18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合科泰MOSFET如何推動充電寶能效升級

合科泰半導(dǎo)體 ? 來源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2025-09-15 15:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言:新規(guī)驅(qū)動下的技術(shù)升級

2025年8月實(shí)施了充電寶新國標(biāo),其核心指標(biāo)包括額定輸出容量大于90%,這個變化提高了電源轉(zhuǎn)換效率要求,把原本的隱性需求轉(zhuǎn)變成了硬性要求。合科泰半導(dǎo)體基于自主研發(fā)的SGT工藝平臺,推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星產(chǎn)品,通過技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)能效提升,助力客戶輕松應(yīng)對新規(guī)挑戰(zhàn)。

SGT工藝:低損耗的核心密碼

合科泰SGT工藝采用0.18μm溝槽刻蝕技術(shù),在30V耐壓等級實(shí)現(xiàn)3.8mΩ的導(dǎo)通電阻,關(guān)鍵突破點(diǎn)包括:

1. 三維柵極結(jié)構(gòu)

溝槽深度達(dá)1.2μm,溝道密度提升至1.2e12 cm?2

引入屏蔽柵極降低柵漏電容Cgd,開關(guān)損耗減少35%

8nm超薄柵氧層(擊穿場強(qiáng)10MV/cm),柵極電荷Qg=18nC@10V

2. 封裝熱管理

PDFN3333封裝采用0.8mm厚銅漏極焊盤,熱阻RθJA=60℃/W

雙面散熱設(shè)計(jì)支持20A持續(xù)電流,結(jié)溫控制在125℃以內(nèi)

3. 可靠性強(qiáng)化

-55℃~150℃全溫域參數(shù)漂移小于等于5%

1000次溫度循環(huán)測試后,導(dǎo)通電阻變化率小于3%

30b1bbe2-8fb7-11f0-8c8f-92fbcf53809c.jpg

合科泰SGT MOSFET同步整流中的應(yīng)用示例

核心產(chǎn)品與場景化應(yīng)用

1. HKTQ65N03:VBUS協(xié)議開關(guān)的理想選擇

參數(shù):30V/65A,RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,PDFN3333封裝

應(yīng)用:USB PD協(xié)議VBUS路徑控制

優(yōu)勢:30V耐壓滿足20V輸出的電壓余量要求;3.8mΩ導(dǎo)通電阻在5V/2A場景下?lián)p耗僅72mW;支持1MHz開關(guān)頻率,適配PD3.1 EPR標(biāo)準(zhǔn)

2. HKTG50N03:同步整流的能效標(biāo)桿

參數(shù):30V/50A,RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V,PDFN5x6封裝

應(yīng)用:20W-65W快充次級同步整流

優(yōu)勢:SGT工藝實(shí)現(xiàn)6.8mΩ超低導(dǎo)通電阻;反向恢復(fù)時間Trr=25ns,高頻特性優(yōu)異;5x6mm封裝支持雙面散熱,持續(xù)電流達(dá)50A

3. HKTD50N06:BMS保護(hù)開關(guān)的可靠之選

參數(shù):60V/50A,RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V,TO-252封裝

應(yīng)用:鋰電池放電保護(hù)開關(guān)

優(yōu)勢:60V耐壓適配多串電池組;13.5mΩ平衡損耗與成本;通過10mJ雪崩能量測試

316b09e4-8fb7-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

選型指南與設(shè)計(jì)建議

1. 功率分級選型

10W以下:HKTQ30N03(30V/30A/5.3mΩ)

10W-30W:HKTG50N03(同步整流)+ HKTQ65N03(VBUS開關(guān))

30W以上:HKTD50N06(BMS保護(hù))+ HKTG50N03(同步整流)

2. layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)

VBUS路徑采用2oz銅厚,寬度≥2mm

MOSFET漏極焊盤面積≥4mm2

柵極串聯(lián)10Ω電阻抑制震蕩

結(jié)語:以技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對能效挑戰(zhàn)

合科泰SGT工藝MOSFET通過低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性和優(yōu)異散熱設(shè)計(jì),為充電寶廠商提供從協(xié)議控制到能量轉(zhuǎn)換的全鏈路解決方案。HKTQ65N03與HKTG50N03等MOS管助力通過新規(guī)能效測試,輸出容量達(dá)標(biāo)率提升至95%以上。如需獲取技術(shù)支持,可聯(lián)系合科泰FAE團(tuán)隊(duì)。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應(yīng)品類:覆蓋半導(dǎo)體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發(fā)與生產(chǎn)所需。

兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進(jìn)設(shè)備及檢測儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9182

    瀏覽量

    226693
  • 充電寶
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    760

    瀏覽量

    40434
  • 合科泰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    160

    瀏覽量

    1015

原文標(biāo)題:2025充電寶新規(guī)落地:合科泰MOSFET如何賦能充電寶能效革命?

