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?TPS61180/1/2 WLED驅動器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-09-04 10:14 ? 次閱讀
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TPS61180/1/2 IC 為介質(zhì)尺寸的 LCD 背光提供高度集成的解決方案。這些器件具有內(nèi)置的高效升壓穩(wěn)壓器,集成了 1.5A/40V 電源MOSFET。六個電流吸收穩(wěn)壓器提供高精度電流調(diào)節(jié)和匹配。 在 總共,該設備最多可支持 60 WLED。此外,升壓輸出自動調(diào)整其電壓到 WLED 正向電壓以提高效率。

這些器件支持脈寬調(diào)制 (PWM) 亮度調(diào)光。在調(diào)光期間,WLED 電流在占空比和頻率下打開/關閉,頻率由 PWM 信號輸入DCRTL 引腳。PWM 調(diào)光的一個潛在問題是輸出陶瓷發(fā)出的可聽噪聲 電容器。 TPS61180/1/2 系列旨在在較寬的調(diào)光占空比和頻率范圍內(nèi)最大限度地減少輸出交流紋波;因此,降低了可聽噪聲。
*附件:tps61180.pdf

TPS61180/1/2 IC 為連接在輸入和電感器之間的外部 PFET 提供驅動器輸出。在短路或過流情況下,IC 關閉外部PFET 并斷開電池與 WLED 的連接。PFET 在 IC 關斷期間也會關閉(真正關斷)以防止電池出現(xiàn)任何漏電流。該器件還集成了過壓保護、軟啟動和熱關斷。

TPS61180 IC 需要外部 3.3V IC 電源,而 TPS61181 和 TPS61182 IC 具有用于 IC 電源的內(nèi)置線性穩(wěn)壓器。所有器件均采用 3×3 mm QFN 封裝。

特性

  • 5 V 至 24 V 輸入電壓
  • 集成 1.5 A 40 V MOSFET
  • 1.0 MHz/1.3 MHz開關頻率
  • 升壓輸出自動適應WLED電壓
  • 小型外部元件
  • 集成環(huán)路補償
  • 六個 25 mA 電流灌電流
  • 串聯(lián)多達 10 個 WLED
  • 小于 3% 的電流匹配和精度
  • 高達 1000:1 PWM 亮度調(diào)光范圍
  • PWM調(diào)光下輸出紋波最小化
  • 用于輸入/輸出隔離PFET的驅動器
  • 真正的關機
  • 過壓保護
  • WLED 開路/短路保護
  • 內(nèi)置軟啟動
  • 16L 3 mm×3 mm QFN

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?

  • ?型號?:TPS61180/1/2系列,專為筆記本/媒體尺寸LCD背光設計的高集成WLED驅動器IC。
  • ?核心功能?:集成1.5A/40V MOSFET的升壓穩(wěn)壓器,支持6路25mA電流調(diào)節(jié)器,可驅動最多60顆WLED(10串×6并)。
  • ?關鍵特性?:
    • 輸入電壓范圍5V至24V,開關頻率1.0MHz(TPS61180/1)或1.3MHz(TPS61182)。
    • 自動調(diào)節(jié)升壓輸出電壓以匹配WLED正向電壓,提升效率。
    • 支持100Hz–1kHz PWM調(diào)光,1000:1調(diào)光范圍,輸出紋波優(yōu)化以減少可聞噪聲。
    • 內(nèi)置過壓、短路、熱關斷保護及輸入/輸出隔離PFET驅動。

?2. 應用場景?

  • 筆記本、超便攜電腦(UMPC)及中型LCD顯示屏背光驅動。

?3. 技術細節(jié)?

  • ?電流調(diào)節(jié)?:通過ISET引腳電阻編程電流(公式:IFB = KISET × VISET / RISET),電流匹配精度<3%。
  • ?保護機制?:
    • ?短路保護?:檢測到輸出低于輸入電壓1.7V時關斷隔離PFET。
    • ?開路保護?:TPS61181/2自動屏蔽開路IFB引腳,TPS61180直接關斷。
    • ?過壓閾值?:VO引腳38V(典型值),IFB引腳17V(典型值)。
  • ?封裝?:3×3 mm 16引腳QFN(型號后綴RTE)。

?4. 設計要點?

  • ?電感選擇?:推薦4.7μH–10μH,需飽和電流>計算峰值電流(如4.7μH電感峰值電流約1.87A)。
  • ?輸出電容?:至少1μF(建議4.7μF陶瓷電容),多顆小尺寸并聯(lián)可降低可聞噪聲。
  • ?布局建議?:縮短高電流路徑(VBAT、SW、PGND),信號地與功率地單點連接。

?5. 型號差異?

  • ?TPS61180?:需外部3.3V供電(Cin引腳),開路/過壓保護觸發(fā)后需重啟。
  • ?TPS61181/2?:內(nèi)置LDO穩(wěn)壓器,支持動態(tài)屏蔽故障通道。

?6. 典型電路?

  • 圖1展示標準應用電路,含隔離PFET、10μH電感及4.7μF輸入/輸出電容。
  • 圖16提供降低可聞噪聲的優(yōu)化方案(如并聯(lián)小電容、VO-IFB1間添加10nF電容)。

?7. 文檔信息?

  • 版本:SLVS801E(2013年4月修訂),版權歸屬德州儀器TI)。
  • 封裝選項:WQFN-16(RTE),符合RoHS標準,工作溫度-40°C至85°C。

?附注?:完整設計需參考數(shù)據(jù)手冊中的絕對最大額定值、電氣特性表及典型性能曲線(如效率vs負載、調(diào)光線性度等)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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