18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)

華林科納hlkn ? 來(lái)源:華林科納hlkn ? 作者:華林科納hlkn ? 2022-02-23 17:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

摘要

高效指間背接觸太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積,需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況下也能保持20%的效率。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁本工作采用光刻和刻蝕技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行深度刻蝕,使晶圓厚度小于20μm。

關(guān)鍵詞:IBC太陽(yáng)能電池,掩模蝕刻,光刻,反應(yīng)離子蝕刻,TMAH蝕刻

介紹

太陽(yáng)能顯示出供應(yīng)潛力,這個(gè)因素取決于對(duì)高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)以與化石燃料競(jìng)爭(zhēng)的成本生產(chǎn)足夠數(shù)量的能源。這個(gè)因素取決于對(duì)高效率光伏器件和降低制造成本的需求。據(jù)報(bào)道,太陽(yáng)能電池的效率在規(guī)模上高于20%。商用太陽(yáng)能電池使用晶體硅材料。這種類(lèi)型的PV電池是指間背接觸太陽(yáng)能電池。

實(shí)驗(yàn)

ea705bc49be345c99ac515ac7e84e650?from=pc

poYBAGIWAcqAbJE9AAFGp1mjwaA720.png?from=pc

6660c68a78cb44d888e9083c48614cd9?from=pc

c9cf162195024538b3de2eaab98ef286?from=pc

審核編輯:符乾江

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253651
  • 蝕刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    426

    瀏覽量

    16420
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    TSV工藝中的硅晶圓與銅平坦化技術(shù)

    本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓與銅平坦化。 硅晶圓與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:35 ?1227次閱讀
    TSV<b class='flag-5'>工藝</b>中的硅晶圓<b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>與銅平坦化<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程

    晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?661次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>蝕刻</b>擴(kuò)散<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過(guò)程中的常用摻雜技術(shù)

    半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過(guò)程中,精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵,而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成這一目標(biāo)的核心技術(shù)手段。下面將從專(zhuān)業(yè)視角詳細(xì)解析這三種技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 07-02 10:17 ?1051次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>硅片</b>生產(chǎn)過(guò)程中的常用摻雜<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    精密傳感技術(shù)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體未來(lái):明治傳感器在CMP/量測(cè)/機(jī)的應(yīng)用

    半導(dǎo)體制造向納米級(jí)精度持續(xù)突破的進(jìn)程中,精密傳感器已成為設(shè)備性能的“神經(jīng)末梢”。作為工業(yè)傳感領(lǐng)域的代表品牌,明治的傳感器憑借在極端工況下的穩(wěn)定性與測(cè)量精度,深度嵌入半導(dǎo)體三大核心設(shè)備——晶圓
    的頭像 發(fā)表于 06-17 07:33 ?725次閱讀
    精密傳感<b class='flag-5'>技術(shù)</b>驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>未來(lái):明治傳感器在CMP/量測(cè)/<b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>機(jī)的應(yīng)用

    晶圓工藝分為哪幾步

    ”,也叫 Back Grinding(BG),是將晶圓(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過(guò)程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即晶圓仍然整體時(shí)),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:38 ?1298次閱讀

    對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

    前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中,晶圓需要具備足夠的厚度,以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍,但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行,直至芯片前制程
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:58 ?833次閱讀
    <b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

    半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

    半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測(cè)試和包裝出庫(kù),涵蓋了前段(FOL)、中段(EOL)、電
    的頭像 發(fā)表于 05-08 15:15 ?3141次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝<b class='flag-5'>工藝</b>流程的主要步驟

    半導(dǎo)體清洗SC1工藝

    半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過(guò)氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:22 ?3201次閱讀

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章
    發(fā)表于 04-15 13:52

    什么是高選擇性蝕刻

    華林半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過(guò)化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材
    的頭像 發(fā)表于 03-12 17:02 ?616次閱讀

    華林半導(dǎo)體PTFE隔膜泵的作用

    特性,使其在特殊工業(yè)場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。以下是華林半導(dǎo)體對(duì)其的詳細(xì)解析: 一、PTFE隔膜泵的結(jié)構(gòu)與工作原理 結(jié)構(gòu) :主要由PTFE隔膜、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(氣動(dòng)、電動(dòng)或液壓)、泵腔、進(jìn)出口閥門(mén)
    的頭像 發(fā)表于 03-06 17:24 ?480次閱讀
    <b class='flag-5'>華林</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>PTFE隔膜泵的作用

    背金工藝工藝流程

    。 ? 2,grinding :將硅片背面研磨,到適宜厚度,采用機(jī)械拋光的方法 ? 3,Si etch:在背面之后,
    的頭像 發(fā)表于 02-12 09:33 ?1508次閱讀
    背金<b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    減少碳化硅紋路的方法

    碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過(guò)程中,碳化硅片是一個(gè)重要環(huán)
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:51 ?392次閱讀
    減少<b class='flag-5'>減</b><b class='flag-5'>薄</b>碳化硅紋路的方法

    芯片濕法蝕刻工藝

    芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù),主要用于通過(guò)化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。 基本概念 濕法蝕刻是一種將
    的頭像 發(fā)表于 12-27 11:12 ?1261次閱讀

    半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

    什么是刻蝕?刻蝕是指通過(guò)物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻半導(dǎo)體制造及微加工工藝中相當(dāng)重要的步
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:03 ?1301次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>濕法和干法刻蝕