截至上一篇文章，結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計(jì)算相關(guān)的介紹。接下來(lái)將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認(rèn)及其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格的確認(rèn)工作。本文開(kāi)始將就各種特性的確認(rèn)過(guò)程中可能會(huì)發(fā)生的幾種故障及其對(duì)策進(jìn)行說(shuō)明。此次將首先為大家介紹當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)的情況及故障對(duì)策。

在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)”中，旨在通過(guò)將隔離型PWM反激式AC/DC轉(zhuǎn)換器電路的二次側(cè)改為同步整流方式，達(dá)到保持現(xiàn)有電源規(guī)格的同時(shí)提高效率的目的。此次介紹的不是新設(shè)計(jì)，從某種意義上講是部分變更設(shè)計(jì)，即保持一次側(cè)不變，將二次側(cè)替換為使用了“BM1R00147F”控制器IC的電路。所以，對(duì)于AC/DC轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō)，“驗(yàn)證整個(gè)電路都是正常運(yùn)行的”是非常重要的。

故障①：當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)

受電源IC的DRAIN引腳電壓產(chǎn)生的噪聲影響，有時(shí)可能會(huì)發(fā)生二次側(cè)MOSFET關(guān)斷的誤動(dòng)作。下圖的VGS2顯示了受噪聲影響在比本來(lái)應(yīng)該導(dǎo)通的時(shí)間（虛線波形）短的時(shí)間內(nèi)關(guān)斷的動(dòng)作。

對(duì)策①-1：插入鐵氧體磁珠B1，加大DRAIN引腳連接電阻R1

作為故障①的對(duì)策，“對(duì)策①-1”*是通過(guò)插入浪涌吸收用鐵氧體磁珠B1并加大濾波用電阻R1的值來(lái)防止噪聲引發(fā)誤動(dòng)作的方法。鐵氧體磁珠B1采用在低頻范圍內(nèi)具有高阻抗的產(chǎn)品（比如TDK生產(chǎn)的MPZ1608S102AT等）比較有效。左下圖給出了磁珠的插入位置、應(yīng)調(diào)整的R1及參考值。右下圖為對(duì)策后的工作波形。（*針對(duì)故障①，使用編號(hào)“對(duì)策①-1”來(lái)表示其對(duì)策）

注意事項(xiàng)

如果B1、R1的阻抗過(guò)大，在輕負(fù)載時(shí)二次側(cè)MOSFET可能會(huì)受諧振動(dòng)作影響而導(dǎo)通，因此需要確認(rèn)輕負(fù)載時(shí)的工作情況。下一篇文章將對(duì)該現(xiàn)象及其對(duì)策進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

審核編輯：湯梓紅