芯片制造四大基本工藝包括：芯片設(shè)計(jì)、FPGA驗(yàn)證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等，晶片制作過(guò)程最為復(fù)雜，需經(jīng)過(guò)濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積、電鍍處理、化學(xué)/機(jī)械表面處理、晶圓測(cè)試等過(guò)程。

一般來(lái)說(shuō)， 在光刻過(guò)程中要先對(duì)整個(gè)襯底先加入Photo-resist物質(zhì)，用干蝕刻把需要P-well的地方也蝕刻出來(lái)，后端處理主要是用來(lái)布線以達(dá)到部分消除寄生電容的目的，步驟跟傳統(tǒng)工藝基本一致。

最后再利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層，形成 NMOS 的源漏極進(jìn)行退火處理保證整個(gè) Chip 的完整和連線的連接性，按照需求去制作成各種不同的封裝形式即可。