18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

硬科技星球 ? 來源:硬科技星球 ? 作者:硬科技星球 ? 2023-05-04 14:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息: 【英飛凌公司正推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議,以確保獲得更多具有競(jìng)爭力的碳化硅來源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料,其供應(yīng)量占到英飛凌未來長期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額?!?/p>

英飛凌是國際著名的半導(dǎo)體公司,其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,英飛凌技術(shù)實(shí)力雄厚,在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率國際第一。近年來,英飛凌公司不斷加強(qiáng)其SiC制造能力,并持續(xù)看好亞太區(qū)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。公司制訂了遠(yuǎn)景目標(biāo),力爭在2030年達(dá)成30%全球SiC市場(chǎng)份額。

基于對(duì)碳化硅發(fā)展前景的充分看好,英飛凌公司在過去幾年,與全球碳化硅材料主要供應(yīng)商紛紛簽訂長期供貨協(xié)議??赡苁浅鲇趯?duì)亞太市場(chǎng)尤其是中國市場(chǎng)的考慮,英飛凌公司推動(dòng)了這次與中國供應(yīng)商天科合達(dá)長期合作協(xié)議的簽訂。

據(jù)業(yè)一位內(nèi)人士稱,天科合達(dá)這家碳化硅材料公司是具有深厚的中科院背景和國資背景的高科技企業(yè)。公司在2006年成立,成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所,主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來源于新疆天富集團(tuán)。近年來,伴隨著“雙碳”建設(shè)的深入實(shí)施以及國家對(duì)第三代半導(dǎo)體的大力支持,以新能源汽車、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能設(shè)施、軌道交通、5G通訊等為主要應(yīng)用的碳化硅市場(chǎng)快速擴(kuò)容。以天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、爍科晶體等為代表的國內(nèi)碳化硅材料企業(yè)迎來快速發(fā)展的時(shí)機(jī)。天科合達(dá)在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域尤為出色,占據(jù)了國內(nèi)一半以上的市場(chǎng)份額,2021年國際市場(chǎng)占有率排名第四,在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。公司已經(jīng)得到國家政策基金和產(chǎn)業(yè)基金的大力支持,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時(shí)代、潤科基金都是天科合達(dá)的股東。此次雙方合作協(xié)議的簽訂,是英飛凌公司對(duì)天科合達(dá)產(chǎn)品質(zhì)量的充分肯定,也是英飛凌完善供應(yīng)鏈建設(shè)的一次關(guān)鍵選擇。英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn),預(yù)計(jì)天科合達(dá)將會(huì)有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

本報(bào)記者就相關(guān)情況致電中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍研究員。

陳小龍談起就碳化硅的重要優(yōu)勢(shì)時(shí)說:

「碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料,應(yīng)用前景廣闊,大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比,具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢(shì),特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。比如電動(dòng)汽車應(yīng)用碳化硅器件做逆變器、變壓器,甚至是車載充電樁,可以做得體積小,重量輕,這樣提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,同時(shí)轉(zhuǎn)換效率高,能夠有效節(jié)能。在光伏逆變器和儲(chǔ)能逆變器領(lǐng)域,提高電能利用率,大大降低能耗損失。未來碳化硅器件將會(huì)覆蓋更高電壓等級(jí)器件,可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。碳化硅功率器件導(dǎo)通電阻底,開關(guān)頻率高,能夠有效降低系統(tǒng)能耗,達(dá)到節(jié)能減排的目的,是為“雙碳”戰(zhàn)略服務(wù)的重要材料?!?/p>

陳教授談起我國的碳化硅技術(shù)發(fā)展,他說:

「我國碳化硅技術(shù)起步較晚,天科合達(dá)是中科院物理研究所產(chǎn)學(xué)研合作成功的典型案例,一直在推動(dòng)著國內(nèi)碳化硅技術(shù)進(jìn)步。碳化硅(SiC)晶體生長極其困難,上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國家掌握SiC晶體生長和加工技術(shù),我國起步較晚。為推動(dòng)SiC晶體國產(chǎn)化,避免我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”,我們團(tuán)隊(duì)從1999年開始,從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究,自主研發(fā)突破了從生長設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長和加工等關(guān)鍵技術(shù)。我們形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線,進(jìn)而推動(dòng)國內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。天科合達(dá)不斷發(fā)展壯大,取得了不錯(cuò)的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益,帶動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展,團(tuán)隊(duì)因此獲得了中國科學(xué)院2020年度科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng),成為中科院產(chǎn)學(xué)院合作的一個(gè)優(yōu)秀案例?!?/p>

對(duì)于這次簽約,陳教授說:

「國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約,一直是普遍的做法,英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能,即有利于推動(dòng)天科合達(dá)技術(shù)進(jìn)步,也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng),是一個(gè)雙贏的選擇。」

另外,中科院物理所陳小龍教授還稱,目前物理所研發(fā)團(tuán)隊(duì)還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長技術(shù),希望基礎(chǔ)研究上跟進(jìn)一步,為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2406

    瀏覽量

    142011
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253593
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3221

    瀏覽量

    51450
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?868次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?612次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?577次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?652次閱讀

    安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

    近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼
    的頭像 發(fā)表于 03-01 16:11 ?794次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?606次閱讀

    納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?982次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)進(jìn)入戴爾<b class='flag-5'>供應(yīng)</b>鏈

    碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

    半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?2233次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2128次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

    ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?925次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?1306次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?6309次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?5573次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2523次閱讀