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飛虹MOS管FHP4310V在高頻逆變器的應用

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2025-09-22 11:11 ? 次閱讀
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高頻逆變器的應用在2025年從傳統(tǒng)的儲能、光伏發(fā)電、工業(yè)電源等領域已經(jīng)擴展到電動汽車充電樁、激光控制、輕型電動車等。如何提升產(chǎn)品質(zhì)量搶占更多市場,不僅要從選擇能替代IRFB4310PBF型號的MOS管,更要考慮供應鏈穩(wěn)定性!

MOS管在逆變器中承擔關鍵開關功能,其開關速度、導通電阻和柵極電荷等參數(shù)直接影響系統(tǒng)在高頻工作下的轉(zhuǎn)換效率、EMI表現(xiàn)與熱管理能力。高頻逆變器通常工作于幾十kHz至數(shù)百kHz,對MOS管的開關損耗、反向恢復特性以及驅(qū)動要求更為嚴格。

飛虹半導體的FHP4310V純國產(chǎn)MOS管具有147A、100V的電流電壓等級,特別適用于高頻逆變器中DC-DC推挽拓撲結構。該器件不僅能無縫替代IRFB4310PBF,更在高頻開關應用中表現(xiàn)出更低的開關損耗和更穩(wěn)定的高溫特性。

FHP4310V采用先進的溝槽技術(Trench Technology),結合優(yōu)化的工藝與器件結構設計,優(yōu)化開關特性并實現(xiàn)極低的導通電阻 (RDS(on)) ,這兩點對于高頻逆變器提升整體轉(zhuǎn)換效率尤為關鍵。

具體從FHP4310V場效應管的參數(shù)可看:ID(A):147A;BVdss(V):100V;Vgs(±V):20;VTH(V):3。靜態(tài)導通電阻RDS (on) = 7.0mΩ(max)@V GS =10V、RDS (on) = 5.1mΩ(typ)@V GS =10V。

正是該參數(shù)特點讓FHP4310V場效應管是能更好替代IRFB4310PBF型號參數(shù)用于高頻逆變器的電路。

FHP4310V通過了100% UIS測試、100% DVDS瞬間熱阻測試、100% Rg測試等測試,具備高雪崩耐量和優(yōu)異的抗沖擊性能,能有效應對高頻逆變器中因快速開關引起的電壓尖峰和寄生振蕩問題。

同時,F(xiàn)HP4310V擁有優(yōu)化的體二極管反向恢復特性,減少反向恢復損耗,適用于高頻硬開關和軟開關拓撲。其封裝結構 thermally enhanced,有利于在高頻高功率密度應用中散熱,提升系統(tǒng)可靠性。

好產(chǎn)品才能占有更多市場,如研發(fā)中有選型的問題,歡迎溝通交流。需要選擇147A、100V的MOS管用于高頻逆變器的選型問題,建議選用FHP4310V場效應管。

除參數(shù)適合外,飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務。飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外,更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:2025年高頻逆變器應用更廣泛,如何選對高可靠性MOS管是關鍵!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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