TLC6C598-Q1 是一款單片、中壓、低電流功率 8 位移位寄存器設計用于需要相對中等負載功率的系統(tǒng)，例如 LED。

該器件包含一個 8 位串行輸入、并行輸出移位寄存器，用于為 8 位D 型存儲寄存器。數(shù)據(jù)通過上升上的移位寄存器和存儲寄存器傳輸分別是移位寄存器時鐘 （SRCK） 和寄存器時鐘 （RCK） 的邊緣。存儲寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 時將數(shù)據(jù)傳輸?shù)捷敵鼍彌_器為高電平。CLR 上的低電平清除器件中的所有寄存器。保持輸出使能 （G） 為高電平，使輸出緩沖器中的所有數(shù)據(jù)保持為低電平，并且所有漏極輸出關(guān)閉。保持 G 為低電平使來自存儲寄存器的數(shù)據(jù)對輸出緩沖器透明。當輸出緩沖器中的數(shù)據(jù)為低電平時，DMOS 晶體管輸出關(guān)閉。當數(shù)據(jù)為高電平時，DMOS晶體管輸出具有灌電流能力。 這 串行輸出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿從器件發(fā)出時鐘，以提供額外的級聯(lián)應用的保持時間。這為以下應用提供了更高的性能時鐘信號可能偏斜，設備彼此不靠近，或者系統(tǒng)必須承受電磁干擾。該器件包含內(nèi)置的熱關(guān)斷保護。
*附件：tlc6c598-q1.pdf

輸出為低側(cè)開漏 DMOS 晶體管，輸出額定值為 40 V 和 50 mA當 Vcc = 5 V 時具有連續(xù)灌電流能力。電流限制隨著結(jié)處的降低而降低溫度升高以提供額外的設備保護。該器件還提供高達 2000 V 的ESD 保護（使用人體模型測試時）和 200 V （使用機器模型時）。

TLC6C598-Q1 特性適用于在工作環(huán)境范圍內(nèi)工作溫度范圍為 ?40°C 至 125°C。

特性

• 符合汽車應用標準
• AEC-Q100 符合以下標準：
  • 器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 設備 HBM ESD 分類等級 H2
  • 設備 CDM ESD 分類級別 C3B
• 3 V 至 5.5 V 的寬 Vcc
• 輸出最大額定值為.40 V
• 8個功率DMOS晶體管輸出，50 mA連續(xù)電流，V CC = 5 伏
• 熱關(guān)斷保護
• 增強多級級聯(lián)
• 所有寄存器均通過單輸入清除
• 低功耗
• 開關(guān)時間慢（tr和 t f ），這有助于顯著降低 EMI
• 16引腳TSSOP-PW封裝
• 16引腳SOIC-D封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TLC6C598-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級認證8位移位寄存器LED驅(qū)動器，具有以下核心特性：

• ?工作條件?：3V至5.5V寬電壓范圍，支持-40°C至125°C環(huán)境溫度
• ?輸出能力?：8路開漏DMOS晶體管輸出，單路連續(xù)電流50mA（VCC=5V時），耐壓40V
• ?關(guān)鍵保護?：內(nèi)置熱關(guān)斷（175°C觸發(fā)）、ESD防護（HBM 2000V/CDM 200V）

?2. 功能特點?

• ?級聯(lián)擴展?：支持通過SER_OUT引腳串聯(lián)多設備，提升多級LED控制可靠性
• ?寄存器控制?：8位串入并出移位寄存器+8位D型存儲寄存器，數(shù)據(jù)在SRCK↑和RCK↑沿同步
• ?輸出管理?：CLR低電平清除所有寄存器，G引腳全局使能/禁用輸出（支持PWM調(diào)光）

?3. 電氣特性?

• ?靜態(tài)參數(shù)?：靜態(tài)導通電阻典型值6-14Ω（VCC=5V，25°C）
• ?動態(tài)性能?：最大時鐘頻率10MHz，輸出切換時間tr/tf約210ns/128ns
• ?功耗?：靜態(tài)電流≤160μA，動態(tài)電流隨頻率線性增長（5MHz時約200μA）

?4. 封裝與布局?

• ?封裝選項?：16引腳TSSOP（PW）和SOIC（D）封裝
• ?熱設計?：TSSOP封裝θJA=129.4°C/W，建議PCB布局時最大化覆銅并增加散熱過孔
• ?推薦設計?：VCC引腳需就近放置0.1μF陶瓷去耦電容

?5. 典型應用?

• ?汽車電子?：儀表盤背光、指示燈（Tell-Tale）驅(qū)動
• ?LED控制?：支持級聯(lián)架構(gòu)的多通道LED照明系統(tǒng)
• ?接口方案?：通過MCU的SPI/GPIO控制，典型電路包含限流電阻計算：Rx = (VSupply - VLED) / ILED