文章出處:【微信號:合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號:合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOS管在手機(jī)快充中的應(yīng)用

    隨著手機(jī)快充功率從18W躍升至200W甚至更高,充電器內(nèi)的MOS管已成為決定效率、溫升和可靠性的核心元件。通過一系列高性能MOS管,為快充電
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:57 ?2137次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>MOS管在手機(jī)快充中的應(yīng)用

    高壓與中低壓MOSFET技術(shù)解析

    產(chǎn)品的生命周期。的高壓和中低壓 MOS 管產(chǎn)品矩陣,能夠精準(zhǔn)覆蓋不同的場景,本文可以為工程師提供器件的完整決策框架。
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:02 ?731次閱讀

    MOSFET在直流無刷電機(jī)驅(qū)動板的應(yīng)用

    經(jīng)常收到咨詢疑問:驅(qū)動板為什么非MOSFET不可?這個問題是因?yàn)橹绷鳠o刷電機(jī)的“心臟”是逆變器電路,而MOS管就是逆變器的開關(guān),可以負(fù)責(zé)電流通斷控制,實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速和精準(zhǔn)的方向調(diào)節(jié)。選對MOSFET,電機(jī)才能跑得穩(wěn)、效率高、壽命長!建立30余年的
    的頭像 發(fā)表于 09-15 15:32 ?2139次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在直流無刷電機(jī)驅(qū)動板的應(yīng)用

    MOSFET SI2301的核心優(yōu)勢和應(yīng)用場景

    SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET,專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:06 ?719次閱讀

    N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹

    HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術(shù),其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱,產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),以低導(dǎo)通電阻和高電流承載,
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:54 ?1357次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>N溝道增強(qiáng)型<b class='flag-5'>MOSFET</b> HKTS80N06介紹

    N溝道MOSFET HKTS80N06在儲BMS主開關(guān)中的應(yīng)用

    的要求。 HKTS80N06 N 溝道 MOSFET,以高耐壓、抗雪崩、低損耗特性,為儲系統(tǒng)構(gòu)建全鏈路安全屏障。
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:52 ?1242次閱讀

    P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用

    在智能手表PCB板的方寸之間,電源管理系統(tǒng)面臨微型化與低功耗的兩大挑戰(zhàn)。這么小的地方,需要集成數(shù)十個電子元件,因此電源開關(guān)器件的體積、功耗與可靠性直接決定手表的續(xù)航與功能密度。而 AO3401
    的頭像 發(fā)表于 08-12 16:45 ?4107次閱讀

    電子雙代理門店盛大開業(yè)

    近日,電子的兩家授權(quán)代理商 深圳市順慶電子商行 和 深圳市國晶微電子科技有限公司 盛大開業(yè),雙店同日舉辦了開業(yè)慶典,共同開啟了
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:25 ?624次閱讀

    MOSFET工藝參數(shù)揭秘:的技術(shù)突圍之道

    ?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵,而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國家級高新技術(shù)企業(yè),深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同,致力于在氧化層厚度、溝道長度和摻雜濃度等核心參數(shù)上突破
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:34 ?369次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>工藝參數(shù)揭秘:<b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>的技術(shù)突圍之道

    三款N溝道MOSFET的區(qū)別

    電子電路中,封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS管能否嵌入手機(jī)、可穿戴設(shè)備中,或者成為其驅(qū)動電機(jī)的開始。今天,我們聚焦三款N溝道
    的頭像 發(fā)表于 07-10 09:44 ?760次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>三款N溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b>的區(qū)別

    充電大規(guī)模被召回,MOS管如何提高充電的可靠性?

    多品牌充電被召回,引發(fā)電子產(chǎn)品安全性關(guān)注,原因竟是原材料問題導(dǎo)致的爆炸率升高。隨著人們對充電的安全性要求增高,為預(yù)防電子產(chǎn)品的使用風(fēng)險,元器件的可靠性要求也應(yīng)愈加嚴(yán)謹(jǐn)。
    的頭像 發(fā)表于 06-26 15:41 ?526次閱讀
    <b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>寶</b>大規(guī)模被召回,MOS管如何提高<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>寶</b>的可靠性?

    MOS管在低功耗DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

    隨著便攜電子設(shè)備、智能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端等設(shè)備的普及,對電源的需要也越來越普遍,而影響電源效率的低功耗DC轉(zhuǎn)換器成為了重點(diǎn)。生產(chǎn)的MOS管為高效電源提供了應(yīng)用方案,以此提升設(shè)備系統(tǒng)整體的
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:44 ?533次閱讀

    交流充電樁負(fù)載提升技術(shù)

    0.5W以下。 交流充電樁的提升需融合材料科學(xué)、電力電子與信息技術(shù),通過器件革新、拓?fù)鋬?yōu)化、智能控制及系統(tǒng)集成實(shí)現(xiàn)全方位降耗。未來,隨著SiC/GaN成本下降與能源互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展,充電
    發(fā)表于 05-21 14:38

    功率MOSFET在智能照明行業(yè)的選型

    在智能照明的應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi),工程師關(guān)注的重點(diǎn)一直在燈光的穩(wěn)定表現(xiàn)和使用壽命方面。功率MOSFET作為電路的核心器件,通過控制電流的精確通斷,影響了LED照明系統(tǒng)的許多關(guān)鍵性能指標(biāo),包括亮度穩(wěn)定性、表現(xiàn)、使用壽命等。今天,
    的頭像 發(fā)表于 04-15 09:23 ?847次閱讀
    <b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>泰</b>功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>在智能照明行業(yè)的選型

    南充智能制造基地正式投產(chǎn)

    近日,集團(tuán)南充智能制造基地投產(chǎn)慶典在四川省南充市順利舉行。此次基地投產(chǎn)不僅標(biāo)志著集團(tuán)
    的頭像 發(fā)表于 03-18 11:11 ?1027次閱讀