我們常說(shuō)IGBT是由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）所構(gòu)成，IGBT中的BJT(Bipolar Junction Transistor)實(shí)際上就是由本章前文所述的一對(duì)PN結(jié)和PIN結(jié)所組成，如圖所示，其工作過(guò)程中的IV特性同樣可以通過(guò)穩(wěn)定狀態(tài)下的連續(xù)性方程和載流子濃度分布來(lái)推導(dǎo)得出，因過(guò)程較為繁瑣，這里不贅述詳細(xì)的推導(dǎo)過(guò)程，僅僅把推導(dǎo)邏輯做一個(gè)梳理，感興趣的讀者可以根據(jù)這個(gè)邏輯，并參考前面關(guān)于PN結(jié)和PIN結(jié)的推導(dǎo)過(guò)程來(lái)嘗試推演一下。

回顧之前對(duì)于PN結(jié)構(gòu)和PIN結(jié)構(gòu)的分析，穩(wěn)態(tài)下BJT內(nèi)部的電荷分布（少子）大致可以描繪如圖中曲線所示。

在N-base區(qū)，摻雜濃度足夠低，電子濃度和空穴濃度處處相等，擴(kuò)散電流和復(fù)合電流同時(shí)存在；在集電區(qū)和發(fā)射區(qū)的P+區(qū)域，摻雜濃度足夠高，少子迅速被復(fù)合，少子復(fù)合電流遠(yuǎn)大擴(kuò)散電流。