18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

首次實(shí)現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性

鴻之微 ? 來源:材料科學(xué)與工程 ? 2023-02-22 18:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

二維磁性半導(dǎo)體是一種兼具鐵磁性和半導(dǎo)體性的材料,有望將信息存儲和邏輯運(yùn)算機(jī)集成為一個單元,是下一代低能耗集成電路、自旋電子學(xué)與部分自旋量子器件的基礎(chǔ)。為此,該研究領(lǐng)域一直被高度關(guān)注。Science雜志編委在創(chuàng)刊125周年之際,提出了125個重要的前沿科學(xué)問題,其中就包括“是否可能制造出室溫下的磁性半導(dǎo)體?”該問題一直是科學(xué)界的巨大挑戰(zhàn)。

近期研究發(fā)現(xiàn),二維范德華材料的磁各向異性是二維長程磁序存在的關(guān)鍵。它可以通過對自旋波譜打開能隙來有效對抗熱擾動,從而在一定的溫度下穩(wěn)定磁性。然而,這些本征的二維鐵磁半導(dǎo)體的居里溫度都遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于室溫,這極大地限制了它們在自旋電子學(xué)領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。因此,尋找新型具有室溫以上磁有序的二維半導(dǎo)體材料對于自旋電子學(xué)的發(fā)展具有重要的意義。

同樣,如何在本征非磁的二維半導(dǎo)體材料中誘導(dǎo)產(chǎn)生磁有序也是近年來自旋電子學(xué)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問題。其中,二維氮化鎵、氮化碳(氮化物)基寬禁帶半導(dǎo)體材料具有長的自旋擴(kuò)散長度,在自旋電子學(xué)器件中有巨大的應(yīng)用前景。然而該材料本身沒有未配對電子,表現(xiàn)為本征抗磁性,這限制了其在自旋電子學(xué)器件中的應(yīng)用。因此,如何在該材料中引入高濃度局域自旋并實(shí)現(xiàn)其長程鐵磁耦合,從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)的室溫鐵磁性是一項(xiàng)緊迫而具有挑戰(zhàn)性的課題。

鑒于此,西安電子科技大學(xué)王勇博士等人報道了通過將二維氮化物先進(jìn)行氟化后再在硒蒸汽中退火的方法引入局域磁矩,成功地在本征非磁的二維氮化物中實(shí)現(xiàn)室溫鐵磁性(Nano Energy 2021, 83, 105783、Adv. Mater. 2019, 31, 1807540)。

但遺憾的是,該方法誘導(dǎo)的鐵磁性在室溫下的比飽和磁化強(qiáng)度非常弱(≤0.01 emu/g),表明其極低的磁引入效率。為了提高磁引入效率,他們將二維氮化物在CVD中700 ℃下退火(ACS Nano 2021, 15, 12069),發(fā)現(xiàn):i)樣品室溫下的鐵磁磁矩高達(dá)0.71 emu/g:ii)居里點(diǎn)高達(dá)524.2 K(圖1);結(jié)構(gòu)表證和理論計(jì)算證實(shí)了退火后樣品可以形成氮空位,并能夠引入高濃度的局域自旋,且局域自旋之間通過磁偶極相互作用實(shí)現(xiàn)了長程鐵磁耦合。

然而,通過增加空位提高自旋濃度,容易破壞材料結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,并不是增強(qiáng)磁性的有效途徑。另外,由于熱退火產(chǎn)生了高濃度的自旋,從而導(dǎo)致氮化物的半導(dǎo)體性質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)榱私饘傩再|(zhì)。因此,如何使得二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體既能維持半導(dǎo)體性質(zhì),又具有穩(wěn)定的室溫鐵磁性,成為這一領(lǐng)域亟待解決的科學(xué)問題。

8ff5f56c-a420-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖1.樣品退火前后的磁性結(jié)果。

