目前大部分工業(yè)產(chǎn)品的應(yīng)用都離不開電源，比如工業(yè)自動化控制、LED照明、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、電力設(shè)備、儀器儀表等工業(yè)領(lǐng)域電源。因此，工業(yè)電源需要SiC功率器件來滿足不同工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域電源的安全性和可靠性要求。

本文推薦基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工業(yè)電源，可以替代英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A等進(jìn)口型號。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z基于6英寸晶圓平臺開發(fā)，與上一代產(chǎn)品相比，擁有更低比導(dǎo)通電阻（降低約40%）、器件開關(guān)損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結(jié)溫（175°C）等優(yōu)越性能。產(chǎn)品類型也進(jìn)一步豐富，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

B2M065120Z性能參數(shù)：

B2M065120Z是全新的SOT-227-4封裝，采用氮化鋁（AlN）陶瓷基板，具有熱導(dǎo)率高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)，氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率(170~230W/mK)是氧化鋁陶瓷基板的9.5倍，熱阻Rth(jc)低至0.12K/W。

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本，為工業(yè)電源提供有效解決方案，具有巨大的市場前景。

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