12v2A大電流同步整流芯片U7718

同步整流MOSFET發(fā)燙，首先要從控制MOSFET的信號(hào)去分析，主要看信號(hào)是否合理，還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙？同樣，一顆好的芯片會(huì)決定你的同步整流的成功與否。12v2A大電流同步整流芯片U7718，品質(zhì)好成本低，快來圍觀下！

12v2A大電流同步整流芯片U7718是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET 以提升系統(tǒng)效率。

U7718 支持“共地”和“浮地”同步整流兩種架構(gòu)配置，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式 (QR)。U7718 集成有 VDD欠壓保護(hù)功能和 VDD 電壓鉗位。U7718 內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無需 VDD 輔助繞阻供，降低了系統(tǒng)成本。

12v2A大電流同步整流芯片U7718主要特點(diǎn)：

▲反激拓?fù)涓边呁秸鞴β书_關(guān)

▲支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式 (DCM) 和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)

▲<300uA 超低靜態(tài)電流

▲內(nèi)置 VDD 高壓供電模塊，無需 VDD 輔助繞組供電

▲內(nèi)置 60V 功率 MOSFET

▲支持 Hige Side 和 Low Side 配置

▲<20nS 開通和關(guān)斷延遲

▲封裝信息 SOP-8

系統(tǒng)開機(jī)以后，12v2A大電流同步整流芯片U7718內(nèi)部高壓 LDO 從 Drain 管腳抽取電流向 VDD 電容供電。當(dāng) VDD 電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流 MOSFET 進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流 MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng) VDD 電壓高于 VDD 開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流 MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。

在原邊 MOSFET 導(dǎo)通期間，12v2A大電流同步整流芯片U7718內(nèi)部 7.1V 穩(wěn)壓器將從其 Drain 管腳抽取電流向 VDD 供電，以使 VDD 電壓恒定在 7.1V 左右。 基于高頻解偶和供電考濾，推薦選取容量為 1uF 的陶瓷電容作為 VDD 電容。

審核編輯：劉清