英諾賽科推出30V VGaN新品，拓寬電壓范圍
英諾賽科近日宣布，其VGaN系列再添新成員——30V新品INV030FQ012A。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著VGaN產(chǎn)品的電壓范圍得到了進(jìn)一步拓寬。
INV030FQ012A采用了FCQFN 4mm*6mm封裝，體積小巧，便于集成。在電路設(shè)計(jì)中，使用一顆VGaN即可替代傳統(tǒng)方案中的兩顆共漏連接的背靠背NMOS，從而有效降低了占板面積，為系統(tǒng)板的小型化提供了有力支持。
該產(chǎn)品主要應(yīng)用于過流保護(hù)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。其超低導(dǎo)通電阻和寬SOA（安全工作區(qū)）等特性，使得INV030FQ012A在應(yīng)用中展現(xiàn)出低損耗和耐短路沖擊的顯著優(yōu)勢(shì)。這些特點(diǎn)不僅提升了電路的性能，還進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
英諾賽科表示，INV030FQ012A的推出將為客戶提供更多樣化的選擇，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。未來(lái)，英諾賽科將繼續(xù)致力于VGaN產(chǎn)品的研發(fā)和創(chuàng)新，為行業(yè)帶來(lái)更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和技術(shù)解決方案。
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