隨著汽車電動化及800V高壓平臺的大規(guī)模上車，碳化硅功率器件（SiC）將進入快速爆發(fā)期。

2021年以來，車企掀起了一輪大功率快充車型的發(fā)布熱潮，有廣汽埃安、吉利極氪、理想汽車、比亞迪、北汽極狐等車企陸續(xù)發(fā)布了搭載800V高電壓平臺的車型，其中不少都將量產(chǎn)時間定在了2022年。

實際上早在2019年，保時捷就在Taycan搭載了800V高壓快充平臺，也是最早搭載該技術的車企，曾一度成為新能源汽車發(fā)展的風向標。

2022年成為了800V高壓平臺“元年”，未來，這一技術將進入更多的新能源汽車，800V平臺架構甚至將成為高壓快充的重要解決方案，開啟超高壓快充時代。

在800V甚至更高水平的平臺上，高壓快充會涉及到車內(nèi)電源到車外充電整個電路，具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢的碳化硅器件（SiC），無疑將成為硅基IGBT芯片最佳的替代方案！

隨著電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進，預估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片，未來幾年SiC功率器件將隨著汽車電動化及800V高壓平臺的大規(guī)模上車，進入快速爆發(fā)期。

未來，以SiC為核心的800V強電系統(tǒng)，將在主逆變器、電機驅動系統(tǒng)、DC-DC、車載充電器（OBC）以及非車載充電樁等領域迎來規(guī)模化發(fā)展。

碳化硅（SiC）這條“賽道”愈發(fā)呈現(xiàn)出欣欣向榮之勢，不管是汽車產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片企業(yè)和一級零部件供應商，還是下游傳統(tǒng)車企和造車新勢力，都在瘋狂押注碳化硅，合資建廠、擴大產(chǎn)能、簽署供貨協(xié)議等等消息接踵而至。如此瘋狂的碳化硅半導體究竟有什么魔力，這就需要從其材料本身的性能來看。

碳化硅（SiC）是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，與Si相比，SiC在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具備碾壓優(yōu)勢，是材料端革命性的突破。SiC擊穿場強是Si的10倍，這意味著同樣電壓等級的SiC MOSFET外延層厚度只需要Si的十分之一，對應漂移區(qū)阻抗大大降低，且SiC禁帶寬度（~3.2 eV）是Si的3倍，導電能力更強。SiC導熱率為Si的4-5倍，電子飽和速度是Si的2-3倍，能夠實現(xiàn)10倍的工作頻率。

基于碳化硅的功率器件相較于硅基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、更低的導通損耗和開關損耗、更高的開關頻率、可減小模塊體積等杰出特性，不僅可廣泛用于電動汽車驅動系統(tǒng)、列車牽引設備、充電樁、開關電源、光伏逆變器、伺服電機、高壓直流輸電設備等民用場景，還可顯著提升戰(zhàn)斗機、戰(zhàn)艦等軍用系統(tǒng)裝備的性能。

疊加“第三代半導體”在我國被賦予的戰(zhàn)略意義，碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展直接被列入十四五規(guī)劃，適合高功率和高頻率應用場景，如儲能、風電、光伏、軌道交通、新能源汽車等行業(yè)。

800V高壓平臺也有它的一些現(xiàn)實掣肘。800V 超充由于電壓太高，充電模塊采用 IGBT 損耗會太高，要換用 SiC。SiC的價格是 IGBT 的 2.5至3 倍左右，由于 SiC 的散熱和耐熱性能比 IGBT 更佳、損耗更低、體積也更小，會有部分的成本降低，綜合下來，使用 SiC 充電模塊替代Si-IGTB會使成本大約貴上 1.5到2 倍。

比起一般的充電樁，800V 超充造成的電壓偏移情況也會嚴重很多，更容易電壓越限。如果按照現(xiàn)有的配電系統(tǒng)基礎設施，如果一整個城市全都是 800V 的超充站并且集中使用，最壞的預計結果可能會導致整個城市瞬間停電、各種電用設備燒毀。

