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SN74HCT165 8位并行輸入移位寄存器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-19 14:39 ? 次閱讀
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Texas Instruments SN74HCT165/SN74HCT165-Q1并聯(lián)負(fù)載移位寄存器是一款并聯(lián)或串聯(lián)輸入、串聯(lián)輸出8位移位寄存器。借助八個獨立的直接數(shù)據(jù) (A-H) 輸入并行訪問每個級,通過移位/負(fù)載 (SH/LD) 輸入的低電平實現(xiàn)。SN74HCT165/SN74HCT165-Q1還具有時鐘抑制 (CLK INH) 功能和互補串行 (Q H) 輸出。Texas Instruments SN74HCT165-Q1器件符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100認(rèn)證。

數(shù)據(jù)手冊:

*附件:SN74HCT165數(shù)據(jù)手冊.pdf

*附件:SN74HCT165-Q1數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 兼容LSTTL輸入邏輯
    • V IL(max) =0.8V、V IH(min) =2V
  • 兼容CMOS輸入邏輯
    • I I ≤1μA(V OL 、VOH時)
  • 工作電壓: 4.5V至5.5V
  • 最多支持10個LSTTL負(fù)載的扇出
  • 直接覆蓋負(fù)載(數(shù)據(jù))輸入
  • 門時鐘輸入
  • TA擴展環(huán)境溫度范圍:–40°C至+125°C

功能框圖

1.png

SN74HCT165 8位并行輸入移位寄存器技術(shù)解析

一、器件概述

SN74HCT165是德州儀器(TI)推出的一款8位并行或串行輸入、串行輸出的高速CMOS移位寄存器。該器件采用TSSOP-16封裝,工作電壓范圍為4.5V至5.5V,具有LSTTL輸入邏輯兼容性和低功耗特性。

?主要特性?:

  • 兼容LSTTL輸入邏輯(VIL(max)=0.8V, VIH(min)=2V)
  • CMOS輸入邏輯兼容(輸入電流II ≤ 1μA)
  • 4.5V至5.5V工作電壓范圍
  • 可驅(qū)動多達10個LSTTL負(fù)載
  • 工作溫度范圍寬達-40°C至+125°C

二、功能描述

SN74HCT165提供兩種工作模式:?數(shù)據(jù)加載模式?和?數(shù)據(jù)移位模式?。

1. 數(shù)據(jù)加載模式

當(dāng)SH/LD(移位/加載)輸入為低電平時,器件處于并行數(shù)據(jù)加載模式。此時8個并行輸入(A-H)的數(shù)據(jù)會被異步地加載到內(nèi)部寄存器中。在此模式下:

  • Q輸出與H輸入狀態(tài)相同
  • QH(反相輸出)與H輸入狀態(tài)相反

2. 數(shù)據(jù)移位模式

當(dāng)SH/LD輸入為高電平時,器件處于數(shù)據(jù)移位模式。在時鐘(CLK)上升沿觸發(fā)下:

  • 串行輸入(SER)的數(shù)據(jù)被移入第一個寄存器
  • 內(nèi)部寄存器數(shù)據(jù)依次向后移位一位
  • 最后一個寄存器的數(shù)據(jù)會丟失
  • Q輸出始終與最后一個寄存器狀態(tài)相同
  • QH輸出為Q的反相

CLK INH(時鐘禁止)輸入可用于阻止時鐘脈沖被檢測,CLK和CLK INH是功能互換的輸入。

三、關(guān)鍵參數(shù)

1. 電氣特性

  • 最大時鐘頻率:25MHz(全溫度范圍)
  • 傳輸延遲時間(tpd):最大60ns(全溫度范圍)
  • 輸入電容:2.4pF(典型值)
  • 靜態(tài)電源電流(ICC):最大157.5μA

2. 時序特性

  • 建立時間(tsu):25ns(CLK↑前SH/LD需保持高電平)
  • 保持時間(th):9ns(數(shù)據(jù)在CLK↑后需保持穩(wěn)定)
  • 最小脈沖寬度(tw):25ns(CLK高或低電平持續(xù)時間)

四、典型應(yīng)用

1. 微控制器輸入擴展

SN74HCT165最常見的應(yīng)用是擴展微控制器的輸入端口。通過單個移位寄存器,可以將8個并行輸入轉(zhuǎn)換為串行輸出,僅需占用MCU的3個I/O口(SH/LD、CLK和SER)。

2. 多器件級聯(lián)

多個SN74HCT165可以級聯(lián)使用,進一步擴展輸入能力。前一級的QH輸出連接至下一級的SER輸入,所有器件的CLK和SH/LD并聯(lián)連接。這種配置可以幾乎無限擴展輸入數(shù)量,僅受限于所需的采樣速率。

?應(yīng)用設(shè)計要點?:

  1. 在VCC和GND之間添加0.1μF去耦電容,應(yīng)盡可能靠近器件放置
  2. 輸出端容性負(fù)載應(yīng)≤50pF以保證最佳性能
  3. 輸出端電阻負(fù)載應(yīng)大于(VCC/IO(max))Ω
  4. 未使用的輸入端必須接VCC或GND,不能懸空
  5. 未使用的輸出端可保持懸空

五、布局建議

良好的PCB布局對確保SN74HCT165的穩(wěn)定工作至關(guān)重要:

  1. 推薦使用地平面鋪銅,以提高信號隔離、降低噪聲并改善散熱
  2. 去耦電容應(yīng)盡可能靠近器件放置
  3. 信號線應(yīng)避免90°拐角,以減少反射
  4. 未使用的輸入端應(yīng)通過10kΩ電阻上拉或下拉,或直接連接至VCC/GND
  5. 未使用的輸出端可保持懸空
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