耐高溫、長壽命、高集成！村田硅電容正成為AI與高速通信領域的關鍵器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著社會逐漸步入AI時代，也促使著AI系統(tǒng)對電源完整性、封裝密度、信號穩(wěn)定性提出更高要求。有市場研究機構(gòu)預測，受AI集群建設推動，2025-2026年全球光模塊市場年增長率將達到30-35%。

而硅電容在耐高溫、壽命上相比傳統(tǒng)電容更有優(yōu)勢，同時在封裝集成、電源管理、系統(tǒng)可靠性等方面扮演更加關鍵的角色。在第26屆中國國際光電博覽會上，電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪到了村田制作所（Murata）的相關專家，對硅電容在當前的應用與發(fā)展有了更深入的了解。

所謂硅電容，是一種利用半導體工藝在硅片上制造出的高性能、高可靠性、極其穩(wěn)定的電容器。它并非旨在全面取代傳統(tǒng)MLCC，而是在MLCC性能無法滿足要求的高端領域扮演著關鍵角色，是推動5G通信、自動駕駛、AI和航空航天等技術(shù)發(fā)展的幕后功臣之一。

此次村田也帶來了超寬頻硅電容產(chǎn)品矩陣，產(chǎn)品包括適用于信號線交流耦合的表貼電容，最高帶寬可支持到220GHz，也有可用于TOSA/ROSA偏置線的直流去耦打線電容及集成RC的定制硅基板。

據(jù)村田高級產(chǎn)品線經(jīng)理Oliver Gaborieau透露，目前村田硅電容的工廠及研發(fā)所在地均位于法國，并已經(jīng)有了兩條硅電容的生產(chǎn)線，一條是6英寸，另一條為8英寸。

同時，村田的硅電容應用3D電容的封裝形式，內(nèi)部采用三棱柱及更先進得納米孔狀結(jié)構(gòu)等設計，讓產(chǎn)品電容密度可以做到2.5μF/mm2，厚度也可以做到40μm以下，這種超薄特性有利于在高度集成的電路中使用，節(jié)省空間，助力電子設備向小型化、輕薄化發(fā)展。

此外，村田的3D硅電容可以在-250℃-250℃的寬溫度范圍內(nèi)具有高穩(wěn)定性，這意味著它能在極端冷熱的環(huán)境下正常工作，不僅能夠適用于AI場景，還適用于航空航天、汽車等對溫度要求苛刻的領域。

并且可以在頻率高達220 GHz的應用中仍能保持信號穩(wěn)定，也可應用于電壓高達1200V的場景，使用壽命至少10年，長期使用過程中性能衰減緩慢，可靠性高，減少了頻繁更換的成本與麻煩。

據(jù)Oliver介紹，目前村田的硅基產(chǎn)品主要分為四大產(chǎn)品系列，C系列為表面貼片，適用于高頻場景下的表面貼裝需求，比如高速通信、射頻等領域；W系列為打線類型，側(cè)重垂直方向的集成與引線鍵合連接，能在更薄的結(jié)構(gòu)下實現(xiàn)電路連接，助力設備小型化；E系列主要為埋入型產(chǎn)品，結(jié)合了水平嵌入的布局優(yōu)勢與引線鍵合的連接靈活性。

此外還有Custom，即定制系列，可以提供定制寬帶硅中介層、電容陣列、元件陣列等，滿足客戶個性化、復雜的應用需求，比如特定帶寬、特殊陣列結(jié)構(gòu)的場景。

同時，村田在寬帶硅解決方案上，憑借在性能、可靠性、易用性上的突出優(yōu)勢，能很好地滿足高速電信等領域?qū)﹄娮釉母咭蟆?br />
而在供應鏈全球化的大背景下，地緣政治帶來的貿(mào)易摩擦影響在所難免，如何避免地緣政治帶來的風險，成為各家企業(yè)所面臨的難題。

對此，村田Computing市場事業(yè)群總經(jīng)理黃友信表示，村田通過在全球多個地區(qū)布局工廠，并且不同的工廠可以支持同一產(chǎn)品的生產(chǎn)，不僅規(guī)避了地緣政治上的風險，并且更靠近當?shù)乜蛻簦龅礁玫姆铡?br />
例如在中國市場，村田1973年便已經(jīng)進入到這一市場中，如今在中國擁有18個銷售點，7個工廠以及3個研發(fā)中心，通過完善的服務體系來為中國的客戶提供服務。未來也將在材料研發(fā)與制程等技術(shù)領域深耕，為客戶帶來更好的產(chǎn)品。