Device Studio（簡稱：DS）作為鴻之微的材料設(shè)計與仿真軟件，能夠進行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與仿真；能夠進行晶體結(jié)構(gòu)和納米器件的建模；能夠生成科研計算軟件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的輸入文件并進行存儲和管理；可以根據(jù)用戶需求，將輸入文件傳遞給遠程或本地的計算機進行計算，并控制計算流程；可以將計算結(jié)果進行可視化顯示和分析。

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實例之DS-PAW應(yīng)用實例下半部分的內(nèi)容，本期將介紹Device Studio應(yīng)用實例之BDF應(yīng)用實例上半部分的內(nèi)容。

8.11.BDF實例

BDF（Beijing Density Functional）是一個獨立完整、具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的量子化學(xué)計算軟件包。也是國際上第一個基于現(xiàn)代密度泛函理論、能準確計算分子體系基態(tài)總能量的完全相對論密度泛函程序（早期的類似程序因數(shù)值積分精度太差不能準確計算總能量）。

BDF官方用戶手冊網(wǎng)址為：https://bdf-manual.readthedocs.io/zh_CN/latest/index.html

BDF的研發(fā)團隊信息：

• 國際量子分子科學(xué)院院士劉文劍研發(fā)團隊.

• 鴻之微研發(fā)團隊、服務(wù)團隊。

圖8.11-1: BDF軟件特色圖

BDF軟件特色：

7.自旋匹配開殼層含時密度泛函方法。

8.基態(tài)與激發(fā)態(tài)旋軌耦合計算。

以基態(tài)分子CH2S完成sf-X2C/TDDFT-SOC的自旋軌道耦合計算為例來詳細描述 BDF 在Device Studio中的應(yīng)用。

8.11.1.BDF的發(fā)展史

BDF 的研發(fā)始于1993年，并于1997年正式命名。最初的想法是對稀土、錒系、過渡金屬、超重元素等小分子體系進行高精度計算，考察這些體系中的相對論效應(yīng)，因此一開始就采用基于Dirac算符的完全相對論密度泛函理論（4C-DFT）和近乎完備的基函數(shù)“數(shù)值基+STO”（Slater-type orbital）。正因為如此，BDF對稀土、錒系、超重元素的計算結(jié)果一直被作為檢驗其他近似相對論方法的基準。BDF對重元素體系電子、分子結(jié)構(gòu)的計算結(jié)果被后續(xù)20余個實驗驗證。

2009年開始引入基于高斯基的解析積分，BDF 進入一個新的發(fā)展階段。

毋庸諱言，BDF 一開始就定位于發(fā)展新理論、新方法和新算法的平臺，因此是一款“科研軟件”?；?BDF 發(fā)展的理論和方法包括：相對論含時密度泛函理論（4C/ZORA/X2C-TDDFT）、精確二分量（X2C）相對論理論、準四分量（Q4C）相對論理論、自旋分離的X2C相對論理論（sf-X2C+so-DKHn）、多體有效量子電動力學(xué)（eQED）、相對論核磁理論（4C/X2C-NMR）、相對論核自旋-轉(zhuǎn)動理論（4C-NSR）、相對論能帶理論（X2C-PBC）、X2C解析梯度和Hessian；激發(fā)態(tài)HF/KS方法（mom）；基于“用分子片合成分子”（F2M）思想的軌道局域化方案（FLMO）、亞線性標度含時密度泛函理論（FLMO-TDDFT）、亞線性標度NMR方法（FLMO-NMR）、迭代軌道相互作用“自下而上”自洽場方法（iOI）；自旋匹配開殼層含時密度泛函理論（SA-TDDFT）、自旋反轉(zhuǎn)含時密度泛函理論（SF-TDDFT）、基態(tài)/激發(fā)態(tài)-激發(fā)態(tài)非絕熱耦合含時密度泛函理論（NAC-TDDFT）、含時密度泛函理論解析能量梯度、任意單值/雙值點群對稱化等。

除了上述相對論/非相對論密度泛函、含時密度泛函理論，BDF還有基于“先靜態(tài)再動態(tài)又靜態(tài)”（SDS）思想的波函數(shù)電子相關(guān)方法SDSPT2SDSCI、iCI、iCIPT2、iCAS、iCISCF、SOC-iCI、iCI-SOC，以及直接求解大矩陣內(nèi)部本征態(tài)的iVI方法等等。

鑒于BDF的現(xiàn)狀，首期商業(yè)化版本將以熒/磷光材料發(fā)光機理和材料設(shè)計為主要應(yīng)用目標，因此不包括4C/X2C相對論、波函數(shù)電子相關(guān)、固體能帶/核磁等方法。即首期商業(yè)化的BDF將以DFT、TDDFT為主，包括基態(tài)與激發(fā)態(tài)KS、QM/MM、FLMO-TDDFT、SF-TDDFT、NAC-TDDFT、sf-X2C-SA-TDDFT/SOC、SA-TDDFT解析能量梯度和數(shù)值Hessian、穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和過渡態(tài)優(yōu)化、反應(yīng)路徑優(yōu)化、隱式溶劑化模型、FLMO-NMR、基于局域軌道（FLMO）的性質(zhì)計算和分析等特色功能。

8.11.2.BDF計算流程

BDF在Device Studio中的計算流程如圖8.11-2所示。

圖8.11-2: BDF計算流程

8.11.3.BDF創(chuàng)建項目

雙擊Device Studio圖標快捷方式，登錄并啟動Device Studio，在創(chuàng)建或打開項目界面中(圖5.1-1: 啟動軟件后選擇創(chuàng)建或打開項目的圖形界面)，根據(jù)界面提示選擇創(chuàng)建一個新的項目（Create a new Project）或打開一個已經(jīng)存在的項目（Open an existing Project）的按鈕，選中之后點擊界面中的OK按鈕即可。若選擇創(chuàng)建一個新的項目，用戶可根據(jù)需要給該項目命名，如本項目命名為BDF，或采用軟件默認項目名。

8.11.4.BDF導(dǎo)入結(jié)構(gòu)

在Device Studio的圖形界面中點擊File→Import→Import Local， 則彈出導(dǎo)入BDF結(jié)構(gòu)文件的界面，根據(jù)界面提示找到CH2S.hzw結(jié)構(gòu)文件的位置，選中CH2S.hzw結(jié)構(gòu)文件，點擊打開按鈕則導(dǎo)入CH2S.hzw結(jié)構(gòu)后的Device Studio界面如圖8.11-3所示。在Device Studio中導(dǎo)入結(jié)構(gòu)的其他方法這里不做詳細說明，用戶可參照導(dǎo)入結(jié)構(gòu)節(jié)內(nèi)容。

圖8.11-3: 導(dǎo)入CH2S.hzw結(jié)構(gòu)后的Device Studio圖形界面