18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

兩個(gè)PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2024-03-27 15:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

兩個(gè)PMOS管背靠背連接,是串聯(lián)還是并聯(lián)?

串聯(lián)指的是將電子元件按照一定的順序連接起來(lái),電流通過(guò)這些元件時(shí)需要逐個(gè)經(jīng)過(guò)。而并聯(lián)則是將電子元件同時(shí)連接到一個(gè)節(jié)點(diǎn)上,電流選擇其中一個(gè)分支通過(guò)。對(duì)于兩個(gè)PMOS管背靠背連接的情況,我們需要看具體的電路設(shè)計(jì)來(lái)確定是串聯(lián)還是并聯(lián)。

PMOS管是一種壓控型的場(chǎng)效應(yīng)管,其導(dǎo)通溝道中的電流由門極-源極電壓(Vgs)決定。當(dāng)Vgs小于閾值電壓時(shí),PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)Vgs大于閾值電壓時(shí),PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)兩個(gè)PMOS管背靠背連接時(shí),我們需要考慮這兩個(gè)管子之間的電流流動(dòng)情況。

如果這兩個(gè)PMOS管背靠背連接的柵極(Gate)相連,那么它們就是串聯(lián)連接。因?yàn)檫@樣的連接方式使得兩個(gè)PMOS管的柵極電壓相同,它們將共享一個(gè)控制輸入信號(hào)。這種串聯(lián)連接的最常見應(yīng)用是級(jí)聯(lián)放大器電路中的差分對(duì)。

另一種情況是,如果這兩個(gè)PMOS管背靠背連接的源極(Source)相連,那么它們就是并聯(lián)連接。因?yàn)檫@樣的連接方式使得兩個(gè)PMOS管的源極電壓相同,它們將共享一個(gè)電流源。這種并聯(lián)連接常用于電流鏡電路或電流源設(shè)計(jì)中。

總的來(lái)說(shuō),串聯(lián)和并聯(lián)是描述元件之間連接方式的概念,對(duì)于兩個(gè)PMOS管背靠背連接的情況,需要具體考慮其柵極或者源極之間的連接方式來(lái)確定是串聯(lián)還是并聯(lián)。以上是對(duì)這兩種情況的簡(jiǎn)要介紹,接下來(lái)將詳細(xì)討論這兩種情況的工作原理、特性和應(yīng)用。

首先,我們來(lái)討論串聯(lián)連接的情況。當(dāng)兩個(gè)PMOS管的柵極相連時(shí),它們共享一個(gè)控制輸入信號(hào)。當(dāng)輸入信號(hào)施加在這個(gè)共享的柵極上時(shí),兩個(gè)PMOS管都將受到相同的控制電壓。這種串聯(lián)連接方式在差分對(duì)電路中被廣泛應(yīng)用,差分對(duì)電路是放大器電路中非常重要的一部分。差分對(duì)電路可以將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)化為差分輸出信號(hào),并且具有抗共模干擾的能力,提高了放大器的性能。

在差分對(duì)電路中,兩個(gè)PMOS管的源極連接到一個(gè)共同的直流電壓源上,這個(gè)直流電壓源提供了一個(gè)恒定的偏置電壓,使得差分對(duì)工作在合適的工作區(qū)間。當(dāng)輸入信號(hào)施加在共享的柵極上時(shí),兩個(gè)PMOS管的源極電流也會(huì)得到相應(yīng)地調(diào)節(jié),從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。

與串聯(lián)連接相對(duì)應(yīng)的,并聯(lián)連接的情況是,當(dāng)兩個(gè)PMOS管的源極相連時(shí),它們共享一個(gè)電流源。這種并聯(lián)連接常用于電流源電路的設(shè)計(jì)中。電流源是電子電路中非常重要的電路組件,它可以提供一個(gè)恒定的電流,保證電路的穩(wěn)定運(yùn)作。

