淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導體器件中形成電學隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)
發(fā)表于 03-03 10:00
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。 第1章 半導體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片
發(fā)表于 04-15 13:52
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對SiC 襯底缺陷密度相對較高的問題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為2?07 nm的刻蝕表
發(fā)表于 10-06 09:48
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
發(fā)表于 11-18 11:44
半導體器件與工藝
發(fā)表于 08-20 08:39
`《半導體制造工藝》學習筆記`
發(fā)表于 08-20 19:40
在制造半導體器件時,為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體,使之導電性極差,然后再用擴散
發(fā)表于 07-11 20:23
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 07-05 08:13
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-02 08:23
)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 08-20 08:01
表現(xiàn)依舊存在較大的改進空間。從2019年底到2020年初,業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會議,對2020年和以后的半導體工藝進展速度和方向進行了一些預判。今天本文就綜合各大會議的消息和廠商披露
發(fā)表于 07-07 11:38
是各種半導體晶體管技術(shù)發(fā)展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀60年代——改進工藝此階段,
發(fā)表于 09-02 18:02
超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)CMOS技術(shù)半導體表面經(jīng)過各種處理步驟,其中添加了具有特定幾何圖案的雜質(zhì)和其他材料
發(fā)表于 07-09 10:26
半導體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術(shù)。
發(fā)表于 05-26 11:46
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(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些
發(fā)表于 11-25 02:35
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