王勇博士等人研究發(fā)現(xiàn),以半導(dǎo)體與金屬為基礎(chǔ)搭建的范德華異質(zhì)結(jié)能最大程度維持材料的半導(dǎo)體性質(zhì)(Mater. Today Phys. 2022, 83, 105783、ACS Appl. Mater. Interfaces. 2021, 13, 40629)。因此,尋找具有電子自旋極化的低維金屬材料并與氮化物構(gòu)筑為范德華異質(zhì)結(jié)是值得推進(jìn)的一個課題。

南京大學(xué)都有為院士課題組前期采用氧化切割徑向剪開雙壁碳納米管,制備出高質(zhì)量的含有大量氧官能團(tuán)的雙層石墨烯納米帶,并且對其進(jìn)行梯度熱退火。結(jié)果發(fā)現(xiàn):酚羥基保護(hù)的長程鋸齒型邊界可以產(chǎn)生自旋邊界態(tài)從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)的室溫鐵磁性(ACS Nano 2019, 13, 6)。

基于此,他們將二維氮化物跟石墨烯納米帶構(gòu)筑為范德華異質(zhì)結(jié)(Energy Environ. Mater 2022),發(fā)現(xiàn)樣品實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)的室溫鐵磁性。更重要的是,納米帶的引入可以維持氮化物的半導(dǎo)體性質(zhì)。結(jié)構(gòu)表證和理論計(jì)算證實(shí)(圖2):i)自旋分裂引起的Dirac點(diǎn)位移和Γ點(diǎn)處的簡并證明了時間反轉(zhuǎn)對稱被打破,而空間反轉(zhuǎn)對稱被保留; ii)納米帶所成的是共價鍵,基面上的π電子是自由電子,使得樣品具有高遷移率;而邊緣的電子是局域的,并且是主要的磁源,磁源的長程耦合實(shí)現(xiàn)了樣品的室溫鐵磁性。該系列研究工作可為二維磁性半導(dǎo)體的研究提供一定的參考價值。

901583f0-a420-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖2.異質(zhì)體系的計(jì)算結(jié)果。





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5441

    文章

    12341

    瀏覽量

    371539
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253569
  • 半導(dǎo)體材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    573

    瀏覽量

    30531

原文標(biāo)題:文章轉(zhuǎn)載丨西安電子科大:首次實(shí)現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性!

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    面向硅產(chǎn)線:二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

    隨著硅集成電路進(jìn)入后摩爾時代,二維過渡金屬硫化(TMDCs,如MoS?、WS?)憑借原子級厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無懸掛鍵界面,成為下一代晶體管溝道材料的理想選擇。然而,金屬電極與二維
    的頭像 發(fā)表于 09-29 13:44 ?453次閱讀
    面向硅<b class='flag-5'>基</b>產(chǎn)線:<b class='flag-5'>二維</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>接觸電阻的性能優(yōu)化

    博世引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革新

    隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是半導(dǎo)體材料,如碳化硅(SiC)和
    的頭像 發(fā)表于 09-24 09:47 ?373次閱讀

    2025新能源汽車領(lǐng)域發(fā)生哪些“變革”?

    :在剛剛過去的英飛凌2025年帶開發(fā)論壇上,英飛凌與匯川等企業(yè)展示了半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 07-24 06:20 ?983次閱讀
    2025新能源汽車領(lǐng)域發(fā)生哪些“<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>變革”?

    SiC極管相比普通極管有哪些優(yōu)勢呢?

    在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅器件。作為半導(dǎo)體的代表,SiC極管
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:57 ?743次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>二</b>極管相比普通<b class='flag-5'>二</b>極管有哪些優(yōu)勢呢?

    二維材料高通量生產(chǎn)和溶液加工上取得新突破

    它們諸多優(yōu)異特性。從優(yōu)異的電學(xué)性能,如高載流子遷移率,到卓越的力學(xué)性能,再到獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì),二維材料展現(xiàn)出了從絕緣體到導(dǎo)體、從鐵磁性到反鐵磁性的豐富物理特性,為電子
    的頭像 發(fā)表于 06-23 07:20 ?878次閱讀
    <b class='flag-5'>二維</b>材料高通量生產(chǎn)和溶液加工上取得新突破

