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MCU芯片的Memory Bist設計實戰(zhàn)(一)

全棧芯片工程師 ? 來源:全棧芯片工程師 ? 2023-02-08 16:09 ? 次閱讀
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SRAM的MBIST測試結構如下:

dbefbc0a-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

SRAM的MBIST測試波形:

dbfea2ce-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

SRAM BIST電路完成插入后,需要做一個formal check,保證Mbist插入后,logic function不發(fā)生錯誤改變。Formal check需要注意常量設置,具體參見知識星球的詳細解釋。

dc0dfce2-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

此處分享2個經典問題:

定位1:

dc1ab81a-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

通過trace TDO信號,一直追蹤到SRAM的Q端,發(fā)現Q端數據輸出是X態(tài),通過分析發(fā)現本質上還是時鐘問題,什么問題呢?

就是SRAM MBIST_CLK延時下來剛好和SRAM測試地址TADDR的跳變完全對齊了,造成了SRAM的memory model的建立/保持時間違例,SRAM model在timing違例情況下Q端輸出為X態(tài)。下文具體內容請移步知識星球查看。

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實戰(zhàn)MCU+ISP圖像處理芯片版圖

dc2a1008-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

實戰(zhàn)ISP圖像算法效果

dc3eb3d2-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

審核編輯 :李倩

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原文標題:MCU芯片的Memory Bist設計實戰(zhàn)(一)

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