這就和你在家里，同時使用十幾個電吹風導致停電的概念差不多。立志要發(fā)展 800V 超充的車企當然知道這個問題的存在，它們一致提出了“配置儲能”的解決方案，用儲能化解對配電網(wǎng)的沖擊。

由于 800V 超充要達到 360kW 甚至 480kW，電流要 450A 到 600A，不能像一般充電樁用風冷，勢必要用液冷，成本也會上升。充電樁的采購成本會上升 1.8 倍左右，估摸約 0.63至0.72 元 / W。一個 360kW 超充的成本估算約為 23 萬到 26 萬之間。

中國儲能的成本磷酸鐵鋰 1kWh 在 1000 - 1300 元之間、三元鋰 1kWh 在 1200 - 1600 元之間，只需特斯拉儲能系統(tǒng)的一半，而將來還會更便宜！儲能變流器 PCS 的成本差異更大，1kW 的成本在 320 - 500 元之間，只有特斯拉 PCS 的 1/3 到 1/5。

以 1MWh 計算，PCS 選 500kW，每 kWh 一樣用 2136 元，500kW / 1MWh 的成本約為 213.6 萬元。結果是：儲能集裝箱比建超充站的成本還高。

中國現(xiàn)在超充配儲能的比例不高，不過在美國很多超充站已經(jīng)標配儲能。以美國的 Electrify America 為例，擁有 350kW 大功率超充的站點，將配置一套特斯拉 350kWh、功率為 210kW（210kW/350kWh）的儲能系統(tǒng)。

Electrify America 一套特斯拉儲能系統(tǒng)，價格約 21 萬美元，按 6.7 匯率計算約為 140 萬人民幣。跟中國比，還蠻貴的。

雖然可以利用充放電從電網(wǎng)輔助服務賺錢，但從上面的儲能電站經(jīng)濟指標，能看到投資報酬率并不高。儲能的成本絕非大家想象的低，超充站絕非大家想象的容易建設。

很多時候，車企的宣傳帶偏了 800V 平臺的意義，似乎大功率超充能很快把電充滿，解決充電慢就是 800V 平臺的存在價值，車主充電不用等待就是最大訴求。顯然，這么理解不立體！

800V 平臺對新能源車輛而言，最大的意義是“降低能耗”！由于更高的電壓，800V在同等功率下，電流只需 400V 的一半。發(fā)熱量 = I2R，一半的電流，代表發(fā)熱量只剩 1/4。

雖然電機效率很高，發(fā)熱量本就不大，但相對應的散熱器件，依然要占據(jù)空間；而現(xiàn)在發(fā)熱量變得更小了，散熱器件相對應也能減少。并且 800V 平臺需要用到的 SiC 組件，其熱導率和耐熱值比 IGBT 好上許多，散熱器件可以進一步減少。

也就是說，SiC 能將電機、電控的體積縮小到極致，騰挪出更多的空間，從而大幅提高汽車性能并優(yōu)化整車架構，使新能源汽車具有更低的成本、更長的續(xù)航里程、更緊湊的空間設計以及更高的功率密度。

經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，硅基功率器件正在接近材料極限，要進一步提高其功率密度非常困難。比如目前市售電動車所搭載的功率半導體多數(shù)為硅基器件，采用Si IGBT技術的功率模塊仍在電動汽車應用中占主導地位。

憑借著“耐高壓”、“耐高溫”、和“高頻”的特點，車規(guī)級SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、充電樁等場景，在主驅逆變器、OBC、DC-DC以及直流充電樁模塊中，SiC MOSFET在高壓系統(tǒng)中有望快速替代Si IGBT。

800V 平臺將有著更好的能源使用效率、更輕的重量，帶來續(xù)航里程的增加，為車主帶來實惠。