Flash和EEPROM都是非易失性存儲(chǔ)器，就是你設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留，如果是RAM的話掉電數(shù)據(jù)直接就丟了。

下面從幾個(gè)方面去介紹下Flash和EEPROM的區(qū)別：

1.讀取方式

Flash和EEPROM都采用隨機(jī)讀取，可以通過(guò)地址直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。

2.寫(xiě)入方式

Flash和EEPROM的寫(xiě)入方式不一樣，EEPROM可以按字節(jié)進(jìn)行寫(xiě)入，而Flash通常需要按塊進(jìn)行寫(xiě)入。

還有就是，在Flash中，要寫(xiě)入一個(gè)數(shù)據(jù)，需要先擦除一整個(gè)塊，然后再將新數(shù)據(jù)寫(xiě)入該塊。

3.擦除方式

Flash和EEPROM的擦除方式不一樣，EEPROM可以按字節(jié)進(jìn)行擦除，而Flash一般需要按塊進(jìn)行擦除。

也就是說(shuō)，在Flash中，要擦除一個(gè)數(shù)據(jù)，通常需要先擦除一整個(gè)塊，然后再將該塊中需要保留的數(shù)據(jù)重新寫(xiě)入，比EEPROM操作麻煩一些。

4.擦寫(xiě)速度

EEPROM的擦寫(xiě)速度比Flash慢得多，擦寫(xiě)速度會(huì)受到許多因素的影響，包括使用的存儲(chǔ)器型號(hào)、使用的接口類(lèi)型、寫(xiě)入和擦除的數(shù)據(jù)量、芯片溫度等等。

5.存儲(chǔ)密度

Flash比EEPROM的存儲(chǔ)密度更高，可以存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。

6.壽命

Flash和EEPROM的壽命長(zhǎng)短取決使用方式、應(yīng)用場(chǎng)景等等。

一般來(lái)說(shuō)，EEPROM的壽命可能會(huì)更長(zhǎng)一些，因?yàn)樗梢赃M(jìn)行單獨(dú)的字節(jié)單位的寫(xiě)入和擦除，而Flash需要進(jìn)行整個(gè)頁(yè)面或扇區(qū)的擦除。

這意味著EEPROM可以更靈活地管理存儲(chǔ)器，并減少對(duì)存儲(chǔ)單元的擦寫(xiě)次數(shù)。

但是，這并不意味著所有情況下EEPROM的壽命都會(huì)更長(zhǎng)。

7.價(jià)格

Flash比EEPROM更便宜。

8.通訊接口不同

Flash很多是用SPI協(xié)議接口、EEPROM很多是IIC協(xié)議接口。

9.數(shù)據(jù)保護(hù)方式

Flash具有硬件和軟件保護(hù)功能，而EEPROM只有軟件保護(hù)功能。

10.最后總結(jié)

Flash更適合存儲(chǔ)代碼和常量，就是不需要頻繁更新、數(shù)據(jù)量大的場(chǎng)景，比如說(shuō)音頻數(shù)據(jù)、圖片數(shù)據(jù)、程序等等。

EEPROM適合存儲(chǔ)需要頻繁更新數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)量小的場(chǎng)景，比如系統(tǒng)參數(shù)配置等等。

審核編輯：劉清