選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
引言
結合官方說明手冊Rev. 4.1, 3/2014 進行解讀：MRFE6VP61K25 系列，點進來不難看出，原品牌是飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor, Inc.）發(fā)布的 MRFE6VP61K25 系列，為什么跑到NXP官網下面了？接下來我們由此展開了解下該系列。
飛思卡爾半導體 與 NXP 的關系？
首先明確：飛思卡爾半導體（Freescale Semiconductor）和恩智浦（NXP）之間的關系是合并與收購
在合并之前，這兩家公司都是各自領域的巨頭：
- 飛思卡爾：作為摩托羅拉（Motorola）半導體部門的剝離公司，飛思卡爾在汽車電子、微控制器（MCU）和網絡處理器方面擁有強大的技術和市場份額。
- 恩智浦：作為飛利浦（Philips）半導體部門的剝離公司，恩智浦則在安全連接技術、射頻識別（RFID）和近場通信（NFC）等領域處于領先地位。
通過整合，NXP 吸收了飛思卡爾的優(yōu)勢，所以現(xiàn)如今，我們搜索飛刺卡爾半導體的型號的時候就會發(fā)現(xiàn)被收錄到NXP 的官網上了。
NI--1230H--4S MRFE6VP61K25HR6/R5MRFE6VP61K25 系列 基本信息
簡單描述下，就是一個，N 溝道增強型橫向 MOSFET，用于高電壓駐波比（VSWR）場景，輸入輸出均為非匹配設計，支持 1.8-600MHz 寬頻率范圍，當然pdf中也專門列出引腳圖，及一些特性，這里就簡要概括下。
引腳圖
Pin Connections 注：封裝背面為晶體管源端關鍵性能參數(shù)（典型值：VDD=50V，IDQ=100mA）
1. 基礎性能（230MHz 頻段）
| 信號類型 | 輸出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏極效率（ηD） |
|---|---|---|---|
| 脈沖信號（100μs，20% 占空比） | 峰值 1250W | 24.0dB | 74.0% |
| 連續(xù)波（CW） | 1250W | 22.9dB | 74.6% |
2. 不同頻段應用電路典型性能
| 頻率范圍 | 信號類型 | 輸出功率（Pout） | 功率增益（Gps） | 漏極效率（ηD） |
|---|---|---|---|---|
| 27MHz | CW | 1300W | 27dB | 81% |
| 40MHz | CW | 1300W | 26dB | 85% |
| 81.36MHz | CW | 1250W | 27dB | 84% |
| 87.5-108MHz | CW（FM 廣播） | 1100W | 24dB | 80% |
| 144-148MHz | CW | 1250W | 26dB | 78% |
| 170-230MHz | DVB-T（數(shù)字廣播） | 225W | 25dB | 30% |
| 352MHz | 脈沖（200μs，20% 占空比） | 1250W | 21.5dB | 66% |
| 352MHz | CW | 1150W | 20.5dB | 68% |
| 500MHz | CW | 1000W | 18dB | 58% |
封裝及型號釋義
MRFE6VP61K25封裝圖示- NI - 1230H - 4S（有耳）：型號為 MRFE6VP61K25HR6、MRFE6VP61K25HR5
- NI - 1230S - 4S（無耳）：型號為 MRFE6VP61K25HSR5
- NI - 1230GS - 4L（無耳表貼）：型號為 MRFE6VP61K25GSR5
個人聲明：以上內容來自官方PDF，個人興趣歸納收集，如有侵害您的權益請聯(lián)系刪除。
信息來源鏈接：https://www.nxp.com.cn/part/MRFE6VP61K25H
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶體管
+關注
關注
77文章
10098瀏覽量
144998 -
LDMOS
+關注
關注
2文章
83瀏覽量
26105 -
rf功率
+關注
關注
0文章
4瀏覽量
2485
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管
進一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
發(fā)表于 11-29 11:38
什么是RF功率晶體管耐用性驗證方案？
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
發(fā)表于 08-22 08:14
在AWR中模擬LDMOS MRFE6VS25N時模型只有32位是怎么回事？
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
發(fā)表于 04-23 09:07
怎么判斷MRFE6VS25N壞了沒有？
我在網上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數(shù)是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設您了解什么是 MRFE6VS25N 的電
發(fā)表于 06-05 09:02
什么是RF LDMOS晶體管
什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴
發(fā)表于 03-05 16:22
?7275次閱讀
50V RF LDMOS功率管MRFE6VP6300H FE
飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配
發(fā)表于 05-29 09:04
?2761次閱讀
ST推出LET系列射頻(RF)功率晶體管
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
發(fā)表于 10-12 11:35
?2118次閱讀
飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管
日前，射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率
發(fā)表于 06-09 10:18
?2144次閱讀
恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代
發(fā)表于 06-21 11:09
?1908次閱讀
Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。
發(fā)表于 01-13 15:37
?2318次閱讀
貿澤電子即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管
貿澤電子 （Mouser Electronics），即日起開始備貨NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管。MRFX1K80H 是MRFX
發(fā)表于 05-08 18:36
?1497次閱讀
BLF6G22-180PN LDMOS功率晶體管的詳細數(shù)據(jù)手冊免費下載
180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應用。
發(fā)表于 08-14 08:00
?12次下載
GHz技術 UltraRF在RF功率晶體管中形成聯(lián)盟
無線應用的射頻（RF）功率晶體管的橫向擴散MOS技術。 對于某些高性能應用，今天的LDMOS器件不足， 圣克拉拉的GHz技術營銷和銷售副總裁Mike Mallinger說。 通過采用U
工商網監(jiān)
評論