近日，中國(guó)集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟秘書(shū)處綱正知識(shí)產(chǎn)權(quán)中心發(fā)布了《集成電路專利態(tài)勢(shì)報(bào)告(2018版)》。該報(bào)告分別從集成電路總體、DRAM 領(lǐng)域、FPGA 領(lǐng)域、光刻設(shè)備領(lǐng)域這四個(gè)方面，分析了各個(gè)領(lǐng)域的專利態(tài)勢(shì)。

集成電路總體專利態(tài)勢(shì)

首先來(lái)看集成電路總體的專利態(tài)勢(shì)，據(jù)報(bào)告顯示，集成電路領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)量態(tài)勢(shì)逐年增長(zhǎng)。2010年-2015年間年均增長(zhǎng)率 5.89%，其中 2015 年增速最高，達(dá)到 9.28%。

截止到 2017 年 12 月 31 日，集成電路領(lǐng)域全球公開(kāi)專利申請(qǐng) 209.7 萬(wàn)件，授權(quán) 144.5 萬(wàn)件。其中，中國(guó)大陸申請(qǐng) 46.4 萬(wàn)件，授權(quán) 27.8 萬(wàn)件，緊隨美國(guó)和日本之后，位列第三。

報(bào)告指出，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等全國(guó)及地方各層面戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的相繼出臺(tái)營(yíng)造了良好發(fā)展環(huán)境，激發(fā)企業(yè)活力和創(chuàng)造力，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同可持續(xù)發(fā)展，推動(dòng)中國(guó)集成電路領(lǐng)域跨越式發(fā)展。

截至目前，全球?qū)＠暾?qǐng)總量的冠軍是三星，隨后分別是 NEC、高通、日立、富士通、松下、東芝、三菱化學(xué)、IBM 和索尼。可以看到，在前十名中有一家韓國(guó)企業(yè)、兩家美國(guó)企業(yè)和七家日本企業(yè)。

而在中國(guó)大陸專利申請(qǐng)總量排名中，排在第一和第二位的分別是中興通訊和華為。隨后分別是三星、國(guó)家電網(wǎng)、高通、京東方、松下、OPPO、英特爾和臺(tái)積電。

從 2017 年新公開(kāi)的全球?qū)＠暾?qǐng)量排名來(lái)看，高通和三星仍占據(jù)前兩位。值得一提的是，排名前十的企業(yè)中，有三家中國(guó)企業(yè)上榜，分別是華為、中興和京東方，可見(jiàn)中國(guó)企業(yè) 2017 年也在全球持續(xù)大量布局。

而在 2017 年新公開(kāi)的中國(guó)大陸專利申請(qǐng)量排名中，申請(qǐng)量最大的為中興通訊，其后為國(guó)家電網(wǎng)、努比亞和華為，與中國(guó)大陸申請(qǐng)總量排名差異不大。值得一提的是，OPPO 和小米等中國(guó)廠商進(jìn)入前十，表明近年來(lái)在加強(qiáng)專利布局方面正在逐步追趕。

在集成電路行業(yè)專利技術(shù)領(lǐng)域排名（IPC 大組前十）中，申請(qǐng)量較大的領(lǐng)域集中于集成電路的制造、零器件、數(shù)據(jù)交換與傳輸、光刻設(shè)備以及存儲(chǔ)器。

在中國(guó)大陸內(nèi)地省市專利排名中，廣東省集成電路專利申請(qǐng)量達(dá) 90790 件，位居全國(guó)首位。北京、江蘇、上海和浙江緊隨其后，分別以52067件、35336件、31298件、24493件專利申請(qǐng)量位居第二、三、四、五位。

總體來(lái)看，全球集成電路行業(yè)專利態(tài)勢(shì)呈現(xiàn)五個(gè)特點(diǎn)：一是全球范圍內(nèi)集成電路行業(yè)的專利申請(qǐng)量現(xiàn)階段趨于穩(wěn)定；二是在申請(qǐng)人和申請(qǐng)地域兩個(gè)維度呈現(xiàn)聚集的特點(diǎn)；三是申請(qǐng)人以企業(yè)為主；四是 2017 年，集成電路領(lǐng)域?qū)＠_(kāi)量仍然較大；五是中國(guó)信息技術(shù)申請(qǐng)總量中占比較高的多為經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)。

DRAM 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)

在 DRAM 領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開(kāi)專利申請(qǐng) 14 萬(wàn)余件，全球申請(qǐng)總量排名日本最高，其后是美國(guó)和韓國(guó)。其中，中國(guó)大陸專利 6 千余件，位居第六位。

DRAM 行業(yè)專利申請(qǐng)高峰期在 1995 年到 2006 年。1995 年申請(qǐng)量開(kāi)始新一輪激增，正是 DDR 技術(shù)開(kāi)始發(fā)展的時(shí)期。巔峰時(shí)期可以達(dá)到年申請(qǐng)量 6000 多件，從 2007 年開(kāi)始專利申請(qǐng)量逐年下降，近兩年維持在每年 2000 件左右。

