32.768kHz晶振電容匹配指南

選擇32.768kHz晶振的電容大小是一個關(guān)鍵的考慮因素，它直接影響到晶振的穩(wěn)定性和性能。在選擇電容時，我們需要充分考慮晶振的電氣參數(shù)、電路板的設計以及雜散電容的影響。

核心公式與原理如下：

負載電容計算公式

CL = (C1×C2)/(C1+C2) + Cs

C1/C2：對稱外接電容；Cs：雜散電容（2～5pF）。

示例：CL=12.5pF且Cs=3pF時，C1=C2≈19pF（優(yōu)選18pF/22pF后微調(diào)）。

然而，不同的電路板設計會產(chǎn)生不同的雜散電容值，因此在實際應用中還需要根據(jù)具體情況進行調(diào)整。通過調(diào)整外接電容的大小，我們可以找到使晶振處于最佳工作狀態(tài)的電容值。

這就需要我們用專業(yè)的設備對晶振單體測試，對晶振上板測試，從而找到板子最佳的匹配電容，以獲得最佳的工作效果。

華昕晶振設有專門的實驗室，在項目階段可以幫助客戶完成晶體在板上的匹配實驗，可以出具完整的測試匹配報告，可免費提供樣品測試。