據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權(quán)公告號CN116631469B，申請日期為2023年7月。

專利摘要顯示，本公開提供了時鐘信號生成電路、方法及存儲器，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

該電路包括：

命令預(yù)解碼電路，用于對命令中的部分命令位進(jìn)行解碼得到預(yù)解碼命令信號；

命令解碼電路，用于對所述命令進(jìn)行解碼得到內(nèi)部命令信號

計數(shù)電路，用于基于初始時鐘信號進(jìn)行時鐘周期的計數(shù)，生成第一計數(shù)信號和第二計數(shù)信號；

時鐘信號截取電路，與所述命令預(yù)解碼電路、所述命令解碼電路和所述計數(shù)電路連接，用于根據(jù)所述預(yù)解碼命令信號、所述內(nèi)部命令信號、所述第一計數(shù)信號和第二計數(shù)信號對所述初始時鐘信號進(jìn)行截取，得到目標(biāo)時鐘信號。

根據(jù)本公開實(shí)施例，能夠降低存儲器的動態(tài)損耗。

值得注意的是近日，據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)顯示，長鑫存儲推出了最新LPDDR5 DRAM存儲芯片，是國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)市場零的突破，同時也令長鑫存儲在移動終端市場的產(chǎn)品布局更為多元。

南京證券發(fā)布研報稱，從國內(nèi)半導(dǎo)體需求的周期反轉(zhuǎn)順序來看，射頻>存儲、CIS>模擬>功率，目前國內(nèi)優(yōu)質(zhì)的射頻公司2H23庫存已經(jīng)消化到1H21水平，接下來需求反轉(zhuǎn)會輪動到存儲板塊，目前存儲板塊近期已經(jīng)出現(xiàn)漲價現(xiàn)象。隨著下半年國內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推新以及iPhone15系列發(fā)布，上游出貨壓力將逐步緩解，存儲芯片調(diào)整周期尾聲將至，整個存儲市場有望迎來拐點(diǎn)。

審核編輯：劉清