在并聯(lián)連接的電流源電路中,兩個(gè)PMOS管的源極連接到一個(gè)共同的電流源上,這個(gè)電流源提供一個(gè)恒定的電流。兩個(gè)PMOS管的柵極被分別連接到恒壓源和信號(hào)源,通過(guò)調(diào)節(jié)這兩個(gè)輸入信號(hào),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流源電流的控制。這種并聯(lián)連接的電流源電路常用于放大電路中,為放大電路提供恒定的偏置電流。

綜上所述,兩個(gè)PMOS管背靠背連接既可以是串聯(lián)也可以是并聯(lián),具體取決于它們的連接方式和相互之間的關(guān)系。串聯(lián)連接常用于差分對(duì)電路中,用于信號(hào)放大和抗共模干擾;并聯(lián)連接常用于電流源設(shè)計(jì)中,用于提供恒定的電流。這些電路設(shè)計(jì)可以大大提高電路性能和穩(wěn)定性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    47

    文章

    1243

    瀏覽量

    69408
  • PMOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    84

    瀏覽量

    7374
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于LM7472x-Q1的理想二極控制器評(píng)估模塊技術(shù)解析

    演示了Texas Instruments LM7472x-Q1(集成升壓穩(wěn)壓器,用于實(shí)現(xiàn)低IQ和快速瞬態(tài)響應(yīng))如何控制兩個(gè)背靠背N溝道功率MOSFET。是這樣的:首先連接理想二極MO
    的頭像 發(fā)表于 09-23 10:02 ?325次閱讀
    基于LM7472x-Q1的理想二極<b class='flag-5'>管</b>控制器評(píng)估模塊技術(shù)解析

    機(jī)器視覺運(yùn)動(dòng)控制一體機(jī)在背靠背點(diǎn)膠焊錫機(jī)上的應(yīng)用

    正運(yùn)動(dòng)背靠背點(diǎn)膠焊錫機(jī)解決方案
    的頭像 發(fā)表于 05-30 10:35 ?381次閱讀
    機(jī)器視覺運(yùn)動(dòng)控制一體機(jī)在<b class='flag-5'>背靠背</b>點(diǎn)膠焊錫機(jī)上的應(yīng)用

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體(JFET) 垂直于溝道方向有一
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?762次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體<b class='flag-5'>管</b>詳解

    LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽車級(jí)理想二極控制器,背靠背驅(qū)動(dòng) NFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LM7480x-Q1 理想二極控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過(guò)壓保護(hù)功能的理想二極整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?678次閱讀
    LM7480-Q1系列 3V 至 65V 汽車級(jí)理想二極<b class='flag-5'>管</b>控制器,<b class='flag-5'>背靠背</b>驅(qū)動(dòng) NFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LM7480系列 3V 至 65V 背靠背 NFET 理想二極控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LM7480 理想二極控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過(guò)壓保護(hù)功能的理想二極整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V
    的頭像 發(fā)表于 05-07 16:54 ?618次閱讀
    LM7480系列 3V 至 65V <b class='flag-5'>背靠背</b> NFET 理想二極<b class='flag-5'>管</b>控制器,溫度范圍為 -55°C 至 125°C數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動(dòng)的 3V 至 65V 背靠背 NFET理想二極控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    LM74810 理想二極控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過(guò)壓保護(hù)的理想二極整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護(hù)和控制 12V 和 24V
    的頭像 發(fā)表于 05-07 16:46 ?504次閱讀
    LM7481 具有 -55°C 至 125°C 高柵極驅(qū)動(dòng)的 3V 至 65V <b class='flag-5'>背靠背</b> NFET理想二極<b class='flag-5'>管</b>控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    MDD肖特基二極并聯(lián)串聯(lián)設(shè)計(jì):如何提高電流承載能力?

