MOSFET的每個特性參數(shù)詳解
1.絕對最大額定值
2、電參數(shù)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標(biāo)題：分析MOSFET的每個特性參數(shù)，講的非常詳細(xì)！
文章出處：【微信號：Mouser-Community，微信公眾號：貿(mào)澤電子設(shè)計圈】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
MOSFET的原理、特性及參數(shù)
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），簡稱MOS管，屬于場效應(yīng)管（FET）的一種。
MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢到實(shí)際應(yīng)用場景展開深度剖析，為工程師選型與系統(tǒng)
MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動、電動設(shè)備控制等場景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。本文將針對仁懋電子（MOT）的MOT4913J型號，從參數(shù)、特性到應(yīng)用場景進(jìn)行深度
MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 07-10 14:25
?2次下載
CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析
問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對 RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
SiC MOSFET的動態(tài)特性
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
boost電路參數(shù)設(shè)計詳解
Boost 電路的原理圖如下圖所示當(dāng)MOSFET開通時，電源給電感L充電，電感儲能，電容放電。電感上的電流增加量（電感線圈未飽和時）為：
其中：為占空比，為開關(guān)周期。
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時，電感放電
發(fā)表于 03-25 14:15
MOSFET開關(guān)損耗計算
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
發(fā)表于 03-24 15:03
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。
MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1
發(fā)表于 02-26 14:41
SiC MOSFET的參數(shù)特性
碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
工商網(wǎng)監(jiān)
評論