電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，在低壓領(lǐng)域MOSFET，SGT MOSFET由于其性能優(yōu)勢(shì)，正在獲得快速增長(zhǎng)，逐步取代傳統(tǒng)的Trench MOSFET。

SGT MOSFET全稱(chēng)Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET。SGT MOSFET基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET，通過(guò)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)從而提升穩(wěn)定性、低損耗等性能。傳統(tǒng)平面型MOSFET中，源極和漏極區(qū)域是橫向布局的，柵極在源極和漏極區(qū)域的上方，形成一個(gè)平面結(jié)構(gòu)。

溝槽MOSFET則是源極和漏極區(qū)域垂直于半導(dǎo)體表面，柵極被嵌入到硅片中的溝槽內(nèi)，形成垂直結(jié)構(gòu)。相比傳統(tǒng)的溝槽MOSFET，SGT MOSFET采用深溝槽結(jié)構(gòu)，“挖槽”更加深入，柵極被嵌入到硅片的深槽中。同時(shí)SGT MOSFET在溝槽內(nèi)部有一層多晶硅柵極（主柵極），其上方還有一層多晶硅屏蔽柵極，這個(gè)額外的屏蔽柵極可以調(diào)節(jié)溝道內(nèi)的電場(chǎng)分布，從而降低導(dǎo)通電阻并提高開(kāi)關(guān)性能。

由于屏蔽柵的存在，SGT MOSFET可以更有效地控制電場(chǎng)分布，從而減少寄生效應(yīng)，降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。也由于結(jié)構(gòu)和更優(yōu)的電場(chǎng)分布，SGT MOSFET可以在相同的擊穿電壓下使用更小的單元尺寸，從而減小芯片面積。

所以，SGT MOSFET相比傳統(tǒng)的溝槽MOSFET，導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗可以更低，尤其是在中低壓的應(yīng)用領(lǐng)域中，屏蔽柵結(jié)構(gòu)有助于提高器件可靠性，其高效率以及緊湊的芯片尺寸也能夠更加適合這些應(yīng)用。

最近揚(yáng)杰推出了其200V MOSFET Gen2.0系列產(chǎn)品，正是采用了SGT工藝。該系列SGT MOSFET支持最低8.6mΩ的RDS(on)，同時(shí)優(yōu)化了正溫度系數(shù)特性，支持多管并聯(lián)均流，帶來(lái)更低的導(dǎo)通損耗。

在開(kāi)關(guān)性能上，優(yōu)化了柵電荷總量 Qg, 顯著降低開(kāi)關(guān)振鈴風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)消除體二極管反向?qū)〒p耗，提供了更低的切換損耗。

提供PDFN5060, TO-220F, TO-247-3L，TO-263等封裝選項(xiàng)，其中TO-247封裝下結(jié)殼熱阻 RθJC ≤ 0.5℃/W，提供高效散熱。芯片最高工作結(jié)溫175℃，提供出色的散熱性能，優(yōu)異的溫升表現(xiàn)。MOS產(chǎn)品EAS能力也得到優(yōu)化，提高產(chǎn)品的可靠性。

SGT MOSFET在中低電壓場(chǎng)景下由于更強(qiáng)的穩(wěn)定性，更低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，未來(lái)對(duì)Trench MOSFET有取代的趨勢(shì)。由于應(yīng)用廣泛，目前主流的功率半導(dǎo)體企業(yè)都已經(jīng)推出200V及以下的SGT MOSFET產(chǎn)品，包括華潤(rùn)微、捷捷微電、新潔能、士蘭微、東微半導(dǎo)體等。隨著產(chǎn)品的逐步替代，國(guó)內(nèi)功率廠商也將會(huì)有更多的機(jī)會(huì)。