為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管
在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長(zhǎng),BASiC基本公司SiC(碳化硅)肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD(快恢復(fù)二極管),成為新一代電力電子設(shè)備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢(shì)背后的原因,并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)。
BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管與FRD快恢復(fù)二極管的基本原理
首先,我們需要了解這兩種二極管的基本工作原理。FRD快恢復(fù)二極管是一種基于硅材料的半導(dǎo)體器件,其主要特點(diǎn)是反向恢復(fù)時(shí)間較短,適用于高頻開(kāi)關(guān)電路。然而,F(xiàn)RD在反向恢復(fù)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的反向恢復(fù)電流和能量損耗,這限制了其在高效率應(yīng)用中的表現(xiàn)。
相比之下,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管采用碳化硅材料,具有更低的反向恢復(fù)時(shí)間和幾乎為零的反向恢復(fù)電流。這使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出更高的效率和更低的能耗。
性能優(yōu)勢(shì):更高的效率和更低的能耗
型號(hào) | 電壓(V) | IF(A) | 封裝 |
B2D04065KF1 | 650V | 4 | TO-220F-2 |
B3D04065E | 650V | 4 | TO-252-3 |
B3D04065K | 650V | 4 | TO-220-2 |
B3D04065KS | 650V | 4 | TO-220-isolated |
B3D06065K | 650V | 6 | TO-220-2 |
B3D06065KS | 650V | 6 | TO-220-isolated |
B3D06065KF | 650V | 6 | TO-220F-2 |
B3D06065E | 650V | 6 | TO-252-3 |
B2D08065K1 | 650V | 8 | TO-220-2 |
B3D10065K | 650V | 10 | TO-220-2 |
B3D10065KF | 650V | 10 | TO-220F-2 |
B3D10065KS | 650V | 10 | TO-220-isolated |
B3D10065E | 650V | 10 | TO-252-3 |
B3D10065F | 650V | 10 | TO-263-3 |
B3D20065HC | 650V | 20 | TO-247-3 |
B3D20065H | 650V | 20 | TO-247-2 |
B3D20065K | 650V | 20 | TO-220-2 |
B3D20065F | 650V | 20 | TO-263-3 |
B2D30065HC1 | 650V | 30 | TO-247-3 |
B2D300065H1 | 650V | 30 | TO-247-2 |
B2D40065H1 | 650V | 40 | TO-247-2 |
B2D40065HC1 | 650V | 40 | TO-247-3 |
B3D40065HC | 650V | 40 | TO-247-3 |
B2D02120K1 | 1200V | 2 | TO-220-2 |
B2D02120E1 | 1200V | 2 | TO-252-3 |
B3D03120E | 1200V | 3 | TO-252-2 |
B2D05120K1 | 1200V | 5 | TO-220-2 |
B3D05120E | 1200V | 5 | TO-252-2 |
B2D10120K1 | 1200V | 10 | TO-220-2 |
B2D10120HC1 | 1200V | 10 | TO-247-3 |
B3D10120H | 1200V | 10 | TO-247-2 |
B3D10120E | 1200V | 10 | TO-252-2 |
B3D10120F | 1200V | 10 | TO-263-2 |
B2D15120H1 | 1200V | 15 | TO-247-2 |
B3D15120H | 1200V | 15 | TO-247-2 |
B3D20120HC | 1200V | 20 | TO-247-3 |
B3D20120F | 1200V | 20 | TO-263-2 |
B3D20120H | 1200V | 20 | TO-247-2 |
B3D25120H | 1200V | 25 | TO-247-2 |
B3D30120H | 1200V | 30 | TO-247-2 |
B4D30120H | 1200V | 30 | TO-247-2 |
B3D30120HC | 1200V | 30 | TO-247-3 |
B3D40120H2 | 1200V | 40 | TO-247-2 |
B4D40120H | 1200V | 40 | TO-247-2 |
B3D40120HC | 1200V | 40 | TO-247-3 |
B3D50120H | 1200V | 50 | TO-247-2 |
B3D50120H2 | 1200V | 50 | TO-247-2 |
B3D60120H2 | 1200V | 60 | TO-247-2 |
B4D60120H2 | 1200V | 60 | TO-247-2 |
B3D60120HC | 1200V | 60 | TO-247-3 |
B3D80120H2 | 1200V | 80 | TO-247-2 |
B2DM100120N1 | 1200V | 100 | SOT-227 |
B3D40200H | 2000V | 40 | TO-247-2 |
BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
1. 低反向恢復(fù)時(shí)間:BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間通常在幾十納秒以內(nèi),而FRD的反向恢復(fù)時(shí)間則在幾百納秒到微秒之間。這意味著B(niǎo)ASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠更快地切換,從而減少能量損耗。
2. 低反向恢復(fù)電流:BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在反向恢復(fù)過(guò)程中幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)電流,而FRD則會(huì)產(chǎn)生較大的反向恢復(fù)電流。這使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
3. 高耐壓能力:SiC材料具有較高的擊穿電壓,使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管能夠在更高的電壓下工作,而不會(huì)發(fā)生擊穿。這使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高壓應(yīng)用中具有更高的可靠性和安全性。
4. 低熱阻:SiC材料具有較低的熱阻,使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。這使得BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在高溫應(yīng)用中具有更高的穩(wěn)定性和可靠性。
