒng)已被廣泛使用。壓敏電阻與陶瓷氣體放電管配合使用的保護(hù)電路盡管有許多優(yōu)點(diǎn),例如:降低殘壓、控制壓敏電阻的劣化等,但在使用過程中如果電路設(shè)計或元件選型存在問題,可能會導(dǎo)致保護(hù)電路出現(xiàn)燃燒、爆炸等故障,影響系統(tǒng)的正常運(yùn)行,因此在選型環(huán)節(jié),工程師一定要進(jìn)行多次模擬測試,從而實(shí)現(xiàn)防護(hù)方案的可靠性和實(shí)用性。
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原文標(biāo)題:電路保護(hù)三種常見的防護(hù)器件對比

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