Texas Instruments LMR43620RQ5EVM-400評(píng)估模塊設(shè)計(jì)用于快速輕松地演示LMR43620-Q1寬輸入降壓穩(wěn)壓器。LMR43620-Q1可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)2A的負(fù)載電流，輸入電壓可達(dá)36V，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔易用。LMR43620-Q1采用小型2mmx2mm HotRod? 封裝，可提供微型、低EMI解決方案尺寸。TI LMR43620RQ5EVM-400 EVM的輸出電壓為5V，開(kāi)關(guān)頻率為400kHz。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments LMR43620RQ5EVM-400評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 寬輸入電壓范圍：3V至36V
• 5V固定輸出電壓（默認(rèn)）
• 400kHz默認(rèn)開(kāi)關(guān)頻率（包含跳線，用于頻率選擇）
• 輸出電流高達(dá)2A
• 解決方案尺寸小且經(jīng)全面組裝、測(cè)試和驗(yàn)證的PCB布局

PCB布局

電路板連接

TI LMR43620RQ5EVM-400評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、核心特性概述?

Texas Instruments的LMR43620RQ5EVM-400是一款基于LMR43620-Q1同步降壓轉(zhuǎn)換器的評(píng)估模塊，專(zhuān)為寬輸入電壓、高效率電源設(shè)計(jì)而優(yōu)化，具有以下核心優(yōu)勢(shì)：

• ?寬輸入電壓范圍?：6V至36V，適應(yīng)工業(yè)級(jí)電源環(huán)境。
• ?高效輸出能力?：5V固定輸出，最大負(fù)載電流2A，開(kāi)關(guān)頻率400kHz（支持?jǐn)U頻調(diào)制以降低EMI）。
• ?高集成設(shè)計(jì)?：內(nèi)置MOSFET、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)及熱保護(hù)電路，簡(jiǎn)化外圍布局。
• ?低靜態(tài)電流?：1.5μA待機(jī)電流，適合電池供電應(yīng)用。

?二、硬件設(shè)計(jì)亮點(diǎn)?

?1. 關(guān)鍵接口與測(cè)試點(diǎn)?

• ?VIN_EMI/GND_EMI?：輸入電源接口，集成EMI濾波器，支持傳導(dǎo)干擾測(cè)試。
• ?VOUT/GND?：輸出負(fù)載連接點(diǎn)，默認(rèn)5V輸出（可通過(guò)反饋電阻調(diào)整）。
• ?EN/PGOOD?：使能控制與電源狀態(tài)指示引腳，支持外部邏輯控制。

?2. 跳線配置功能?

• ?JEN?：使能引腳控制，默認(rèn)懸空（內(nèi)部100kΩ上拉至VIN）。
• ?JPGOOD?：PGOOD引腳上拉選擇（VOUT或VCC）。
• ?JRT?：切換開(kāi)關(guān)頻率模式（RT電阻編程、1MHz/2.2MHz AUTO模式）。

?三、性能測(cè)試數(shù)據(jù)?

?1. 效率與負(fù)載調(diào)整率?

• ?12V輸入轉(zhuǎn)5V輸出?：峰值效率達(dá)95%（負(fù)載2A），輕載效率>90%（1mA負(fù)載）。
• ?負(fù)載調(diào)整率?：±0.2%（0A至2A負(fù)載變化，24V輸入條件下）。

?2. 動(dòng)態(tài)響應(yīng)與熱性能?

• ?負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)?：0A→2A階躍下，輸出電壓波動(dòng)<50mV（1A/μs斜率）。
• ?熱成像數(shù)據(jù)?：12V輸入、2A負(fù)載時(shí)，結(jié)溫升≤40°C（θJA≈42°C/W）。

?3. EMI合規(guī)性?

• 通過(guò)CISPR 11/32 Class B標(biāo)準(zhǔn)，低/高頻段傳導(dǎo)干擾均低于限值10dBμV。

?四、典型應(yīng)用場(chǎng)景?

1. ?工業(yè)控制系統(tǒng)?：為PLC、傳感器模塊提供穩(wěn)定5V電源。
2. ?車(chē)載電子?：符合AEC-Q100認(rèn)證，適應(yīng)12V/24V電池系統(tǒng)。
3. ?便攜設(shè)備?：低靜態(tài)電流特性延長(zhǎng)電池壽命。

五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?PCB布局建議?
   • 輸入電容（C7/C8）需貼近VIN引腳，優(yōu)先使用低ESR陶瓷電容（X7R材質(zhì)）。
   • 功率地（GND）與信號(hào)地分離，采用星型連接至主地平面。
2. ?散熱管理?
   • 模塊底部散熱焊盤(pán)需通過(guò)過(guò)孔連接至內(nèi)部地平面，建議銅箔面積≥2cm2。
3. ?安全警告?
   • 操作時(shí)需佩戴防靜電手環(huán)，避免EN引腳浮空導(dǎo)致意外啟動(dòng)。