芯片設計領域正面臨一場由尺寸擴張引發(fā)的技術挑戰(zhàn)與制造能力的雙重考驗。據(jù)臺灣《工商時報》最新報道，英偉達在推進其高端GPU芯片，包括即將發(fā)布的RTX 50系列顯卡時，遭遇了因材料間熱膨脹系數(shù)（CTE）差異導致的芯片翹曲及系統(tǒng)潛在故障問題。為解決這一問題，英偉達已著手重新設計GPU芯片的頂部金屬層和凸點結構，旨在提升產品良率。這一調整不僅限于AI芯片RTO（重新流片）的修改，還波及了RTX 50系列顯卡的上市計劃，導致其發(fā)布時間從原定的第四季度末推遲至明年第一季度后，市場放量更是延至明年第二季度。

與此同時，英偉達CEO黃仁勛所提及的業(yè)界最大GPU——AI芯片Blackwell，其前所未有的規(guī)模（由兩顆芯片拼接而成）和采用的臺積電4納米先進制程技術，雖帶來了高達2080億個晶體管的強大性能，卻也伴隨著封裝復雜性的顯著增加。采用CoWoS-L封裝技術，盡管能實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸（約10TB/s），但橋接LSI與RDL的極高精度要求，使得任何微小瑕疵都可能造成價值高昂的芯片損失，進一步影響生產效率和成本效益。

這一現(xiàn)象并非英偉達獨有，供應鏈內部消息指出，隨著芯片尺寸的持續(xù)擴大，整個行業(yè)都在面對設計與制造上的新難題。AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐亦曾指出，未來芯片的發(fā)展需在效能與功耗之間找到新的平衡點，以滿足AI數(shù)據(jù)中心等應用對算力需求的爆炸式增長。因此，調整設計以提高良率、優(yōu)化封裝技術以降低生產風險，已成為行業(yè)內的普遍趨勢。

綜上所述，芯片設計的進化之路充滿了挑戰(zhàn)與機遇，廠商們正不斷探索新技術、優(yōu)化生產流程，以應對日益增長的算力需求與復雜的制造難題。