SM4073L—30V高耐壓+1A快充±1%精度+EN使能+高集成設(shè)計(jì)，重新定義線性充電器可靠性邊界！

高耐壓充電管理芯片市場(chǎng)趨勢(shì)

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，≥30V耐壓的充電管理芯片市場(chǎng)增速顯著(CAGR＞13%)，核心驅(qū)動(dòng)力源于三大領(lǐng)域：
?工業(yè)自動(dòng)化：24V供電系統(tǒng)需承受40V+浪涌沖擊；
?車載電子：12V系統(tǒng)拋負(fù)載瞬態(tài)峰值超30V；
?快充設(shè)備：USB PD/QC協(xié)議高壓檔位(9V/12V)普及。

SM4073L，高達(dá) 1A 的可編程充電電流與30V高耐壓，直擊上述痛點(diǎn)，賦能高壓場(chǎng)景的解決方案。

SM4073L核心優(yōu)勢(shì)：高耐壓與高集成融合

2. 1A快充±1%精度

可編程電流公式：

RPROG=1.2K時(shí)輸出1000mA，浮充電壓4.2V±1%（0℃~85℃）。

3.EN引腳低電平有效

SM4073L的EN引腳通過(guò)“低電平有效，高電平/懸空無(wú)效”的硬邏輯設(shè)計(jì)，完美匹配MCU控制接口，方便MCU應(yīng)用驅(qū)動(dòng)：

?無(wú)需外部電路：實(shí)現(xiàn)安全使能控制

?懸空自保護(hù)：機(jī)制杜絕設(shè)計(jì)疏漏風(fēng)險(xiǎn)

4.顛覆性集成設(shè)計(jì)

無(wú)需外部MOS/檢測(cè)電阻/隔離二極管，BOM成本顯著降低；內(nèi)置0.6mΩ功率FET，降低導(dǎo)通損耗。

?消除外部MOS的15%能量損耗→ 更低溫升、更長(zhǎng)續(xù)航
?突破散熱限制→ 高溫環(huán)境滿功率快充不降額
?減少熱老化效應(yīng)→ 提升設(shè)備與電池壽命

SM4073L的30V高耐壓、1A快充±1%精度以更低溫升、極速充電體驗(yàn)，疊加低電平有效使能引腳(EN)及精準(zhǔn)電壓控制延長(zhǎng)電池壽命，同時(shí)消除過(guò)充風(fēng)險(xiǎn)，為工業(yè)、車載及消費(fèi)設(shè)備提供安全高效的電源解決方案。
四重安全機(jī)制適配嚴(yán)苛環(huán)境

SM4073L四重安全機(jī)制(反接保護(hù)/熱調(diào)節(jié)/涓流修復(fù)/軟啟動(dòng))實(shí)現(xiàn)電池-系統(tǒng)-環(huán)境三位一體防護(hù)，確保工業(yè)、車載等嚴(yán)苛場(chǎng)景下持續(xù)可靠運(yùn)行。

高耐壓場(chǎng)景應(yīng)用方案

設(shè)計(jì)對(duì)比

SM4073L核心突破：封裝DFN3x3-8，較傳統(tǒng)方案減少外圍器件數(shù)量；高壓防護(hù)：耐壓能力提升。

SM4073L作為30V工業(yè)級(jí)耐壓鋰電池充電芯片，通過(guò)1A可編程快充、30V耐壓、多重安全保護(hù)機(jī)制及簡(jiǎn)化高壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)，解決工業(yè)24V系統(tǒng)浪涌、車載12V拋負(fù)載及快充高壓輸入三大痛點(diǎn)，成為高壓電源管理市場(chǎng)的高可靠性解決方案。