近日,一年一度的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開(kāi)。納微半導(dǎo)體憑借2024年優(yōu)異的應(yīng)用和產(chǎn)品表現(xiàn),榮獲三項(xiàng)重磅大獎(jiǎng)!
本次行家說(shuō)年會(huì)上,納微半導(dǎo)體還帶來(lái)一場(chǎng)以《GaN&SiC驅(qū)動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心跟車載電源創(chuàng)新》為主題的精彩演講,分享了目前納微半導(dǎo)體領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅技術(shù),如何為當(dāng)下最熱的AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車帶來(lái)更高功率、更高效率的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
第三代平導(dǎo)體應(yīng)用推動(dòng)突破獎(jiǎng)
2024年,生成式AI進(jìn)入了井噴式發(fā)展,為背后的數(shù)據(jù)中心帶來(lái)了驚人的能源危機(jī),服務(wù)器電源作為最大耗電點(diǎn)之一,亟需向更高效率和更高功率密度邁進(jìn)。
納微半導(dǎo)體敏銳地察覺(jué)到了這一趨勢(shì),將旗下大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片與具有獨(dú)特工藝——溝槽輔助平面柵的GeneSiC碳化硅功率器件進(jìn)行結(jié)合,助力下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升。
率先推出AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖
3月,納微發(fā)布了AI數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖,計(jì)劃在12-18個(gè)月實(shí)現(xiàn)電源功率的3倍提升,從3kW迅速拉至10kW。
全球功率密度最高的服務(wù)器電源
7月,納微發(fā)布CRPS185 4.5kW服務(wù)器電源方案,其采用了氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì),以137W/in3的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。
全球首發(fā)8.5kW OCP電源
11月,納微全球首發(fā)8.5kW OCP服務(wù)器電源,實(shí)現(xiàn)了>97.5%的超高效率,完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。
憑借著領(lǐng)先的產(chǎn)品性能,納微GaNSafe和GeneSiC產(chǎn)品已成功在60多個(gè)客戶項(xiàng)目中獲得應(yīng)用,獲此殊榮可謂實(shí)至名歸。
年度優(yōu)秀產(chǎn)品:
GeneSiC 1700V碳化硅MOSFETS
納微半導(dǎo)體的GeneSiC碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,采用了專利的溝槽輔助平面柵技術(shù),平面和溝槽優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),可支持高產(chǎn)量制造、快速冷卻運(yùn)行以及延長(zhǎng)壽命的可靠性。
此次獲獎(jiǎng)的1700V碳化硅MOSFETs,具有最優(yōu)的FoM品質(zhì)因素和溫度特性以及最低的Rdson,達(dá)到了全球領(lǐng)先的性能,有效打造高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換方案,在儲(chǔ)能以及中壓功率模塊應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。
年度創(chuàng)新產(chǎn)品:
GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)
在雙碳要求下,光伏和風(fēng)能等新能源進(jìn)入了黃金發(fā)展期。氮化鎵憑借著高頻率,低損耗的優(yōu)勢(shì),成為這類綠色能源存儲(chǔ)的關(guān)鍵角色。
納微GaNFast Bi-Directional雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)是一款優(yōu)化的雙向開(kāi)關(guān),能夠阻斷兩個(gè)方向的電壓。每個(gè)源極和公共基板之間的單片集成基板鉗位電路可自動(dòng)鉗位源極到基板的電壓以防止背柵效應(yīng)。
1顆Bi-GaN氮化鎵功率芯片可以相當(dāng)于4顆同等Rdson的單向氮化鎵器件,可廣泛的應(yīng)用于單極矩陣變換器拓?fù)渲?,使?a href="http://cshb120.cn/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器峰值效率升至97%,獲得海內(nèi)外頭部微逆客戶的采用和關(guān)注。
此番三斬行業(yè)大獎(jiǎng),充分展現(xiàn)了納微在電氣化之路上所取得的卓越成果。未來(lái),納微將繼續(xù)不斷加速下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā),助力更多行業(yè)進(jìn)入高效、綠色的能源“芯”篇章!
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原文標(biāo)題:實(shí)力問(wèn)鼎!納微半導(dǎo)體三斬行家極光獎(jiǎng)
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