電腦之家

現(xiàn)在的手機(jī)承載了越來越多的功能，已經(jīng)成為了具備多傳感器的平臺。

如今出門你可以不帶錢包、但一定要帶上手機(jī)。從手機(jī)的發(fā)展歷程來看，不只是像之前2G時代簡單地用于通話，做一些信息的傳輸；到3G時代增加了一些交互的功能，有了一些簡單的游戲；到了4G時代給我們的生活帶來了更多的便利，讓我們的交互變得更為流暢，更為友好，更為實(shí)時通訊。未來，5G技術(shù)的引入和深化應(yīng)用，也將帶給人們前所未有的移動端體驗(yàn)。

近日，西部數(shù)據(jù)全新發(fā)布了針對5G移動手機(jī)的移動存儲解決方案——西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，作為西部數(shù)據(jù)旗下第二代UFS 3.1存儲解決方案，旨在為消費(fèi)者提供了超高分辨率相機(jī)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用所需的高性能存儲。

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件

在發(fā)布會現(xiàn)場，西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳和西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅對這款全新的產(chǎn)品進(jìn)行了詳細(xì)的分享和介紹。據(jù)文芳介紹，就目前的5G速率而言，大概會在1GB/s的傳輸速度。未來市場分析，到2024年5G的速度大概會達(dá)到2GB/s的。在WiFi上，目前是WiFi6/6E的標(biāo)準(zhǔn)，在2024年大概會到WiFi 7的標(biāo)準(zhǔn)，整體的速率都會接近2GB/s。

右為西部數(shù)據(jù)中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳；左為西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅

“如果傳輸?shù)乃俣仍絹碓礁撸瑒荼厥且獙κ謾C(jī)的應(yīng)用提出更多要求。如果單單只有高速率，但是產(chǎn)品做不到這么高速率的交互，那也是沒有意義的。所以，為什么現(xiàn)在推進(jìn)手機(jī)的革新，不管是針對芯片上的處理器還是我們的存儲器，大家都對它提出了更高的要求，每一家公司也都積極地在配合速率的提高給客戶帶來更好的使用體驗(yàn)?！?/p>

文芳表示，在順序?qū)懭敕矫?，現(xiàn)在用戶應(yīng)用大概用不到1GB/s，但西部數(shù)據(jù)最新的產(chǎn)品已經(jīng)到了2GB/s。“為什么我們把速率放到這么高，其實(shí)我們做了很大的冗余，來支持隨后5G更快地發(fā)展。到2024年，5G技術(shù)真的跑到2GB的時候，確保我們的產(chǎn)品還是適用于當(dāng)下的產(chǎn)品應(yīng)用?！?/p>

從存儲性能來看，相比前一代產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件有了更多的改進(jìn)和性能上的提升。據(jù)文芳介紹，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的速度更快、延時更短、容量最高可達(dá)512GB。該產(chǎn)品旨在滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，并采用基于西部數(shù)據(jù)第七代SmartSLC的領(lǐng)先的Write Booster 技術(shù)。產(chǎn)品還支持Host Performance Booster 2.0版本，進(jìn)一步融合了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的全新進(jìn)展。

從具體的讀寫性能來看，主要有以下幾個提升：

隨機(jī)讀取性能提升約100%，隨機(jī)寫入性能提升約40%，有助于支持混合工作負(fù)載體驗(yàn)，例如同時運(yùn)行多個應(yīng)用。

順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，有助于達(dá)到新的5G和Wi-Fi 6的下載速度，讓用戶在下載8K視頻等富媒體文件時擁有更卓越的體驗(yàn)，并提高連拍模式等應(yīng)用的性能。

順序讀取性能提升約30%，通過縮短啟動時間以更快啟動應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)更快的上傳速度。

西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅解釋道，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品性能提升主要得益于三個方面，一個是NAND array上面的提升，讓讀寫速率變得更高，另一個對于NAND介質(zhì)上外圍電路做了優(yōu)化，第三是采用了西部數(shù)據(jù)自研的主控，包括制程、速度和內(nèi)部的RAM很多的設(shè)計(jì)，使這個產(chǎn)品都做了統(tǒng)一的提升。

總結(jié)來說，這款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品在性能方面具有顯著優(yōu)勢，還配備UFS 3.1接口，容量涵蓋了從128GB到512GB，11.5×13毫米的封裝能夠順應(yīng)現(xiàn)在大多手機(jī)客戶對封裝的要求。

宋學(xué)紅繼續(xù)介紹道，這款產(chǎn)品還強(qiáng)化了西部數(shù)據(jù)的健康報告功能，可以幫助客戶在現(xiàn)場排除一些設(shè)備的問題，包括產(chǎn)品出廠以后，在客戶端其實(shí)客戶們也可以看到我們存儲器磨損的情況，來做到及時管理。在工作溫度范圍上，這款產(chǎn)品是-25度到85度，可以應(yīng)用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境的。同時，這款產(chǎn)品是在雙電壓的環(huán)境下運(yùn)行的，核心電壓是在2.4V到2.7V，還有個I/O電壓在1.14V到1.26V運(yùn)作。同時還有個熱保護(hù)的功能，在器件過熱的時候數(shù)據(jù)會在安全模式下運(yùn)行，這樣的話可以保證用戶數(shù)據(jù)財(cái)產(chǎn)的安全。

“西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還有HPB 2.0的一個主機(jī)性能加速器，跟主機(jī)有很強(qiáng)的配合的，首先是要求主機(jī)能支持這個功能，這塊我們在寫入一些地址時以便于它更快地對芯片進(jìn)行操作?！?/p>

西部數(shù)據(jù)全新推出的高性能移動存儲解決方案，離不開其在閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。據(jù)介紹，在閃存領(lǐng)域，西部數(shù)據(jù)不僅擁有產(chǎn)能優(yōu)勢，還攜手業(yè)界合作伙伴鎧俠不斷實(shí)現(xiàn)突破創(chuàng)新。

今年，西部數(shù)據(jù)也聯(lián)合鎧俠推出了第六代162層3D NAND閃存技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，程序性能可提高近 2.4 倍，讀取延遲減少約 10%，I/O 性能也提高了約 66%，使得下一代接口能夠滿足不斷增長的對更高傳輸速率的需求。新的 3D 閃存技術(shù)降低了單位成本，并使每個晶圓的制造位增加了高達(dá) 70%。西部數(shù)據(jù)與鎧俠將持續(xù)推動創(chuàng)新，以確保實(shí)現(xiàn)持續(xù)擴(kuò)展，從而滿足用戶及其多樣化應(yīng)用的需求。

未來，西部數(shù)據(jù)的領(lǐng)先閃存技術(shù)將進(jìn)一步應(yīng)用到更廣泛的領(lǐng)域，例如VR，汽車等等，以全新的閃存技術(shù)賦能未來5G時代下各行各業(yè)的蓬勃發(fā)展。

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