在全球 DRAM 專利申請(qǐng)總量排名中，位居前列的主要申請(qǐng)人有：三星、海力士、美光和日立。值得注意的是，這與 DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)占有率也相匹配。

而在中國(guó)大陸 DRAM 專利申請(qǐng)總量排名中，位居前列的企業(yè)主要有：海力士、三星、NEC 和IBM等。

總體來(lái)看，DRAM 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)呈現(xiàn)三個(gè)特點(diǎn)：一是 DRAM 領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟，技術(shù)研發(fā)投入有所減少；二是 DRAM 研發(fā)重心在于 DRAM 操作和設(shè)計(jì)方面；三是 DRAM 領(lǐng)域知識(shí)產(chǎn)權(quán)作用巨大。

FPGA 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)

在 FPGA 領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開(kāi)專利申請(qǐng) 8 萬(wàn)余件，全球申請(qǐng)總量排名中國(guó)大陸最高，總共申請(qǐng)專利 2 萬(wàn)余件，其后是美國(guó)和日本。

FPGA 領(lǐng)域全球?qū)＠暾?qǐng)經(jīng)歷了三個(gè)階段，第一個(gè)階段是 1989 年到 2000 年，處于萌芽期，申請(qǐng)量較少，第二階段是 2001 年到 2012 年，是 FPGA 產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期，年申請(qǐng)量直線上升，第三階段是 2013 年到 2017 年，上升趨勢(shì)趨于穩(wěn)定，年申請(qǐng)量小幅上升。

在全球 FPGA 專利申請(qǐng)總量排名中，位居前三的企業(yè)為 ALTERA、賽靈思和 L attice。值得一提的是，在前十的排名中，有兩家中國(guó)企業(yè)也入圍了，分別是位居第四和第七的中國(guó)電網(wǎng)和中興。

而在中國(guó)大陸 FPGA 專利申請(qǐng)總量排名中，主要的申請(qǐng)人為國(guó)家電網(wǎng)、中興通訊和華為等企業(yè)及北京航空航天大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、浙江大學(xué)和電子科技大學(xué)等高校。

報(bào)告指出，F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)＠饕性?H03K19/177和 H03K19/173矩陣式排列的邏輯電路，另外，由于 FPGA 中很多涉及硬件電路編程語(yǔ)言的，還有相當(dāng)一部分專利聚焦在計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)、電路測(cè)試上。

總體來(lái)看，F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)呈現(xiàn)四個(gè)特點(diǎn)：一是FPGA領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟，上升趨勢(shì)趨于穩(wěn)定；二是全球范圍內(nèi)，中國(guó)、美國(guó)和日本申請(qǐng)量位于前列；三是 FPGA 領(lǐng)域?qū)＠钟姓呦鄬?duì)比較集中；四是 FPGA 領(lǐng)域國(guó)內(nèi)主要研發(fā)主體還是高校。

光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)

在光刻設(shè)備領(lǐng)域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開(kāi)專利申請(qǐng) 8.2 萬(wàn)件，全球申請(qǐng)總量排名美國(guó)最高，其后是日本和韓國(guó)。其中，中國(guó)大陸專利 1 萬(wàn)件，位居第四位。

在全球光刻設(shè)備專利申請(qǐng)總量排名中，ASML 位居榜首，緊隨其后的是卡爾蔡司、海力士和三星。

而在中國(guó)大陸光刻設(shè)備專利申請(qǐng)總量排名中，除 ASML 依然位居榜首外，其余位居前十的基本都是中國(guó)企業(yè)，分別有中芯國(guó)際、上海微電子裝備有限公司、京東方、上海華虹宏力、上海華力微電子，還有中科院光電研究所和中科院微電子所兩家科研院所。

報(bào)告指出，光刻領(lǐng)域?qū)＠琶^高的類別聚焦在 G03F7圖紋面、H01L21專門適用于制造和處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備上，申請(qǐng)量明顯高出其他分類。

總體來(lái)看，光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)＠麘B(tài)勢(shì)呈現(xiàn)四個(gè)特點(diǎn)：一是光刻設(shè)備技術(shù)近幾年申請(qǐng)量相對(duì)穩(wěn)定；二是全球范圍內(nèi)日本和美國(guó)申請(qǐng)量位于全球前列，韓國(guó)第三；三是光刻設(shè)備領(lǐng)域中國(guó)主要的申請(qǐng)人中，主要為企業(yè)；四是光刻設(shè)備主要技術(shù)集中在 G03F7、H01L21兩個(gè) IPC 類別上，說(shuō)明曝光材料及設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)在光刻設(shè)備領(lǐng)域占比較高。