【2025年2月27日, 德國慕尼黑訊】氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的CoolGaN G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN G380V（IGE033S08S1）高性能GaN晶體管。

（CoolGaN G3 100V晶體管與WRTFN-9-2組合）

英飛凌科技中壓氮化鎵產(chǎn)品線負責人Antoine Jalabert博士表示：“這兩款新器件兼容行業(yè)標準硅MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產(chǎn)品上市速度的需求。

CoolGaN G3 100 V晶體管器件將采用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為 1.1 mΩ；CoolGaN G3 80 V將采用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為2.3 mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以采取簡便的多源采購策略，以及與硅基設(shè)計形成互補的布局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現(xiàn)高性能晶體管輸出。

此外，這種芯片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發(fā)，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環(huán)穩(wěn)定性。

供貨情況采用 RQFN 封裝的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。了解更多信息，請點擊這里。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)應用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

審核編輯 黃宇