18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星GDDR6W面世,直接對標HBM2E的顯存

E4Life ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:周凱揚 ? 2022-12-02 01:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)隨著DDR5的內存開始起量,DDR6的研發(fā)已經(jīng)啟動,LPDDR5X開始普及,LPDDR6已經(jīng)提上日程,DRAM市場可謂瞬息萬變。我們再來看看顯存市場,似乎仍停留在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中,但很明顯沒個幾年時間是出不來的。

GPU市場的顯存選擇

我們再開看看目前GPU市場對于顯存的選擇,AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達則在部分高端消費級GPU上選擇了美光的GDDR6X,數(shù)據(jù)中心GPU上同樣選擇了帶寬更高的HBM2E乃至HBM3。

雖說其中大部分顯存三星也都能生產,甚至三星還在去年推出了帶寬高達24Gbps的業(yè)界最快GDDR6顯存。但無論是產能原因還是兩者之間有何協(xié)議,美光的GDDR6X仍然成了英偉達的選擇。隨著英偉達的RTX40系顯卡一出,三星丟了給英偉達代工GPU的訂單,這代產品換成了臺積電的N4工藝,也少了為其高端產品提供顯存的訂單,輸給了美光。
poYBAGOIfzSAQoV-AAZ0MBwySp4202.png
GDDR6W顯存 / 三星

鑒于GDDR7還比較遙遠,三星決定推出自己的GDDR6加強版,進一步加大自己在GDDR6上的優(yōu)勢,也就有了最新公布的GDDR6W顯存。

比肩HBM2E的性能

高帶寬顯存市場,尤其是在數(shù)據(jù)中心領域,往往還是由HBM主導的,這種從一開始就以大帶寬為目標的內存,已經(jīng)成了各種數(shù)據(jù)中心GPU、AI加速器的首選,比如英偉達的Hopper GPU就集成了80GB的HBM3。

但從成本角度來說,還是現(xiàn)階段的GDDR6更為實惠,所以消費級GPU的首選也都是后者。但如果GDDR6能夠實現(xiàn)與HBM同樣的性能,對于高端消費級GPU和數(shù)據(jù)中心無疑會有巨大的吸引力。

上文中提到的三星24Gbps帶寬的GDDR6顯存,就是基于第三代的10nm級工藝(1z)打造的,也用到了EUV光刻機。而在GDDR6X上,三星用到了他們先進的扇出型晶圓級封裝(FOWLP)技術,通過堆疊原來的GDDR6(x32)DRAM,打造出與其面積一致的GDDR6W(x64)。

三星此次的FOWLP封裝可以說為GDDR6帶來了全面的提升,不僅將16GB的顯存容量提升至了32GB,也將I/O數(shù)從32翻倍至64,實現(xiàn)了雙倍的帶寬。而這一切,居然還是建立在顯存模塊整體高度降低36%的前提下,從GDDR6的1.1mm降低至GDDR6W的0.7mm。
pYYBAGOIfz-AYB2zAAYEzODcV-A254.png
GDDR6W示意圖 / 三星

相較于過去的DRAM+PCB的設計,三星的FOWLP封裝將DRAM裸片直接疊放在晶圓上,使用RDL來實現(xiàn)更精細的布線,而且在沒了PCB后,散熱也得到了改善。從三星給出的數(shù)據(jù)來看,集成8片GDDR6W的顯卡可以實現(xiàn)1.4TB/s的系統(tǒng)帶寬,而集成4片HBM2E的顯卡可以實現(xiàn)1.6TB/s的系統(tǒng)帶寬。雖說性能已經(jīng)接近,但這樣的配置下GDDR6W顯卡的顯存容量應該是要大于HBM2E顯卡的。

另外值得注意的是,三星似乎并沒有把GDDR6W作為面向桌面高端GPU的產品。在其新聞稿中,三星表示將通過與GPU客戶的合作,將GDDR6W的應用擴展到筆記本電腦等小型設備以及用于AI和HPC應用的高性能加速器上,而這些都是講究高能效的場景,可見三星這次對GDDR6W的能耗控制相當自信。

結語

從三星的GDDR6W顯存可以看出,存儲市場也和邏輯芯片一樣,除了繼續(xù)在提高本身的工藝水平以外,走向更先進的封裝來提高密度已經(jīng)是大勢所趨。雖然我們對GDDR6W的成本并不了解,但如果能做到低于HBM2E的話,必將對英偉達、AMD和一眾國產GPU廠商產生不小的吸引力。