    在電源設(shè)計(jì)、DC-DC轉(zhuǎn)換、逆變器等高功率應(yīng)用中,單顆肖特基二極(SchottkyDiode)往往無(wú)法滿足電流或電壓的需求,此時(shí)就需要通過(guò)并聯(lián)串聯(lián)的方式來(lái)提升器件的承載能力。但由于肖特基二極
    的頭像 發(fā)表于 04-18 09:36 ?739次閱讀
    MDD肖特基二極<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>與<b class='flag-5'>串聯(lián)</b>設(shè)計(jì):如何提高電流承載能力?

    并聯(lián)電路轉(zhuǎn)串聯(lián)電路

    大佬們,我現(xiàn)在需要同時(shí)對(duì)六個(gè)電容并聯(lián)充電,充電完成之后通過(guò)電路結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換成串聯(lián),當(dāng)然充電事件是通過(guò)單片機(jī)控制的,但是現(xiàn)在我不知道怎么設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)能從并聯(lián)轉(zhuǎn)換為
    發(fā)表于 04-14 19:47

    是否可以將兩個(gè)PTN3222GMJ設(shè)備背靠背連接以制作USB2中繼器?

    是否可以將兩個(gè) PTN3222GMJ 設(shè)備背靠背連接以制作 USB2 中繼器。 Connection 將如下所示: 如果這個(gè)背靠背中繼器是可能的,它是否涉及任何配置或編程?
    發(fā)表于 03-28 08:08

    MDD整流二極并聯(lián)串聯(lián)應(yīng)用:如何均流與提高耐壓能力?

    電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極的電流承載能力或耐壓能力無(wú)法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過(guò)并聯(lián)串聯(lián)方式來(lái)增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決均流問(wèn)題,
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:45 ?1727次閱讀
    MDD整流二極<b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>與<b class='flag-5'>串聯(lián)</b>應(yīng)用:如何均流與提高耐壓能力?

    串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振的區(qū)別

    串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振在電路理論中是種重要的諧振現(xiàn)象,它們之間存在顯著的區(qū)別。以下是串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振的主要差異: 一、基本原理 ?
    的頭像 發(fā)表于 03-06 15:23 ?3282次閱讀

    3個(gè)PMOS防倒灌電路分享

    R2的作用是為了控制柵極電流時(shí)不會(huì)太大,R3控制柵極的常態(tài)。 將R3上拉為高時(shí),Pmos截止。 這個(gè)電路也可以看成是對(duì)控制信號(hào)的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部的管腳沒(méi)有上拉時(shí),此時(shí)的輸出為開漏,PMOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。 那么就需要外部電壓的上拉了,這時(shí)R3就起到了
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:35 ?2309次閱讀
    3<b class='flag-5'>個(gè)</b><b class='flag-5'>PMOS</b><b class='flag-5'>管</b>防倒灌電路分享

    串聯(lián)并聯(lián)在家居布線中的應(yīng)用

    串聯(lián)并聯(lián)是電路連接中的種基本方式,它們?cè)诩揖硬季€中有著各自的應(yīng)用和特點(diǎn)。 一、串聯(lián)電路在家居布線中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 12-02 16:30 ?2289次閱讀

    串聯(lián)并聯(lián)的區(qū)別 串聯(lián)電池如何連接

    串聯(lián)并聯(lián)是電路中種基本的連接方式,它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)和應(yīng)用中扮演著重要的角色。 串聯(lián)并聯(lián)的區(qū)別
    的頭像 發(fā)表于 12-02 16:19 ?9316次閱讀

    兩個(gè)MOS背靠背串聯(lián)就會(huì)組成雙向開關(guān)?

    背靠背串聯(lián)MOS可以實(shí)現(xiàn)電流雙向流動(dòng)呢?一個(gè)MOS呢? 兩個(gè)MOS
    的頭像 發(fā)表于 11-19 11:13 ?4409次閱讀
    <b class='flag-5'>兩個(gè)</b>MOS<b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>背靠背</b><b class='flag-5'>串聯(lián)</b>就會(huì)組成雙向開關(guān)?