UN超低工作電流的開(kāi)關(guān)電源芯片U6113

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開(kāi)關(guān)電源芯片U6113典型值為140uA超低的工作電流，降低了對(duì)于VDD電容大小的要求，同時(shí)也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，U6113利用檢測(cè)流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實(shí)現(xiàn)電流過(guò)零點(diǎn)的檢測(cè)。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開(kāi)始諧振過(guò)程。此過(guò)程中MOSFET的Drain端電壓開(kāi)始下降，同時(shí)會(huì)有一由地到MOSFET Drain端的負(fù)向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時(shí)，會(huì)有一正向電流流經(jīng)Crss 電容。

02

U6113在同一晶元上集成了高壓功率MOSFET和控制器，是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)電源芯片。此外，芯片還集成有高壓?jiǎn)?dòng)電路和無(wú)需輔助繞組的電感電流過(guò)零檢測(cè)電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。U6113 集成有完備的保護(hù)功能以保障系統(tǒng)安全可靠的運(yùn)行，如VDD欠壓保護(hù)功能、逐周期電流限制、過(guò)熱保護(hù)、LED開(kāi)路和短路保護(hù)等。

03

當(dāng)LED開(kāi)路故障發(fā)生時(shí)，系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率開(kāi)始增加而電感電流續(xù)流到零時(shí)間開(kāi)始縮短。當(dāng)電感電流續(xù)流到零的時(shí)間小于5.5us時(shí)，MOSFET停止導(dǎo)通，同時(shí)芯片進(jìn)入到自動(dòng)重啟和VDD振蕩模式。在VDD振蕩模式里，VDD管腳電壓在5.3V和5.8V之間震蕩。當(dāng)VDD振蕩模式持續(xù)4個(gè)周期后，開(kāi)關(guān)電源芯片U6113會(huì)復(fù)位內(nèi)部邏輯并重新開(kāi)始工作，如果故障仍然存在，則再重復(fù)以上過(guò)程，否則系統(tǒng)進(jìn)入到正常工作模式下。

04

開(kāi)關(guān)電源芯片U6113引腳名稱：

1 Drain 內(nèi)部功率 MOSFET 漏極。

2 CS 芯片地，也用作電感峰值電流控制腳。

3 VDD 芯片電源供電。

CS 管腳作為開(kāi)關(guān)電源芯片U6113的參考地，同時(shí)也用來(lái)檢測(cè)電感電流峰值。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，VDD管腳和CS管腳之間的差分電壓開(kāi)始下降，當(dāng)此差分電壓大于峰值電流基準(zhǔn)500mV時(shí)MOSFET關(guān)斷。為了避免MOSFET導(dǎo)通瞬間的噪聲引起錯(cuò)誤檢測(cè)，芯片設(shè)計(jì)有典型值為500ns的前沿消隱時(shí)間，在此時(shí)間內(nèi)逐周期電流限制比較器停止工作且MOSFET不允許關(guān)斷。

審核編輯 ：李倩