但GDDR6W畢竟還是同時用到了EUV光刻機和FOWLP封裝技術,在GDDR6X這種尺寸的顯存下,如果不能控制好功耗和良率的話,還是很難對現(xiàn)有的顯存市場產生沖擊的。因為哪怕HBM和GDDR的單系統(tǒng)性能已經(jīng)接近,最后也還是要回到對功耗散熱上的考量。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 顯存
    +關注

    關注

    0

    文章

    112

    瀏覽量

    14017
  • 三星
    +關注

    關注

    1

    文章

    1720

    瀏覽量

    33558
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    HBM迎頭趕上!國產AI芯片飛躍

    A800和H20之間。 ? 根據(jù)報道,平頭哥PPU采用HBM2e顯存,單卡顯存容量96GB,片間帶寬為700GB/s,采用PCIe5.0×16通道接口,單卡功耗為400W。英偉達A80
    的頭像 發(fā)表于 09-22 07:02 ?1w次閱讀
    <b class='flag-5'>HBM</b>迎頭趕上!國產AI芯片飛躍

    三星 HBM4 通過英偉達認證,量產在即

    開始實現(xiàn)大規(guī)模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價,傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價,
    的頭像 發(fā)表于 08-23 00:28 ?6617次閱讀

    突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導入混合鍵合技術

    成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領軍企業(yè),一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑
    的頭像 發(fā)表于 07-24 17:31 ?389次閱讀
    突破堆疊瓶頸:<b class='flag-5'>三星</b>電子擬于16層<b class='flag-5'>HBM</b>導入混合鍵合技術

    英偉達認證推遲,但三星HBM3E有了新進展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試,正就量產供應展開磋商。當前協(xié)商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右,量產時間預計最早從今年下半年延續(xù)至
    的頭像 發(fā)表于 07-12 00:16 ?3199次閱讀

    三星Q2凈利潤暴跌56%:代工遇冷,HBM業(yè)務受挫

    凈利潤下滑。 在全球智能手機市場,三星是手機市場的領導品牌,也是存儲芯片大廠。但是在AI服務器的HBM市場,三星落后于韓國SK海力士和美光科技。 Futurum統(tǒng)計,全球對HBM的需求
    的頭像 發(fā)表于 07-09 00:19 ?7340次閱讀

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    Galaxy S系列指紋排線、三星Galaxy Note系列指紋排線、三星Galaxy Fold系列指紋排線、三星Galaxy A系列指紋排線、三星
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應

    其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據(jù)推測,三星8層
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:00 ?799次閱讀

    三星電子將供應改良版HBM3E芯片

    三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第季度實現(xiàn)大規(guī)模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GP
    的頭像 發(fā)表于 02-06 17:59 ?923次閱讀

    三星GDDR7顯存技術驅動圖形處理新時代

    從粗糙的像素點陣到精妙的光線追蹤技術,從平面的2D視界躍升至栩栩如生的3D世界,計算機圖形技術持續(xù)飛躍,賦予我們前所未有的震撼視覺盛宴。這一壯麗圖景的幕后推手,正是卓越的圖形處理能力。今天,我們將介紹一位真正的“圖形應用大師”一一三星G
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:43 ?957次閱讀

    英偉達加速認證三星AI內存芯片

    近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于三星HBM3E
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:34 ?887次閱讀

    三星電子計劃新建封裝工廠,擴產HBM內存

    三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產能力。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:44 ?1060次閱讀

    三星擴建HBM生產設施,預計2027年完工

    三星電子公司近日宣布了一項重大投資決策,計劃擴建其位于韓國忠清南道的半導體封裝設施,以提高高帶寬存儲器(HBM)的產量。這一舉措標志著三星HBM市場領域的進一步拓展。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:14 ?904次閱讀

    三星擴建半導體封裝工廠,專注HBM內存生產

    近日,三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎上,再建一座半導體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)等內存產品的生產。據(jù)悉,三星電子將以租賃
    的頭像 發(fā)表于 11-13 11:36 ?1506次閱讀

    三星電子或向英偉達供應先進HBM

    領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉,SK海力士已經(jīng)開始量產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而,對于三星電子來說,向英偉達供應H
    的頭像 發(fā)表于 11-04 10:39 ?678次閱讀