效率優(yōu)勢(shì):更低的能耗和更高的系統(tǒng)效率
由于BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在反向恢復(fù)過(guò)程中幾乎沒(méi)有能量損耗,因此其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠顯著降低系統(tǒng)的能耗。這對(duì)于電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電等需要高效能、低能耗的應(yīng)用領(lǐng)域具有重要意義。
例如,在電動(dòng)汽車中,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和充電器中,以提高系統(tǒng)的效率和可靠性。這不僅能夠延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,還能夠減少充電時(shí)間,提高用戶體驗(yàn)。
應(yīng)用優(yōu)勢(shì):更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和更高的市場(chǎng)潛力
隨著科技政策與法規(guī)的推動(dòng),BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)潛力正在逐步顯現(xiàn)。除了電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域外,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管還在數(shù)據(jù)中心、5G通信基站、智能電網(wǎng)等新興應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力。
例如,在數(shù)據(jù)中心中,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管可以用于電源管理模塊中,以提高系統(tǒng)的效率和可靠性。這不僅能夠降低數(shù)據(jù)中心的能耗,還能夠提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率和服務(wù)質(zhì)量。
結(jié)論
綜上所述,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管憑借其在性能、效率和應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì),正在逐步取代傳統(tǒng)的FRD快恢復(fù)二極管,成為新一代電力電子設(shè)備的核心元件。隨著技術(shù)進(jìn)步和成本大幅度下降的推動(dòng),BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管的市場(chǎng)潛力將進(jìn)一步釋放,為各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)更高的效率和更低的能耗。
未來(lái),隨著SiC材料技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的逐步降低,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用前景將更加廣闊。我們有理由相信,BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管將在未來(lái)的科技發(fā)展中扮演更加重要的角色,為人類社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜專業(yè)分銷XHP封裝SiC碳化硅模塊,62mm封裝半橋SiC碳化硅模塊,ED3封裝半橋SiC碳化硅模塊,34mm封裝半橋SiC碳化硅模塊,Easy 1B封裝SiC碳化硅模塊,Easy 2B封裝SiC碳化硅模塊,Easy 3B封裝SiC碳化硅模塊,EP封裝SiC碳化硅PIM模塊,EconoDUAL? 3封裝半橋SiC碳化硅模塊,電力電子,SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊,1700V 62mm封裝半橋SiC碳化硅模塊,1700V ED3封裝半橋SiC碳化硅模塊,2000V 62mm封裝半橋SiC碳化硅模塊,2000V ED3封裝半橋SiC碳化硅模塊,3300V XHP封裝SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅IPM模塊
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在高性能變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在風(fēng)電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在電能質(zhì)量APF應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC-PIM模塊在電梯變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC-IPM模塊在空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在機(jī)車牽引變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)SiC碳化硅模塊在汽車電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
咬住必然,勇立潮頭!BASiC基本公司代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:
BASiC基本公司代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)!
BASiC基本公司代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)!
BASiC基本公司代理商傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!
BASiC?國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。
審核編輯 黃宇
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
149文章
10242瀏覽量
175265 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3403瀏覽量
67451
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
利用合并引腳肖特基二極管提高 SiC 器件的效率

肖特基二極管怎么用+原理

SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢(shì)呢?

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象
快恢復(fù)二極管分類全解析:從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用

快恢復(fù)二極管與肖特基二極管的異同點(diǎn)解析

PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

快恢復(fù)二極管的優(yōu)勢(shì)與特性
肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域 肖特基二極管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
肖特基二極管與TVS二極管該如何區(qū)分

肖特基二極管與穩(wěn)壓二極管該如何區(qū)分

評(píng)論