    世界首臺非硅二維材料計(jì)算機(jī)問世 二維材料是什么?二維材料的核心特征解讀

    材料制造出一臺能夠執(zhí)行簡單操作的計(jì)算機(jī)。這項(xiàng)研究標(biāo)志著向造出更薄、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品邁出了重要一步。 該研究成果肯定了二維材料在原子尺度下的穩(wěn)定性與電學(xué)性能優(yōu)勢,也為突破硅半導(dǎo)體物理極限提供新路徑。 核
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:25 ?1003次閱讀

    半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅到超寬半導(dǎo)體的跨越

    半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影,更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬半導(dǎo)體,每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 15:58 ?1923次閱讀

    是德科技在半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針

    ?無需焊接或探針,即可輕松準(zhǔn)確地測量功率半導(dǎo)體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測試 ?寄生功率回路電
    發(fā)表于 03-14 14:36 ?653次閱讀

    技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

    目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力,而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比,技術(shù),如碳化硅(SiC)和氮化鎵( GaN)等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評
    的頭像 發(fā)表于 02-19 09:37 ?672次閱讀
    <b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b>技術(shù)如何提升功率轉(zhuǎn)換效率

    單層半導(dǎo)體中的新磁性:交換能量的關(guān)鍵作用

    本文深入探討了交換能量的復(fù)雜性,它在鐵磁性中的作用,以及在單層半導(dǎo)體中測量它的開創(chuàng)性方法。 想象一種像原子一樣薄的材料,卻表現(xiàn)出與鐵一樣的磁性,這就是具有鐵磁性的單層
    的頭像 發(fā)表于 12-16 16:52 ?712次閱讀

    鐵磁性的概念、產(chǎn)生機(jī)理、應(yīng)用

    本文簡單介紹鐵磁性的概念、產(chǎn)生機(jī)理、應(yīng)用等內(nèi)容。 鐵磁性是一種最引人入勝且被廣泛研究的磁現(xiàn)象,指某些材料(如鐵、鈷、鎳及其合金)表現(xiàn)出強(qiáng)大且永久磁性的機(jī)制。這種特性使鐵磁性材料在從家用
    的頭像 發(fā)表于 12-06 16:36 ?3963次閱讀

    第三代半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2278次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和<b class='flag-5'>氮化</b>鎵介紹

    二維內(nèi)嵌掃碼模組用于自助儲柜,快速掃描各種一二維條碼

    隨著科技的飛速發(fā)展,自助儲柜已成為我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠郑瑸楣娞峁┝藰O大的便利。而這一切的背后,離不開二維內(nèi)嵌掃碼模組的強(qiáng)大支持。本文將深入探討二維內(nèi)嵌掃碼模組在自助儲
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:56 ?702次閱讀
    <b class='flag-5'>二維</b>內(nèi)嵌掃碼模組用于自助儲<b class='flag-5'>物</b>柜,快速掃描各種一<b class='flag-5'>維</b><b class='flag-5'>二維</b>條碼

    中國科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維量子點(diǎn)陣列

    進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)郭國平教授、王保傳特任副研究員等人與本源量子計(jì)算有限公司合作,成功研制出一種具有高度耦合可調(diào)的二維量子點(diǎn)陣列,首次在硅量子點(diǎn)陣列中實(shí)現(xiàn)了對最近鄰以及次近鄰耦合的獨(dú)立大范
    的頭像 發(fā)表于 12-03 06:24 ?753次閱讀
    中國科大<b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>耦合高度可調(diào)的<b class='flag-5'>二維</b>硅<b class='flag-5'>基</b>量子點(diǎn)陣列

    AFM | 二維材料MXene的光電轉(zhuǎn)換與儲能進(jìn)展

    研究背景隨著技術(shù)的迅速發(fā)展和對石墨烯等二維材料光電性質(zhì)的發(fā)現(xiàn),人們對除石墨烯之外的其他二維平面材料的研究越來越引起關(guān)注。這些材料包括過渡金屬硫化、碳氮化物、
    的頭像 發(fā)表于 11-11 01:01 ?2455次閱讀
    AFM | <b class='flag-5'>二維</b>材料MXene的光電轉(zhuǎn)換與儲能進(jìn)展