BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機：13266663313

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. LLC諧振轉(zhuǎn)換器

應用場景：服務器電源、光伏逆變器、電動汽車充電樁等。

優(yōu)勢分析：

LLC拓撲依賴零電壓開關（ZVS）降低開關損耗，但高頻運行時關斷損耗仍不可忽視。BASiC基本股份B2M/B3M SiC MOSFET的低Eoff（如B2M040120Z在18V驅(qū)動下Eoff僅212μJ），可進一步減少關斷階段的能量損耗。

結合其低FOM品質(zhì)系數(shù)因子，高頻下整體效率更高，功率密度提升。

高溫性能（最大結溫175°C）和可靠性（AEC-Q101認證）支持嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

2. 移相全橋（PSFB）

應用場景：工業(yè)電源、大功率充電樁、儲能變流器（PCS）。

優(yōu)勢分析：

移相全橋雖通過軟開關（ZVS）降低損耗，但在輕載或瞬態(tài)條件下可能無法完全實現(xiàn)軟開關，導致硬開關損耗。B2M/B3M的低Eoff（如對比國際品牌C3M*時Eoff降低30%）**，可有效緩解硬開關帶來的損耗。

低Crss（反向傳輸電容）和優(yōu)化的Ciss/Crss比值，減少串擾風險，提升開關穩(wěn)定性。

在高壓DCDC轉(zhuǎn)換（如新能源汽車800V電池系統(tǒng)）中，高頻與低損耗特性可顯著提升效率和功率密度。

3. 高頻DCDC變換器

應用場景：AI服務器電源、通訊電源、高頻工業(yè)設備。

優(yōu)勢分析：

開關損耗降低30%（B2M系列）和FOM優(yōu)化（B3M系列），使其在高頻（>100kHz）場景下效率優(yōu)勢更明顯。

TOLL封裝（B3M 650V系列）的低雜散電感設計，進一步減少高頻開關中的振鈴和損耗。

4. 新能源汽車高壓系統(tǒng)

應用場景：車載充電機（OBC）、高壓DCDC、空壓機驅(qū)動。

優(yōu)勢分析：

低Eoff結合高溫穩(wěn)定性（HTRB/HTGB測試通過），適合高溫、高電壓（1200V）環(huán)境。

5. 光伏與儲能系統(tǒng)

應用場景：光伏逆變器、儲能變流器（PCS）。

優(yōu)勢分析：

低開關損耗（Etotal降低30%）和高頻能力，支持MPPT算法的高效運行。

模塊化設計（如Pcore?2 E2B系列）的低RDS(on)（5.5mΩ）和Press-Fit工藝，適配大功率、高可靠性需求。

基本SiC MOSFET低Eoff、高頻性能優(yōu)化及高可靠性設計

BASiC基本股份的SiC MOSFET通過低Eoff、高頻性能優(yōu)化及高可靠性設計，在LLC、移相全橋、高頻DCDC等拓撲中顯著提升效率與功率密度，尤其適用于光伏、新能源汽車、工業(yè)電源等高要求場景。其迭代產(chǎn)品（如B3M系列）進一步通過工藝升級和封裝創(chuàng)新，鞏固了在高壓高頻應用中的技術領先地位。

審核編輯 黃宇